晶體管

我要報(bào)錯(cuò)

晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)（如Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合，而且開(kāi)關(guān)速度可以非?？?，實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。2016年，勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)打破了物理極限，將現(xiàn)有的最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm，完成了計(jì)算技術(shù)界的一大突破。

三星：也來(lái)看看我們的14nm晶圓吧

通用平臺(tái)技術(shù)論壇上，IBM展示了14nm FinFET晶圓和可彎曲的28nm晶圓，GlobalFoundries吹噓了自己14nm工藝的高能效和28nm工藝對(duì)Cortex-A15的貢獻(xiàn)，三星也擺出了自己的14nm晶圓。和Intel、IBM(還有臺(tái)積電16nm)一樣，三星

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2013-02-08

三星晶圓 IBM 晶體管
利用阻性負(fù)載增強(qiáng)LNA穩(wěn)定性(下)

本文提出了一個(gè)預(yù)測(cè)在放大器的輸入和輸出端口增加阻性負(fù)載以改善穩(wěn)定性和噪聲指數(shù)的新方法。該方法在寬廣的頻率范圍內(nèi)有效，能夠用于低噪聲放大器(LNA)和寬帶放大器。后續(xù)小節(jié)中的結(jié)果可從Friis噪聲方程

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2013-01-29

BSP HZ AGILENT 晶體管
利用阻性負(fù)載增強(qiáng)LNA穩(wěn)定性(中)

本文提出了一個(gè)預(yù)測(cè)在放大器的輸入和輸出端口增加阻性負(fù)載以改善穩(wěn)定性和噪聲指數(shù)的新方法。該方法在寬廣的頻率范圍內(nèi)有效，能夠用于低噪聲放大器(LNA)和寬帶放大器。對(duì)于微波放大器噪聲性能經(jīng)常是一個(gè)

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2013-01-29

離散反射 BSP 晶體管
利用阻性負(fù)載增強(qiáng)LNA穩(wěn)定性(上)

本文提出了一個(gè)預(yù)測(cè)在放大器的輸入和輸出端口增加阻性負(fù)載以改善穩(wěn)定性和噪聲指數(shù)的新方法。該方法在寬廣的頻率范圍內(nèi)有效，能夠用于低噪聲放大器(LNA)和寬帶放大器。設(shè)計(jì)一個(gè)有效的低噪聲放大

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2013-01-29

BSP HZ 晶體管
制作50W晶體管功放電路

此功法電路可謂一裝即成，特別適合初學(xué)者制作。這款功放一聲道只需17個(gè)零件，卻收到了意想不到的效果，還音效果真實(shí)，頻響平直，解析力高，且功率可以達(dá)到50W。具體電路如圖(只畫(huà)出一聲道)，全機(jī)用1/2W電阻，C2和C4用

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2013-01-22

電路聲道功放電路晶體管
GlobalFoundries 20nm/14nm晶圓亮劍

GlobalFoundries的工藝進(jìn)展緩慢一直備受詬病，也坑壞了AMD，不過(guò)人家也在一直努力爭(zhēng)取，并屢屢向外界展示自己的進(jìn)展。近日，GlobalFoundries又首次公開(kāi)了20nm、14nm工藝的晶圓實(shí)物。不過(guò)，GlobalFoundries并未

消費(fèi)電子
2013-01-18

AMD GLOBALFOUNDRIES 晶圓晶體管
GlobalFoundries 20nm/14nm晶圓亮劍

GlobalFoundries的工藝進(jìn)展緩慢一直備受詬病，也坑壞了AMD，不過(guò)人家也在一直努力爭(zhēng)取，并屢屢向外界展示自己的進(jìn)展。近日，GlobalFoundries又首次公開(kāi)了20nm、14nm工藝的晶圓實(shí)物。不過(guò)，GlobalFoundries并未提供多

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-01-17

AMD GLOBALFOUNDRIES 晶圓晶體管
三星與Synopsys實(shí)現(xiàn)首次14納米FinFET成功流片

新思科技公司(Synopsys, Inc)日前宣布：該公司與三星在FinFET技術(shù)上的多年合作已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了一個(gè)關(guān)鍵性的里程碑，即采用三星的14LPE工藝成功實(shí)現(xiàn)了首款測(cè)試芯片的流片。雖然FinFET工藝較傳統(tǒng)的平面工藝在功耗與性能上明

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-01-10

FINFET SYNOPSYS 三星晶體管
三星與Synopsys合作實(shí)現(xiàn)首次14納米FinFET成功流片

　　亮點(diǎn)：該里程碑有助于加速對(duì)FinFET技術(shù)的采用，以實(shí)現(xiàn)更快和更高能效的系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)該合作為3D器件建模和物理設(shè)計(jì)規(guī)則支持奠定了基礎(chǔ)測(cè)試芯片驗(yàn)證了FinFET工藝和Synopsys® DesignWare®嵌入式存儲(chǔ)器的

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-01-10

FINFET SYNOPSYS 三星晶體管
三星與Synopsys合作實(shí)現(xiàn)首次14納米FinFET成功流片

加利福尼亞州山景城，2013年1月— 亮點(diǎn)： ? 該里程碑有助于加速對(duì)FinFET技術(shù)的采用，以實(shí)現(xiàn)更快和更高能效的系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC） ? 該合作為3D器件建模和物理設(shè)計(jì)規(guī)則支持奠定了基礎(chǔ) ? 測(cè)試芯片驗(yàn)證了FinFET工藝和

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2013-01-09

FINFET SYNOPSYS 三星晶體管
美開(kāi)發(fā)出迄今最小砷化銦鎵晶體管

硅半導(dǎo)體作為微芯片之王的日子已經(jīng)屈指可數(shù)了，據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)近日?qǐng)?bào)道，美國(guó)麻省理工學(xué)院科學(xué)家開(kāi)發(fā)出了有史以來(lái)最小的砷化銦鎵晶體管。該校微系統(tǒng)技術(shù)實(shí)驗(yàn)室科研團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)的這個(gè)復(fù)合晶體管，長(zhǎng)度僅為22納米。研究

消費(fèi)電子
2012-12-30

器件電極柵極晶體管
醫(yī)療科技發(fā)展史

從最廣義的角度上看，醫(yī)藥和健康科技的歷史是很久遠(yuǎn)的。最近相關(guān)方面證實(shí)，世界上最古老的「假肢」是古埃及人的以木頭、皮制的腳趾假體，而它出現(xiàn)的日子是公元前950年!雖然最近幾十年來(lái)醫(yī)療科技的發(fā)展之快是古代無(wú)法

醫(yī)療電子
2012-12-28

互聯(lián)網(wǎng) X射線(xiàn) BSP 晶體管
SoC已有眉目微細(xì)化至10nm無(wú)需3D晶體管

SoC(systemonachip)是智能手機(jī)及平板電腦等移動(dòng)產(chǎn)品的心臟。推動(dòng)其低成本化和高性能化的微細(xì)化技術(shù)又有了新選擇。那就是最近意法半導(dǎo)體(ST)已開(kāi)始面向28nm工藝SoC量產(chǎn)的完全耗盡型SOI(fullydepletedsilicononinsu

消費(fèi)電子
2012-12-25

SoC DSO FINFET 晶體管
FDSOI技術(shù)推進(jìn)SoC微細(xì)化至10nm工藝無(wú)需3D晶體管

近日意法半導(dǎo)體(ST)已開(kāi)始面向28nm工藝SoC量產(chǎn)的完全耗盡型SOI(fullydepletedsilicononinsulator：FDSOI)技術(shù)，使得作為智能手機(jī)及平板電腦等移動(dòng)產(chǎn)品心臟的SoC(systemonachip)，在推動(dòng)其低成本化和高性能化的微細(xì)化

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2012-12-24

SoC DSO FINFET 晶體管
SoC已有眉目微細(xì)化至10nm無(wú)需3D晶體管

SoC(systemonachip)是智能手機(jī)及平板電腦等移動(dòng)產(chǎn)品的心臟。推動(dòng)其低成本化和高性能化的微細(xì)化技術(shù)又有了新選擇。那就是最近意法半導(dǎo)體(ST)已開(kāi)始面向28nm工藝SoC量產(chǎn)的完全耗盡型SOI(fullydepletedsilicononinsulat

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2012-12-24

SoC DSO FINFET 晶體管
SoC已有眉目微細(xì)化至10nm無(wú)需3D晶體管

SoC（systemonachip）是智能手機(jī)及平板電腦等移動(dòng)產(chǎn)品的心臟。推動(dòng)其低成本化和高性能化的微細(xì)化技術(shù)又有了新選擇。那就是最近意法半導(dǎo)體（ST）已開(kāi)始面向28nm工藝SoC量產(chǎn)的完全耗盡型SOI（fullydepletedsilicononin

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2012-12-24

SoC DSO FINFET 晶體管
臺(tái)積電或成蘋(píng)果新伙伴明年底展開(kāi)合作

北京時(shí)間12月21日消息，據(jù)華爾街日?qǐng)?bào)報(bào)道稱(chēng)，近期有關(guān)臺(tái)積電（TSMC）有望將蘋(píng)果納入客戶(hù)群的猜測(cè)不斷浮現(xiàn)，但是分析師稱(chēng)雙方合作可能要等到明年底。全球最大芯片代工商臺(tái)積電（TSMC）一直對(duì)客戶(hù)的關(guān)系含糊其辭，但是

消費(fèi)電子
2012-12-22

蘋(píng)果平板電腦臺(tái)積電晶體管
閱讀秘書(shū)／FinFET

3D鰭式晶體管（FinFET）是新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體（CMOS）晶體管技術(shù)。相較于傳統(tǒng)晶體管若要控制電流通過(guò)閘門(mén)，只能選擇在閘門(mén)的一側(cè)來(lái)控制，屬于平面式的結(jié)構(gòu)；3D FinFET的閘門(mén)，是類(lèi)似魚(yú)鰭般的三面立體式的設(shè)計(jì)，能大

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2012-12-22

閘門(mén) CMOS FINFET 晶體管
變頻電路

晶體三極管變頻器的實(shí)際電路主要有兩類(lèi)：本振電壓由單獨(dú)振蕩器產(chǎn)生的他激式變頻器和本振電壓由變頻管自身產(chǎn)生的自激式變頻器，它們都可接成共基極或共發(fā)射極電路。他激式變頻電路比較復(fù)雜，但uS和uL之間牽連作用小，

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2012-12-21

電壓變頻器變頻電路晶體管
調(diào)幅電路

任何一種非線(xiàn)性器件都可以用來(lái)產(chǎn)生調(diào)幅彼。晶體管是一種非線(xiàn)性器件，只要讓其工作在非線(xiàn)性（甲乙類(lèi)，乙類(lèi)或丙類(lèi)）狀態(tài)下，即可用它構(gòu)成調(diào)幅電路。一般總是把高頻載波信號(hào)和調(diào)制信號(hào)分別加在諧振功率放大器的晶體管的

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2012-12-21

回路調(diào)幅電路調(diào)制信號(hào) 晶體管

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晶體管

三星：也來(lái)看看我們的14nm晶圓吧

利用阻性負(fù)載增強(qiáng)LNA穩(wěn)定性(下)

利用阻性負(fù)載增強(qiáng)LNA穩(wěn)定性(中)

利用阻性負(fù)載增強(qiáng)LNA穩(wěn)定性(上)

制作50W晶體管功放電路

GlobalFoundries 20nm/14nm晶圓亮劍

GlobalFoundries 20nm/14nm晶圓亮劍

三星與Synopsys實(shí)現(xiàn)首次14納米FinFET成功流片

三星與Synopsys合作實(shí)現(xiàn)首次14納米FinFET成功流片

三星與Synopsys合作實(shí)現(xiàn)首次14納米FinFET成功流片

美開(kāi)發(fā)出迄今最小砷化銦鎵晶體管

醫(yī)療科技發(fā)展史

SoC已有眉目微細(xì)化至10nm無(wú)需3D晶體管

FDSOI技術(shù)推進(jìn)SoC微細(xì)化至10nm工藝無(wú)需3D晶體管

SoC已有眉目微細(xì)化至10nm無(wú)需3D晶體管

SoC已有眉目微細(xì)化至10nm無(wú)需3D晶體管

臺(tái)積電或成蘋(píng)果新伙伴明年底展開(kāi)合作

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變頻電路

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