
本期電子元器件價(jià)格指數(shù)報(bào)點(diǎn)104.61點(diǎn),創(chuàng)近一年新高,上漲0.47點(diǎn),漲幅0.45%。電子元件價(jià)格指數(shù)疲態(tài)盡顯,跌幅擴(kuò)大至2.3%,細(xì)分品類中電阻器、電感器、晶體振蕩器和電容器均下跌,跌幅分別是4.53%、1.88%、0.93%和0.
幾個(gè)基本概念數(shù)的本質(zhì)和物理現(xiàn)象。我們知道,計(jì)算機(jī)可以進(jìn)行數(shù)學(xué)運(yùn)算,這可令我們非常的難以理解,計(jì)算機(jī)嗎,我們雖不了解它的組成,但它總只是一些電子元器件,怎么可以進(jìn)行數(shù)學(xué)運(yùn)算呢?我們做數(shù)學(xué)題如37+45是這樣做
當(dāng)前計(jì)算機(jī)幾乎毫無例外地采用了如圖所示的層次式存儲(chǔ)結(jié)構(gòu),目的是為了兼顧存儲(chǔ)容量和存儲(chǔ)速度。在圖中,以處理器為中心,計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的存儲(chǔ)依次為寄存器、高速緩存、主存儲(chǔ)器、磁盤緩存、磁盤和可移動(dòng)存儲(chǔ)介質(zhì)等7個(gè)層
集邦科技表示,三星(Samsung)在全球DRAM市場(chǎng)獨(dú)大,隨著三星態(tài)度轉(zhuǎn)趨保守,有助DRAM產(chǎn)業(yè)長期穩(wěn)定均衡發(fā)展。集邦科技指出,三星不僅搶占全球動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)近一半市場(chǎng),制程技術(shù)也領(lǐng)先其它競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手超過2個(gè)世
21ic訊 Ramtron International Corporation (簡(jiǎn)稱Ramtron)宣布,現(xiàn)已提供可與飛思卡爾半導(dǎo)體公司廣受歡迎的Tower System開發(fā)平臺(tái)共用的全新F-RAM存儲(chǔ)器模塊(TWR-FRAM)。TWR-FRAM使用了Ramtron F-RAM核心存儲(chǔ)器和集成
9月29日,省電子信息集團(tuán)產(chǎn)業(yè)基地暨福順晶圓科技8英寸集成電路芯片項(xiàng)目動(dòng)工。該芯片項(xiàng)目由省電子信息集團(tuán)、福州市投資管理公司與臺(tái)灣友順科技公司合資建設(shè),是我省第一條8英寸集成電路芯片生產(chǎn)線。項(xiàng)目總投資30億元,
基于K9WBG08U1M的大容量存儲(chǔ)器介紹
相變存儲(chǔ)器(PCM)與存儲(chǔ)器技術(shù)簡(jiǎn)介
基于FPGA的抗SEU存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)
三星今年在晶圓代工市場(chǎng)布局腳步積極,并且連續(xù)兩年大幅拉升資本支出規(guī)模,研調(diào)機(jī)構(gòu)拓墣示警,三星明年在晶圓代工市場(chǎng)全面進(jìn)攻策略,將是沖擊半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的最大變量,原因即在于三星將把存儲(chǔ)器產(chǎn)能大舉轉(zhuǎn)進(jìn)晶圓代工,
國外數(shù)據(jù)公司 Crashplan 發(fā)布了一份《存儲(chǔ)介質(zhì)使用壽命情況》的分析報(bào)告,供職于InfoNewt的設(shè)計(jì)師 Mike Wirth 以此為基礎(chǔ)制作一幅信息圖示,該圖示比較全面地覆蓋了迄今人類發(fā)明的各種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的壽命情況。由此,
2012年9月18日,全球頂級(jí)半導(dǎo)體廠商三星電子正式發(fā)布,其從上個(gè)月起已經(jīng)開始量產(chǎn)適用于下一代移動(dòng)設(shè)備的128GB內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器 (eMMC, embedded Multi Media Card)。 據(jù)介紹,三星電子繼今年5月和7月分別量產(chǎn)超高速內(nèi)嵌式
市場(chǎng)傳出,蘋果除將下一代處理器委托臺(tái)積電以20納米制程代工生產(chǎn)之外,也打算將A6處理器部分后段封測(cè)訂單,轉(zhuǎn)至矽品,為「去三星化」預(yù)先舖路。 矽品昨(17)日否認(rèn)這項(xiàng)傳言。但封測(cè)大廠爭(zhēng)取蘋果后段封測(cè)訂單的傳聞
近日,浦項(xiàng)化工研究人員成功研制出一種不沾水的“防水存儲(chǔ)器”。該防水存儲(chǔ)器由于可以在水中安全運(yùn)轉(zhuǎn),因此將來可以很廣泛的應(yīng)用,包括應(yīng)用到“防水智能手機(jī)”、“防水計(jì)算機(jī)”等防水電子消費(fèi)產(chǎn)品中。據(jù)悉,該“防水
相變存儲(chǔ)器(PCM)與存儲(chǔ)器技術(shù)的比較分析
基于半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片K9WBG08U1M的大容量存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介
抗SEU存儲(chǔ)器的FPGA設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)
相變存儲(chǔ)器(可縮略表示為PCM、PRAM或PCRAM)是一種新興的非易失性計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器技術(shù)。它可能在將來代替閃存,因?yàn)樗粌H比閃存速度快得多,更容易縮小到較小尺寸,而且復(fù)原性更好,能夠?qū)崿F(xiàn)一億次以上的擦寫次數(shù)。本文
北京時(shí)間09月21日消息,中國觸摸屏網(wǎng)訊,臺(tái)積電與美國IC設(shè)計(jì)新創(chuàng)公司璟正科技(FocalTech)昨日共同宣布,由璟正科技設(shè)計(jì)并委托臺(tái)積電生產(chǎn)制造的觸控芯片(Touch-Panel Controller IC),已突破總出貨1,000萬顆的里程
摘要:介紹了FIFO的基本概念、設(shè)計(jì)方法和步驟,采用了一種新穎的讀、寫地址寄存器和雙體存儲(chǔ)器的交替讀、寫機(jī)制,實(shí)現(xiàn)了FIFO的基本功能,同時(shí)使本32X8 FIFO擁有可同時(shí)讀、寫的能力,完全基于Verilog HDL語言實(shí)現(xiàn)了電路功能