
乘著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣復(fù)甦潮,存儲(chǔ)器供應(yīng)商與晶圓代工廠可說(shuō)是2010上半年表現(xiàn)最佳的一群;根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IC Insights公布的最新全球前二十大半導(dǎo)體廠商排行榜,存儲(chǔ)器廠商與晶圓代工廠是名次進(jìn)步最多的一群。在全球前
在此波半導(dǎo)體業(yè)上升周期的強(qiáng)勁推動(dòng)下,存儲(chǔ)器與代工制造商在2010年上半年的表現(xiàn)最為亮麗,這是由ICInsight公司剛公布的2010年上半年全球前20大排名中得知。全球5大存儲(chǔ)器制造商都進(jìn)入前20大排名之中,三星仍雄居第二
在此波半導(dǎo)體業(yè)上升周期的強(qiáng)勁推動(dòng)下,存儲(chǔ)器與代工制造商在2010年上半年的表現(xiàn)最為亮麗,這是由IC Insight公司剛公布的2010年上半年全球前20大排名中得知。全球5大存儲(chǔ)器制造商都進(jìn)入前20大排名之中,三星仍雄居第二
1 引言 在中國(guó)有許多因創(chuàng)傷性顱腦損傷的患者急需搶救,但相當(dāng)一部分顱內(nèi)出血患者因未能及時(shí)診斷,延誤了搶救和治療時(shí)機(jī).因而出現(xiàn)腦血腫或腦疝后壓迫腦組織.使腦干和腦實(shí)質(zhì)受到不可逆轉(zhuǎn)的損傷。近紅外顱內(nèi)出血檢測(cè)設(shè)
隨著半導(dǎo)體行業(yè)的整體復(fù)蘇,2010年ATE市場(chǎng)預(yù)計(jì)也將翻番。但存儲(chǔ)器行業(yè)由于2009年產(chǎn)能的下降及奇夢(mèng)達(dá)的破產(chǎn),二手ATE測(cè)試設(shè)備還處于消化過(guò)程中。為布局即將增長(zhǎng)的存儲(chǔ)器測(cè)試市場(chǎng),Verigy推出了全新的適用于未來(lái)3代高速
“我準(zhǔn)備把新一代存儲(chǔ)技術(shù)帶到中國(guó)!”美國(guó)工程院院士馬佐平在華人論壇上的演講中表示,相變存儲(chǔ)器將是未來(lái)存儲(chǔ)的方向。出生于甘肅蘭州的馬佐平現(xiàn)任美國(guó)耶魯大學(xué)教授、電機(jī)系主任。憑借在研發(fā)“互補(bǔ)性氧化金屬半導(dǎo)體
“我準(zhǔn)備把新一代存儲(chǔ)技術(shù)帶到中國(guó)!”美國(guó)工程院院士馬佐平在華人論壇上的演講中表示,相變存儲(chǔ)器將是未來(lái)存儲(chǔ)的方向。出生于甘肅蘭州的馬佐平現(xiàn)任美國(guó)耶魯大學(xué)教授、電機(jī)系主任。憑借在研發(fā)“互補(bǔ)性氧化金屬半導(dǎo)體
惠瑞捷 (Verigy)推出了全新的 HSM3G 高速存儲(chǔ)器測(cè)試解決方案,進(jìn)一步拓展了面向 DDR3世代主流存儲(chǔ)器 IC 和更高級(jí)存儲(chǔ)器件測(cè)試能力的 V93000 HSM 平臺(tái)。V93000 HSM3G 獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)在于其未來(lái)的可升級(jí)性,能夠?yàn)閿?shù)據(jù)傳輸
隨著半導(dǎo)體行業(yè)的整體復(fù)蘇,2010年ATE市場(chǎng)預(yù)計(jì)也將翻番。但存儲(chǔ)器行業(yè)由于2009年產(chǎn)能的下降及奇夢(mèng)達(dá)的破產(chǎn),二手ATE測(cè)試設(shè)備還處于消化過(guò)程中。為布局即將增長(zhǎng)的存儲(chǔ)器測(cè)試市場(chǎng),Verigy推出了全新的適用于未來(lái)3代高速
摘要:設(shè)計(jì)一種基于PCIe總線的不間斷采樣和傳輸?shù)某咚贁?shù)據(jù)采集卡。利用雙400MHz、14位AID轉(zhuǎn)換器實(shí)現(xiàn)了800 MHz、14位的信號(hào)高速、高精度采集,論述了利用Xilinx公司FPGA的IPCORE設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)PCIe總線控制接口?;赑CIe
“中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有著良好的基礎(chǔ),如果要趕超世界先進(jìn)水平,必須要找準(zhǔn)方向、加強(qiáng)合作?!爆F(xiàn)任美國(guó)國(guó)家工程院院士馬佐平26日在廣州接受新華社記者采訪時(shí)說(shuō)。出生于甘肅蘭州的馬佐平現(xiàn)任美國(guó)耶魯大學(xué)教授、電機(jī)系主
半導(dǎo)體測(cè)試公司惠瑞捷 (Verigy)在韓國(guó)一家不具名客戶的生產(chǎn)廠內(nèi)安裝并驗(yàn)證其首款可生產(chǎn)的V93000 HSM6800系統(tǒng)。這套新系統(tǒng)是唯一的一款面向當(dāng)今 GDDR5超快存儲(chǔ)集成電路 (IC)(運(yùn)行速度超過(guò)每接腳4 Gbps)的快速高良
2010年存儲(chǔ)器市場(chǎng)最夯產(chǎn)品非NOR Flash莫屬,從年初開始供貨吃緊且價(jià)格一路飛漲,盡管各家NOR Flash廠對(duì)于第3季價(jià)格都是持續(xù)看漲,但產(chǎn)業(yè)供需結(jié)構(gòu)卻是暗潮洶涌,其中,旺宏與華邦大舉擴(kuò)充12寸廠產(chǎn)能,飛索(Spansion)脫
2010年存儲(chǔ)器市場(chǎng)最夯產(chǎn)品非NORFlash莫屬,從年初開始供貨吃緊且價(jià)格一路飛漲,盡管各家NORFlash廠對(duì)于第3季價(jià)格都是持續(xù)看漲,但產(chǎn)業(yè)供需結(jié)構(gòu)卻是暗潮洶涌,其中,旺宏與華邦大舉擴(kuò)充12寸廠產(chǎn)能,飛索(Spansion)脫離
臺(tái)積電(TSMC)宣布,該公司0.25μm的OTP(OneTimeProgrammable)存儲(chǔ)器IP獲得了美國(guó)汽車電子設(shè)備協(xié)會(huì)(AutomotiveElectronicCouncil,AEC)的“AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)Grade1”規(guī)格認(rèn)證(參閱英文發(fā)布資料)。臺(tái)積電已經(jīng)在0.2
市場(chǎng)調(diào)研公司Future Horizons創(chuàng)始人Malcolm Penn在第二季度半導(dǎo)體業(yè)績(jī)持續(xù)叫好時(shí),看到芯片制造商卻采取愚蠢的行為,甚至在芯片交貨期延長(zhǎng)情況下讓芯片的售價(jià)下降。Penn認(rèn)為某些芯片制造商一味追求擴(kuò)大市場(chǎng)份額與為了
近期臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)獲得經(jīng)濟(jì)部補(bǔ)助,聯(lián)合茂德、晶豪打算從NAND Flash產(chǎn)業(yè)重起爐灶,加上力晶、旺宏亦紛投入NAND Flash市場(chǎng),3方人馬點(diǎn)燃臺(tái)灣NAND Flash戰(zhàn)火。力晶董事長(zhǎng)黃崇仁6日表示,力晶耕耘NAND Flash
臺(tái)灣臺(tái)積電(TSMC)宣布,該公司0.25μm的OTP(One TimeProgrammable)存儲(chǔ)器IP獲得了美國(guó)汽車電子設(shè)備協(xié)會(huì)(Automotive ElectronicCouncil,AEC)的“AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)Grade 1”規(guī)格認(rèn)證。 臺(tái)積電已經(jīng)在0.25μm和0.
編者點(diǎn)評(píng):存儲(chǔ)器是半導(dǎo)體業(yè)的風(fēng)向標(biāo)。它的特點(diǎn)起伏大,幾乎每十年有一次大的變動(dòng)及盈利一年要虧損2-3年。另一個(gè)是反映半導(dǎo)體制造工藝能力水平,通常新建生產(chǎn)線會(huì)采用SRAM工藝來(lái)通線及會(huì)盡可能的采用最先進(jìn)工藝技術(shù)。
隨著新技術(shù)的不斷涌現(xiàn)以及原有技術(shù)的改進(jìn),存儲(chǔ)器組合也在不斷發(fā)生變化,以前未曾聽說(shuō)的存儲(chǔ)器技術(shù)現(xiàn)在已經(jīng)得到普遍使用。例如,上網(wǎng)本已經(jīng)開始配備固態(tài)存儲(chǔ)器,這種存儲(chǔ)器能滿足上網(wǎng)本更低的功耗要求,從而