DDR4時(shí)鐘串阻容：接地與接電源的選擇及核心作用

在DDR4內(nèi)存系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，時(shí)鐘信號(hào)作為核心同步基準(zhǔn)，其傳輸質(zhì)量直接決定系統(tǒng)穩(wěn)定性與性能上限。DDR4采用差分時(shí)鐘架構(gòu)，單端阻抗需控制在40~50Ω，差模阻抗75~95Ω，串接電阻電容的連接方式(接地或接電源)及參數(shù)選型，是保障信號(hào)完整性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。本文將深入解析阻容元件的核心作用，對比兩種連接方案的適用場景，為硬件設(shè)計(jì)提供技術(shù)參考。

使用運(yùn)算放大器存在哪些問題？有哪些注意事項(xiàng)？

運(yùn)算放大器(Operational Amplifier，簡稱 Op Amp)是一種電子元器件，它主要用于電子電路的信號(hào)放大、信號(hào)濾波、求和、差分、積分、微分等信號(hào)處理和控制等方面。

差分輸出儀表放大器

運(yùn)算放大器和儀表放大器有哪些區(qū)別?

差分電路版圖匹配

基于射頻收發(fā)機(jī)規(guī)格書，介紹射頻接收端口差分匹配電路計(jì)算方法

更小更快更省流量的差分升級(jí)

你的遠(yuǎn)程升級(jí)還在升級(jí)整個(gè)APP?快來試試差分升級(jí)，立功科技基于AMetal SDK提供了一套完整的差分升級(jí)算法，升級(jí)固件更小、下載速度更快、大大降低網(wǎng)絡(luò)不穩(wěn)定造成傳輸失敗概率，同時(shí)更節(jié)省內(nèi)存。

第一個(gè)差分對的線性度及HT電源

全差分BiCMOS采樣 保持電路仿真設(shè)計(jì)

集成運(yùn)算放大器的內(nèi)部單元電路——差分放大電路

一種典型的差分放大電路設(shè)計(jì)與測試

750MHz差分ADC驅(qū)動(dòng)器

DS16F95符合哪種差分總線收發(fā)器?

SN75ALS171/SN75ALS171A 3路差分總線收發(fā)器

高速差分信號(hào)線布線規(guī)則

高速PCB布線差分對走線

為了避免不理想返回路徑的影響，可以采用差分對走線。為了獲得較好的信號(hào)完整性，可以選用差分對來對高速信號(hào)進(jìn)行走線，如圖1所示，LVDS電平的傳輸就采用差分傳輸線的方式。圖1 差分對走線實(shí)例差分信號(hào)傳輸有很多優(yōu)點(diǎn)

基于Multisim的差分放大電路仿真分析

PCB設(shè)計(jì)解惑-差分信號(hào)剖析（2）

第二個(gè)好處，可以有較小的 EMI輻射干擾，由于數(shù)字信號(hào)在邏輯切換時(shí)，會(huì)因電壓變換產(chǎn)生電場，進(jìn)而產(chǎn)生 EMI輻射，對鄰近走線造成干擾[9,15]，如下圖[12] : 由于高速數(shù)字訊號(hào)邏輯切換速度越來越快，而邏輯切換速度越快，

差分信號(hào)與什么有關(guān)？

Separation 由[23]可知，差分訊號(hào)的阻抗，與間距會(huì)有關(guān)系，如下圖[27] :因此差分訊號(hào)的間距要維持固定，否則會(huì)因阻抗不連續(xù)而產(chǎn)生反射，進(jìn)而導(dǎo)致EMI幅射干擾加大[12]。另外，差分訊號(hào)的間距，不只與阻抗有關(guān)，也牽扯

探頭進(jìn)階之——差分和單端有源探頭的性能差別

引言 過去在使用高帶寬示波器和有源探頭進(jìn)行測量時(shí)，您可以選擇單端探頭或差分探頭。一般是用單端探頭測量單端信號(hào)（對地電壓），用差分探頭測量差分信號(hào)（正電壓—負(fù)電壓）。雖然也可以只買

G=1/2的差分輸出差動(dòng)放大器系統(tǒng)

采用小尺寸工藝設(shè)計(jì)的高性能ADC通常采用1.8V至5V單電源或±5V雙電源供電。為了處理±10 V或更大的實(shí)際信號(hào)，ADC一般前置一個(gè)放大器以衰減該信號(hào)，防止ADC輸入端

PCB設(shè)計(jì)解惑-差分信號(hào)剖析（4）

且 IQ訊號(hào)都會(huì)走差分形式，避免調(diào)變與解調(diào)精確度，因噪聲干擾而下降，亦即會(huì)有 I+、I-、Q+、Q- 四條訊號(hào)，如下圖 :由[16]可知，I+、I-、Q+、Q- 四條訊號(hào)線都必須等長，才能確保 IQ 訊號(hào)相位差為 90度，此時(shí)便如前述，