
針對視頻壓縮系統(tǒng)中要求存儲器容量大、可靠性高、使用環(huán)境苛刻等特點(diǎn),給出了基于半導(dǎo)體存儲芯片K9WBG08U1M的大容量存儲器的應(yīng)用設(shè)計(jì)方法。該方法可以很好地滿足工業(yè)控制或軍事領(lǐng)域等惡劣環(huán)境下的使用要求。
KT4日表示,將于下周推出“企業(yè)用ucloud CS 示范服務(wù)”,旨在有效利用IT資源、節(jié)省開支。KT將在日后推出的各種ucloud服務(wù)中統(tǒng)一使用“ucloud”商標(biāo)。繼現(xiàn)已問世的個(gè)人用網(wǎng)絡(luò)硬盤服務(wù)“uclo
摘要:本文主要介紹了微型存儲測試系統(tǒng)在姿態(tài)測量中的設(shè)計(jì),結(jié)合飛行體在飛行時(shí)各種變化姿態(tài)的采集,編幀,存儲這一問題,詳細(xì)地闡述了微型存儲測試系統(tǒng)的工作原理、系統(tǒng)組成、軟硬件設(shè)計(jì)以及所實(shí)現(xiàn)的性能指標(biāo);根據(jù)
采用90nm工藝制造的DDR3 SDRAM存儲器架構(gòu)支持總線速率為600 Mbps-1.6 Gbps (300-800 MHz)的高帶寬,工作電壓低至1.5V,因此功耗小,存儲密度更可高達(dá)2Gbits。該架構(gòu)無疑速度更快,容量更大,單位比特的功耗更低,但問
爾必達(dá)2010年以來就將標(biāo)準(zhǔn)型DRAM生產(chǎn)重心移往臺廠,主要是因?yàn)橹悄苄褪謾C(jī)(Smart Phone)用的Mobile RAM風(fēng)潮興起,爾必達(dá)是全球主要的供應(yīng)商之一,以毛利率角度來看,生產(chǎn)Mobile RAM比生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM高出許多,因此爾必
日系存儲器大廠爾必達(dá)(Elpida)雖然預(yù)期2010年第2季(7~9月)財(cái)報(bào)較2009年同期大幅增加,但相較上季卻是明顯縮水,主要還是受到個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)市場需求不振的影響,未來爾必達(dá)在標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品在線,將越來越依賴臺系DR
TMS3.0VC5409 是TI公司推出的第一代的高性能、低價(jià)位、低功耗數(shù)字信號處理器(DSP)。與現(xiàn)在流行的TMS320C5409相比,性能提高了60%,功耗效率提高了 50%。它的應(yīng)用對象大多是要求能脫機(jī)運(yùn)行的內(nèi)嵌式系統(tǒng),如機(jī)頂盒(
基于閃爍存儲器的DSP并行引導(dǎo)裝載方法
為了解決單片機(jī)程序下載線的通用性問題,利用PDIUSBDl2、AT89S52和74HC244設(shè)計(jì)單片機(jī)與計(jì)算機(jī)USB口連接的下載線硬件電路,并為下載線系統(tǒng)設(shè)計(jì)和安裝系統(tǒng)程序,使下載線和目標(biāo)單片機(jī)成為計(jì)算機(jī)USB口的虛擬存儲器,計(jì)算機(jī)通過對虛擬存儲器的文件讀寫操作實(shí)現(xiàn)單片機(jī)的程序下載。
對許多嵌入式項(xiàng)目來說,系統(tǒng)設(shè)計(jì)師都傾向于選擇實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)(RTOS)。但RTOS總是必要的嗎?答案是取決于具體的應(yīng)用,因此了解我們要達(dá)到什么目標(biāo)是決定RTOS是必要的還是花瓶的關(guān)鍵?! ∫话銇碚f,在采用非實(shí)時(shí)操作
選擇實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)(RTOS)的要點(diǎn)詳解
選擇實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)(RTOS)的要點(diǎn)詳解
選擇實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)(RTOS)的要點(diǎn)詳解
選擇實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)(RTOS)的要點(diǎn)詳解
選擇實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)(RTOS)的要點(diǎn)詳解
存儲器封測大廠力成(6239)今天召開法說會(huì),公布前三季每股盈余為8.15元,董事長蔡篤恭樂觀表示,今年賺一個(gè)資本額沒有問題,至于明年展望,明年第一季優(yōu)于今年第四季,這是一個(gè)蠻有趣的情況。顯示出明年首季淡季不淡
目前次世代微影技術(shù)發(fā)展仍尚未有主流出現(xiàn),而身為深紫外光 (EUV)陣營主要推手之一的比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)總裁Luc Van den hove指出,EUV技術(shù)最快于2014年可望進(jìn)入量產(chǎn),而應(yīng)用存儲器制程又將早于邏輯制程,他也
臺系DRAM廠力晶宣布2011年的資本支出為新臺幣160億元,較2010年的資本支出200億元減少約20%;此外,之前被主管機(jī)關(guān)退件的上限8億股的海外存托憑證(GDR)申請案也將重新啟動(dòng);再者,力晶亦宣布將出售部分機(jī)臺設(shè)備給設(shè)備商
臺系DRAM廠力晶宣布2011年的資本支出為新臺幣160億元,較2010年的資本支出200億元減少約20%;此外,之前被主管機(jī)關(guān)退件的上限8億股的海外存托憑證(GDR)申請案也將重新啟動(dòng);再者,力晶亦宣布將出售部分機(jī)臺設(shè)備給設(shè)備
存儲器業(yè)者預(yù)期,未來ReRAM、3D NAND Flash、相變化存儲器(Phase Change RAM;PRAM)和磁性隨機(jī)存取存儲器(Magnetic RAM;MRAM)等次世代存儲器,將會(huì)有一番激烈競爭。 爾必達(dá)在存儲器領(lǐng)域布局越來越廣泛,2010年取得已