晶體管
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三星、臺積電將于2013年實(shí)現(xiàn)20納米工藝量產(chǎn)
據(jù)DigiTimes報道，三星將于2013年采用20納米技術(shù)，同時開始建造生產(chǎn)14納米晶體管的工廠。臺積電也會在2013年下半年開始采用20納米技術(shù)生產(chǎn)晶體管。當(dāng)前主流的智能手機(jī)芯片主要由高通和三星制造，高通的代工廠中，最出
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三星、臺積電將于2013年實(shí)現(xiàn)20納米工藝量產(chǎn)
據(jù)DigiTimes報道，三星將于2013年采用20納米技術(shù)，同時開始建造生產(chǎn)14納米晶體管的工廠。臺積電也會在2013年下半年開始采用20納米技術(shù)生產(chǎn)晶體管。當(dāng)前主流的智能手機(jī)芯片主要由高通和三星制造，高通的代工廠中，最出
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聯(lián)電否認(rèn)格羅方德參股傳言
晶圓代工廠聯(lián)電今天否認(rèn)格羅方德(GlobalFoundries)參股的傳言，表示雙方并沒有就參股進(jìn)行討論。 媒體報導(dǎo)，外資圈傳出，格羅方德可能與聯(lián)電策略聯(lián)盟，初期由格羅方德參股聯(lián)電，未來進(jìn)一步交叉持股。 聯(lián)電指出，14納
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用微變等效電路法分析放大電路
用微變等效電路分析法分析放大電路的關(guān)鍵在于正確地畫出放大電路的微變等效電路。具體方法是：首先畫出放大電路的交流通路，然后用晶體管的簡化h參數(shù)等效電路代替晶體管，并標(biāo)明電壓、電流的參考方向。應(yīng)用微變等效電
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晶體管的微變等效電路
得到了晶體管的h參數(shù)后，就可以畫出晶體管的線性等效電路，圖Z0214是晶體管的h參數(shù)等效電路。關(guān)于h參數(shù)等效電路，應(yīng)注意以下幾點(diǎn)：（1）電壓的參考極性為上正下負(fù)，電流的參考正方向是流入為正；（2）電路中出現(xiàn)了受
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晶體管的h參數(shù)
在合理設(shè)置靜態(tài)工作點(diǎn)和輸入為交流小信號的前提下，晶體管可等效為一個線性雙端口電路。如圖Z0212所示。晶體管的端口電壓和電流的關(guān)系可表示為如圖Z0213所示。h 參數(shù)的定義如圖Z0213。hie、hre、hfe、hoe 這4個參數(shù)稱
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輸出電壓的最大幅度與非線性失真分析
一、輸出電壓的最大幅度由圖Z0208所示（見十五）的分析過程可以看出，放大電路輸出信號電壓的幅度受到飽和區(qū)和截止區(qū)的限制。在給定電路參數(shù)的條件下，輸出電壓不產(chǎn)生明顯失真時的幅值稱為最大輸出幅度，常用峰值或峰
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交流通路與放大原理
有信號輸入時，放大電路的工作狀態(tài)稱為動態(tài)。動態(tài)時，電路中既有代表信號的交流分量，又有代表靜態(tài)偏置的直流分量。是交、直流共存狀態(tài)，盡管電路中既有交流分量，又有直流分量。由于電路中含有電抗性元件，因此，交
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直流通路與靜態(tài)工作點(diǎn)
無信號輸入(us=0)時，放大電路的工作狀態(tài)稱為靜態(tài)。靜態(tài)時，電路中各處的電壓、電流均為直流量。由于電路中的電容、電感等電抗元件對直流沒有影響，因此，對直流而言，放大電路中的電容可視為開路(電感可視為短路)，
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產(chǎn)能跟不上？GF明年上半年試產(chǎn)14nm工藝
AMD當(dāng)年就屢屢被落后的產(chǎn)能所拖累，而在晶圓廠獨(dú)立成GlobalFoundries之后，仍然擺脫不了工藝和產(chǎn)能跟不上的局面，多次導(dǎo)致新產(chǎn)品取消、推遲或者規(guī)格不達(dá)標(biāo)，不過，GF依然在不斷努力宣傳美好的未來，現(xiàn)在又保證明年上
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GF14nm FinFET技術(shù) 明年上半年試產(chǎn)14nm工藝
AMD當(dāng)年就屢屢被落后的產(chǎn)能所拖累，而在晶圓廠獨(dú)立成GlobalFoundries之后，仍然擺脫不了工藝和產(chǎn)能跟不上的局面，多次導(dǎo)致新產(chǎn)品取消、推遲或者規(guī)格不達(dá)標(biāo)，不過，GF依然在不斷努力宣傳美好的未來，現(xiàn)在又保證明年上
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基本放大電路的組成
利用放大器件工作在放大區(qū)時所具有的電流（或電壓）控制特性，可以實(shí)現(xiàn)放大作用，因此，放大器件是放大電路中必不可少的器；為了保證器件工作在放大區(qū)，必須通過直流電源給器件提供適當(dāng)?shù)钠秒妷夯螂娏?，這就需要有
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國產(chǎn)IGBT廠商開始小批量銷售
“十二五”規(guī)劃出臺以后，國家對新能源、新型軌道交通等新興行業(yè)的發(fā)展非常重視，同時，“節(jié)能減排”工作也深入開展，中國開始從粗放型用電到精細(xì)化用電轉(zhuǎn)型。包括IGBT等半導(dǎo)體功率器件作為關(guān)鍵部件，受到了國家的重
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國產(chǎn)IGBT廠商開始小批量銷售
“十二五”規(guī)劃出臺以后，國家對新能源、新型軌道交通等新興行業(yè)的發(fā)展非常重視，同時，“節(jié)能減排”工作也深入開展，中國開始從粗放型用電到精細(xì)化用電轉(zhuǎn)型。包括IGBT等半導(dǎo)體功率器件作為關(guān)
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國產(chǎn)IGBT廠商開始小批量銷售
“十二五”規(guī)劃出臺以后，國家對新能源、新型軌道交通等新興行業(yè)的發(fā)展非常重視，同時，“節(jié)能減排”工作也深入開展，中國開始從粗放型用電到精細(xì)化用電轉(zhuǎn)型。包括IGBT等半導(dǎo)體功率器件作為關(guān)鍵
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臺積加碼南科5千億 增7千職缺
半導(dǎo)體景氣起伏，臺積電率先加碼南科，晶圓十四廠第五、六期廠房昨上梁、動土，七期預(yù)計(jì)明年第一季動工，五年內(nèi)投資超過五千億元。臺積電共同營運(yùn)長蔣尚義強(qiáng)調(diào)，晶圓十四廠將是全球第一個量產(chǎn)廿納米芯片基地，可提供
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臺積加碼南科5千億 增7千職缺
半導(dǎo)體景氣起伏，臺積電率先加碼南科，晶圓十四廠第五、六期廠房昨上梁、動土，七期預(yù)計(jì)明年第一季動工，五年內(nèi)投資超過五千億元。臺積電共同營運(yùn)長蔣尚義強(qiáng)調(diào)，晶圓十四廠將是全球第一個量產(chǎn)廿納米芯片基地，可提供
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互補(bǔ)對稱功率放大電路
互補(bǔ)對稱功率放大電路單管甲類功率放大電路雖然簡單，只需要一個功率管便可工作。由于它的效率低，而且為了實(shí)現(xiàn)阻抗匹配，需要用變壓器，而變壓器具有體積大、重量重、頻率特性差、耗費(fèi)金屬材料、加工制造麻煩等缺點(diǎn)
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車載數(shù)碼相機(jī)充電適配器設(shè)計(jì)
附圖為數(shù)碼相機(jī)充電適配器電路。電路采用一對晶體管差分放大器和一級電流放大器.分別輸出恒定的電壓和要求的電流。晶體管T1和T2構(gòu)成一對差分放大器.T1基極電壓由穩(wěn)壓二極管
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IBM新型碳納米管芯片：單芯片上制造上萬晶體管
11月4 日消息，美國 IBM 公司使用標(biāo)準(zhǔn)的主流半導(dǎo)體工藝，將一萬多個碳納米管打造的晶體管精確放置在了一顆芯片內(nèi)，并且通過了測試。多年來，我們的芯片都根據(jù)摩爾定律發(fā)展：從以前的微米單位到現(xiàn)在的納米單位，從以往
- 是德科技創(chuàng)新技術(shù)峰會來襲，報名領(lǐng)好禮
- 安富利3kW模擬電源供應(yīng)器（PSU）解決方案開發(fā)板來襲，申請領(lǐng)好禮
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