
所謂發(fā)光二極管,實際上就是最為常見的LED。因此在談及發(fā)光二極管的封裝時,實際上就是在討論LED的封裝。在本文中,小編將列出幾種發(fā)光二極管芯片的一些常見封裝形式,并對
IGBT的優(yōu)勢在于輸入阻抗很高,開關速率快,導通態(tài)電壓低,關斷時阻斷電壓高,集電極和發(fā)射機承受電流大的特點,目前已經(jīng)成為電力電子行業(yè)的功率半導體發(fā)展的主流器件。IGBT已經(jīng)由第三代發(fā)展到第五代了,由穿透型發(fā)展到非穿透型。IGBT模塊也在此基礎上同步發(fā)展,單管模塊,半橋模塊,6管模塊,到現(xiàn)在的7管模塊。IGBT驅動設計上比較復雜,需要考慮較多的因素,諸如合理的選擇驅動電壓Uge和門極驅動電阻Rg,過流過壓保護等都是很重要的。IGBT模塊廣泛用于UPS,感應加熱,逆變焊機電源,變頻器等領域。
近年來各種電子產(chǎn)品向小型化和微型化發(fā)展,并以大爆炸的形式進入人們的生活。其中供電電源的體積及重量占了整個產(chǎn)品的一大部分,電源變壓器、電源控制IC、MOS管、整流二極管
隨著LED技術不斷發(fā)展,其發(fā)光波長已經(jīng)由可見光波段拓展到深紫外波段,其技術逐漸成熟和成本下降將使得紫外LED應用更加廣泛,甚至可能超越目前的藍光LED。從深紫外LED的發(fā)光
1 簡介當今半導體集成電路(IC)的新增長點,已從傳統(tǒng)的機算機及通訊產(chǎn)業(yè)轉向便攜式移動設備如智能手機、平板電腦及新一代可穿戴設備。集成電路封裝技術也隨之出現(xiàn)了新的趨勢
LED的發(fā)光原理是直接將電能轉換為光能,其電光轉換效率大約為20%—30%,光熱轉換效率大約為70%—80%。隨著芯片尺寸的減小以及功率的大幅度提高,導致LED結溫居高
摘要:介紹了一種基于uClinux的實時網(wǎng)絡監(jiān)控服務器開發(fā)方法,該服務器能對實時對遠程網(wǎng)絡終端、監(jiān)控攝像頭等進行控制管理和數(shù)據(jù)訪問。將其應用到大型網(wǎng)絡監(jiān)控系統(tǒng)中,用戶可訪問由多臺服務器組成的分布式網(wǎng)絡監(jiān)控服務
21ic訊——意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)STM8S基本型系列最新微控制器通過最高125°C溫度測試,確保其在燈光控制、電機驅動和工業(yè)自動化等需要在持續(xù)高溫應用環(huán)境中
“Vicor領先行業(yè)其他競爭對手至少10年以上,值得尊敬!”這是一位國內非常知名的通訊企業(yè)電源工程師對Vicor的評價。乍一聽這樣的評價,難免有人覺得是夸大其詞,但是深入了解Vicor的人都知道,這樣的評價并
21ic訊 Diodes公司日前推出耳機檢測集成電路AZV5001,適用於對成本及功率要求嚴格的消費性電子產(chǎn)品,包括手機、平板電腦和媒體播放器。新產(chǎn)品把比較器、或門 (OR) 及N通道MOSFET集成到微型封裝,能夠快速且輕易檢測
本文介紹了集成電路的代換技巧及原則。一、直接代換直接代換是指用其他IC不經(jīng)任何改動而直接取代原來的IC,代換后不影響機器的主要性能與指標。其代換原則是:代換IC的功能
本文介紹了集成電路的代換技巧及原則。一、直接代換直接代換是指用其他IC不經(jīng)任何改動而直接取代原來的IC,代換后不影響機器的主要性能與指標。其代換原則是:代換IC的功能
21ic訊,應用材料公司今天發(fā)布了兩款新系統(tǒng):AKT-20K™ TFE PECVD*和Applied AKT-40K™ TFE PECVD,主要面向高解析度、輕薄型電視和移動設備的柔性OLED顯示屏幕的批量生產(chǎn),能有效沉積薄膜封裝阻隔層,對保
據(jù)報道,英國啟動了一個稱之為“Gravia” 的新項目,旨在探討生產(chǎn)石墨烯封裝薄膜的可行性,主要用于下一代柔性OLED照明和顯示產(chǎn)品中。經(jīng)過一年的努力,Gravia項目合作伙伴預計到項目結束時可提供一種可行的
21ic訊,日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用小尺寸PowerPAK® 8x8封裝的600V E系列功率MOSFET---SiHH26N60E、SiHH21N60E、SiHH14N60E和SiHH11N60E。新的Vishay Siliconix SiH
Allegro MicroSystems, LLC 日前宣布推出適用于 A115x(A1152、A1153、A1156 和 A1157)系列兩線單極霍爾效應開關的全新封裝選項,為提高磁性開關點的精度,這些開關已經(jīng)過工廠預校。這些器件采用 Allegro先進的 BiCMOS 晶片制造工藝制成,此工藝應用了取得專利的高頻 4 相穩(wěn)定斬波技術。該技術能在整個工作溫度范圍內實現(xiàn)磁穩(wěn)定性,而且能徹底消除在惡劣應用環(huán)境下暴露的單霍爾元件裝置內的固有偏移。這種全新的封裝選項不僅無需使用外部電容器和相關的 PCB,而且能節(jié)省空間、組件數(shù)量和組裝成本,因此大大簡化了設計過程。
東芝推出了業(yè)內最小等級*1的超低電容TVS二極管(ESD保護二極管):DF2B7M2CL,它可用于保護移動設備(比如智能手機和可穿戴設備)用USB3.0/3.1、HDMI®*3、eSATA、DisplayPort,和Thunderbolt™*4高速接口免于ESD*5干擾。
東芝推出了用于驅動IPM的光耦“TLP2704”(智能功率模塊)。 TLP2704采用2.3mm厚的SO6L薄型封裝,從而促進了薄型化設計趨勢。因為該產(chǎn)品的爬電距離為8mm,隔離電壓為5kVrms,所以雖然采用了薄型封裝,但仍然適合用于要求高絕緣性能的應用。 TLP2704是具有集電極開路輸出的逆變器邏輯。憑借其1Mbps的數(shù)據(jù)傳輸數(shù)率,4.5至30V的廣泛電源電壓范圍,該產(chǎn)品適用于IPM驅動器。
東芝公司今日宣布研發(fā)全球首款*1運用硅通孔(TSV)技術的16顆粒(最大)堆疊式NAND閃存。將于8月11日至13日在美國圣克拉拉舉行的2015年閃存峰會(Flash Memory Summit 2015)上展示其原型。
21ic訊 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON),推出新的“一直聽”語音觸發(fā)系統(tǒng)級芯片(SoC)方案BelaSigna R281,設計用