晶體管

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晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)（如Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合，而且開(kāi)關(guān)速度可以非常快，實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。2016年，勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)打破了物理極限，將現(xiàn)有的最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm，完成了計(jì)算技術(shù)界的一大突破。

SoC已有眉目微細(xì)化至10nm無(wú)需3D晶體管

SoC（systemonachip）是智能手機(jī)及平板電腦等移動(dòng)產(chǎn)品的心臟。推動(dòng)其低成本化和高性能化的微細(xì)化技術(shù)又有了新選擇。那就是最近意法半導(dǎo)體（ST）已開(kāi)始面向28nm工藝SoC量產(chǎn)的完全耗盡型SOI（fullydepletedsilicononin

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2012-12-21

晶體管 SoC DSO FINFET
美開(kāi)發(fā)出“4維”晶體管，或引領(lǐng)半導(dǎo)體新潮流

作為現(xiàn)代歷史中最偉大的發(fā)明之一，晶體管可以使用高度自動(dòng)化的過(guò)程進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)，因而可以不可思議地達(dá)到極低的單位成本。而低成本、靈活性和可靠性使得其成為非機(jī)械任務(wù)的通用器件，例如數(shù)字計(jì)算。在控制電器和機(jī)

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2012-12-21

半導(dǎo)體 MDASH 晶體管
SoC已有眉目微細(xì)化至10nm無(wú)需3D晶體管

SoC（system on a chip）是智能手機(jī)及平板電腦等移動(dòng)產(chǎn)品的心臟。推動(dòng)其低成本化和高性能化的微細(xì)化技術(shù)又有了新選擇。那就是最近意法半導(dǎo)體（ST）已開(kāi)始面向28nm工藝SoC量產(chǎn)的完全耗盡型SOI（fully depleted silico

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2012-12-21

晶體管 SoC DSO FINFET
美研制出新型“4維”晶體管

據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)報(bào)道，美國(guó)普渡大學(xué)和哈佛大學(xué)的研究人員推出了一項(xiàng)極為應(yīng)景的新發(fā)明：一種外形如同一顆圣誕樹(shù)一樣的新型晶體管，其重要組件“門”(柵極)的長(zhǎng)度縮減到了突破性的20納米。這個(gè)被稱為&ldquo

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2012-12-20

計(jì)算機(jī) MDASH 晶體管
自激振蕩的建立和振幅的穩(wěn)定

上面的分析中，是先假定有一個(gè)輸入信號(hào)經(jīng)放大后，再由反饋網(wǎng)絡(luò)送回到輸入端而形成穩(wěn)定振蕩的。事實(shí)上自激振蕩的起振是不需要外加信號(hào)激勵(lì)的。那么自激振蕩是如何建立的呢？原來(lái)，電源接通或元件的起伏噪聲引起的電擾

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2012-12-19

線性自激振蕩正弦波晶體管
有源濾波電路

為了提高濾波效果，解決π型RC濾波電路中交、直流分量對(duì)R的要求相互矛盾的問(wèn)題，在RC電路中增加了有源器件-晶體管，形成了RC有源濾波電路。常見(jiàn)的RC有源濾波電路如圖Z0716所示，它實(shí)質(zhì)上是由C1、Rb、C2組成的π型

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2012-12-18

回路有源濾波電路 BETA 晶體管
TriQuint推出具有卓越增益的新氮化鎵晶體管

21ic訊 TriQuint半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克代碼：TQNT)，推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化鎵 (GaN) HEMT 射頻功率晶體管產(chǎn)品。TriQuint的氮化鎵晶體管可使放大器的尺寸減半，同時(shí)改進(jìn)效率和增益。這些新的

通信技術(shù)
2012-12-18

氮化鎵 BSP TRIQUINT 晶體管
LDO線性穩(wěn)壓器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及分類

LDO線性穩(wěn)壓器通常被設(shè)計(jì)工程師作為輔助措施，并且經(jīng)常被選用于產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的后期階段。設(shè)計(jì)工程師比較關(guān)注的是如何使復(fù)雜的基頻(BB) 或射頻( RF )ASIC 發(fā)揮作用，而不是其所選

線性電源
2012-12-17

器件拓?fù)?/a> LDO線性穩(wěn)壓器晶體管
臺(tái)積電在硅基板上實(shí)現(xiàn)鍺溝道FinFET，證實(shí)良好的晶體管特性

臺(tái)積電（Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.）在“IEDM 2012”上公布，使用與硅基FinFET相同的工藝技術(shù)在硅基板上制成了鍺溝道FinFET，并獲得了出色的晶體管特性（論文編號(hào)：23.5）。臺(tái)積電表示，電導(dǎo)率/

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2012-12-17

臺(tái)積電硅基基板晶體管
ARM悠著點(diǎn) 英特爾準(zhǔn)備將3D晶體管技術(shù)引入移動(dòng)處理器

沒(méi)能趕上移動(dòng)處理器市場(chǎng)蓬勃發(fā)展的快班車，大概是英特爾近年來(lái)最大的失誤?，F(xiàn)在ARM不但占據(jù)了利潤(rùn)豐厚的手機(jī)/平板處理器業(yè)務(wù)，還反過(guò)來(lái)對(duì)英特爾的傳統(tǒng)業(yè)務(wù)（服務(wù)器等）虎視眈眈。作為業(yè)界老大，英特爾豈能咽下這口氣

消費(fèi)電子
2012-12-16

移動(dòng) ARM 處理器晶體管
電源噪聲的危害性分析

芯片發(fā)展的一個(gè)大趨勢(shì)就是集成度越來(lái)越高，內(nèi)部晶體管數(shù)量越來(lái)越大。芯片的外部引腳數(shù)量有限，為每一個(gè)晶體管提供單獨(dú)的供電引腳是不現(xiàn)實(shí)的。芯片的外部電源引腳提供給內(nèi)部

電源
2012-12-12

芯片引腳電源噪聲晶體管
一款由分立晶體管的電流控制的方式電路圖

一款由分立晶體管的電流控制的方式電路圖

控制電路
2012-12-11

電路圖電流控制 WIDTH 晶體管
功率放大電路概述

前面討論的各種放大電路的主要任務(wù)是使負(fù)載上獲得盡可能大的不大真電壓信號(hào)，它們的主要指標(biāo)是電壓放大倍數(shù)。而功率放大電路的主要任務(wù)則是，在允許的失真限度內(nèi)，盡可能高效率地向負(fù)載提供足夠大的功率。因此，功率

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2012-12-11

輸出功率靜態(tài)工作點(diǎn) 功率放大電路晶體管
美研制出新型“4維”晶體管

據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)12月6日（北京時(shí)間）報(bào)道，美國(guó)普渡大學(xué)和哈佛大學(xué)的研究人員推出了一項(xiàng)極為應(yīng)景的新發(fā)明：一種外形如同一顆圣誕樹(shù)一樣的新型晶體管，其重要組件“門”（柵極）的長(zhǎng)度縮減到了突破性的20納

消費(fèi)電子
2012-12-11

計(jì)算機(jī) MDASH 晶體管
臺(tái)積電公布16-10nm FinFET及3D IC提供日程

在“SEMICONJapan2012”（2012年12月5～7日，幕張MESSE國(guó)際會(huì)展中心）開(kāi)幕當(dāng)天，臺(tái)積電研發(fā)副總經(jīng)理侯永清(CliffHou)登臺(tái)發(fā)表了主題演講，公布了該公司關(guān)于16～10nmFinFET工藝及CoWoS（chiponwaferonsubstrate，晶圓

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2012-12-10

臺(tái)積電 IC 晶體管 FINFET
三星、臺(tái)積電將于2013年實(shí)現(xiàn)20納米工藝量產(chǎn)

據(jù)DigiTimes報(bào)道，三星將于2013年采用20納米技術(shù)，同時(shí)開(kāi)始建造生產(chǎn)14納米晶體管的工廠。臺(tái)積電也會(huì)在2013年下半年開(kāi)始采用20納米技術(shù)生產(chǎn)晶體管。當(dāng)前主流的智能手機(jī)芯片主要由高通和三星制造，高通的代工廠中，

消費(fèi)電子
2012-12-10

三星臺(tái)積電納米技術(shù) 晶體管
臺(tái)積電公布16-10nm FinFET及3D IC提供日程

在“SEMICON Japan 2012”（2012年12月5～7日，幕張MESSE國(guó)際會(huì)展中心）開(kāi)幕當(dāng)天，臺(tái)積電研發(fā)副總經(jīng)理侯永清(Cliff Hou)登臺(tái)發(fā)表了主題演講，公布了該公司關(guān)于16～10nm FinFET工藝及CoWoS（chip on wafer on substra

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2012-12-10

臺(tái)積電 IC 晶體管 FINFET
三星、臺(tái)積電將于2013年實(shí)現(xiàn)20納米工藝量產(chǎn)

據(jù)DigiTimes報(bào)道，三星將于2013年采用20納米技術(shù)，同時(shí)開(kāi)始建造生產(chǎn)14納米晶體管的工廠。臺(tái)積電也會(huì)在2013年下半年開(kāi)始采用20納米技術(shù)生產(chǎn)晶體管。當(dāng)前主流的智能手機(jī)芯片主要由高通和三星制造，高通的代工廠中，最出

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2012-12-09

三星臺(tái)積電納米技術(shù) 晶體管
基于全耗盡平面晶體管技術(shù)的NovaThor平臺(tái)設(shè)計(jì)

隨著智能手機(jī)功能最近不斷升級(jí)演化，消費(fèi)者的期望值日益攀升。速度更快的多核高主頻CPU處理器、令人震撼的3D圖形、全高清多媒體和高速寬帶現(xiàn)已成為高端手機(jī)的標(biāo)配。同時(shí)，消費(fèi)者還期望手機(jī)纖薄輕盈，電池續(xù)航能力至少

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2012-12-07

泄漏電流 HP NOVA 晶體管
三星、臺(tái)積電將于2013年實(shí)現(xiàn)20納米工藝量產(chǎn)

據(jù)DigiTimes報(bào)道，三星將于2013年采用20納米技術(shù)，同時(shí)開(kāi)始建造生產(chǎn)14納米晶體管的工廠。臺(tái)積電也會(huì)在2013年下半年開(kāi)始采用20納米技術(shù)生產(chǎn)晶體管。當(dāng)前主流的智能手機(jī)芯片主要由高通和三星制造，高通的代工廠中，最出

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2012-12-07

三星臺(tái)積電納米技術(shù) 晶體管

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晶體管

SoC已有眉目微細(xì)化至10nm無(wú)需3D晶體管

美開(kāi)發(fā)出“4維”晶體管，或引領(lǐng)半導(dǎo)體新潮流

SoC已有眉目微細(xì)化至10nm無(wú)需3D晶體管

美研制出新型“4維”晶體管

自激振蕩的建立和振幅的穩(wěn)定

有源濾波電路

TriQuint推出具有卓越增益的新氮化鎵晶體管

LDO線性穩(wěn)壓器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及分類

臺(tái)積電在硅基板上實(shí)現(xiàn)鍺溝道FinFET，證實(shí)良好的晶體管特性

ARM悠著點(diǎn) 英特爾準(zhǔn)備將3D晶體管技術(shù)引入移動(dòng)處理器

電源噪聲的危害性分析

一款由分立晶體管的電流控制的方式電路圖

功率放大電路概述

美研制出新型“4維”晶體管

臺(tái)積電公布16-10nm FinFET及3D IC提供日程

三星、臺(tái)積電將于2013年實(shí)現(xiàn)20納米工藝量產(chǎn)

臺(tái)積電公布16-10nm FinFET及3D IC提供日程

三星、臺(tái)積電將于2013年實(shí)現(xiàn)20納米工藝量產(chǎn)

基于全耗盡平面晶體管技術(shù)的NovaThor平臺(tái)設(shè)計(jì)

三星、臺(tái)積電將于2013年實(shí)現(xiàn)20納米工藝量產(chǎn)

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