雙變壓器晶體管逆變電源電路

實用晶體管逆變電源電路

晶體管交流調(diào)壓器電路

500W晶體管逆變電源

晶體管特性曲線圖示儀電路

如何構(gòu)建基于單個區(qū)域晶體管報警器

如何構(gòu)建基于單個區(qū)域晶體管報警器　　說明　　該電路具有自動出/入延誤 - 計時貝爾/警報器截止 - 和系統(tǒng)重置。它為常開和常閉開關(guān)提供 - 并將滿足通常的輸入設(shè)備(壓力墊，磁簧，鋁箔膠帶，PIRs和慣性傳感器)。歡迎轉(zhuǎn)

如何建立個人報警器

　如何建立個人報警器　　零件：　　1/4W電阻R1的33萬　　1/4W電阻R2的100轉(zhuǎn)　　C1的10nF的63V或陶瓷電容器聚酯　　C2的100μF的25V的電解電容　　第一季度BC547 45V的一○○毫安NPN晶體管　　第二季度BC327 45V的

雙變壓器晶體管逆變電源電路

實用晶體管逆變電源電路

晶體管交流調(diào)壓器電路

500W晶體管逆變電源

如何建立一個可擴展的基于晶體管的防盜報警器

　　如何建立一個可擴展的基于晶體管的防盜報警器　　這是一個簡單的晶體管的防盜報警電路。它的功能包括自動出入境延誤 - 貝爾一起定時切斷復(fù)位。它的設(shè)計是與常閉輸入設(shè)備類型，如通常使用 - 磁簧觸點 - 微動開關(guān)

如何建立一個可擴展的基于晶體管的防盜報警器

　　如何建立一個可擴展的基于晶體管的防盜報警器　　這是一個簡單的晶體管的防盜報警電路。它的功能包括自動出入境延誤 - 貝爾一起定時切斷復(fù)位。它的設(shè)計是與常閉輸入設(shè)備類型，如通常使用 - 磁簧觸點 - 微動開關(guān)

用LED對手電筒進(jìn)行改進(jìn)

這里描述的電源把電壓從一節(jié)手電筒電池的1.5伏提高到LED所需的3.5伏，同時用電源把LED和手電筒電池串聯(lián)起來。設(shè)計這種電路是為了用LED對手電筒進(jìn)行改進(jìn)。增壓電路在有兩節(jié)電池的手電筒中將代替的一節(jié)電池，LED裝置則

制作40W晶體管Hi-Fi功率放大器的原理

該放大器在較高的輸出下能保持高保真的素質(zhì)，可以對4Ω／8Ω的負(fù)載提供2×73／44瓦的輸出功率，失調(diào)電壓小于土40mV，輸入阻抗為100kΩ，諧波失真小于0．015％，互調(diào)失真小于0.02％，頻率范圍為1

間歇振蕩器工作原理

間歇振蕩器工作原理 在圖8 - 9(a)中, 晶體管工作于共發(fā)射極方式, 其集電極電壓通過變壓器T反饋回基極, 而變壓器繞組的接法應(yīng)實現(xiàn)正反饋。 當(dāng)電路一接通, 立即產(chǎn)生強烈的自激振蕩, 晶體管迅速進(jìn)入飽和工作區(qū), 集電極

恩智浦推出超高頻晶體管BLF888A

恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors今天宣布推出廣播發(fā)射機和工業(yè)用600W LDMOS超高頻(UHF)射頻功率晶體管BLF888A。恩智浦BLF888A是目前市場上功能最強大的LDMOS廣播發(fā)射機晶體管，支持470 - 860MHz完整超高頻帶DVB-T信號

法機構(gòu)將于明年9月啟動基于20nm FDSOI的300mm多項目晶片研究計劃

法國兩家半導(dǎo)體研究機構(gòu)CEA-Leti和Circuits Multi Projets日前宣布，他們將在一項定于明年9月份啟動的300mm多項目晶片研究計劃中采用基于20nm制程的全耗盡型SOI工藝制作這種芯片。這次 多項目晶片研究計劃是由歐洲一

120W DVB-T輸出功率LDMOS超高頻晶體管（恩智浦）

恩智浦半導(dǎo)體宣布推出廣播發(fā)射機和工業(yè)用600W LDMOS超高頻(UHF)射頻功率晶體管BLF888A。恩智浦BLF888A是目前市場上功能最強大的LDMOS廣播發(fā)射機晶體管，支持470 - 860MHz完整超高頻帶DVB-T信號，平均輸出功率120W，效

與非門組成晶體管速測器電路圖

圖中所示是用CMOS反相器組成的晶體管速測器.CMOS電路采用J330,該電路在設(shè)計上考慮到要驅(qū)動TTL門電路,故輸出電流可達(dá)10MA以上.該晶體管速測器既可測晶體管的好壞,還可自動指示出晶體管的類型,基極位置或二極管的極性等