晶體管

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晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(guān)（如Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號來控制自身的開合，而且開關(guān)速度可以非?？欤瑢嶒炇抑械那袚Q速度可達(dá)100GHz以上。2016年，勞倫斯伯克利國家實驗室的一個團隊打破了物理極限，將現(xiàn)有的最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm，完成了計算技術(shù)界的一大突破。

奔騰4芯片"動態(tài)邏輯電路"涉嫌侵權(quán)遭起訴

奔騰4芯片"動態(tài)邏輯電路"涉嫌侵權(quán)遭起訴

嵌入式動態(tài)
2010-07-21

芯片邏輯電路 BSP 晶體管
半導(dǎo)體成本上升而價格繼續(xù)下降

作者：Walden C Rhines，Mentor Graphics(EDA設(shè)計公司)的董事長及CEO，2008年它的銷售額為7.89億美元。在它的任期中公司的銷售額增長一倍，自1999年以來在全球三家EDA公司(Big 3) 中其增長率是最快的。在加入Mentor之

半導(dǎo)體
2010-07-20

半導(dǎo)體 MENTOR 晶體管
全新20V NPN及PNP雙極晶體管（Diodes）

Diodes公司推出全新20V NPN及PNP雙極晶體管，它們采用超小型DFN1411-3表面貼裝封裝，能大大提升電源管理電路的功率密度和效率。該器件采用了Diodes第五代矩陣射極雙極工藝設(shè)計 (5 matrix emitter Bipolar process)。

模擬
2010-07-19

器件 DIODES BSP 晶體管
采用運算放大器和達(dá)林頓晶體管的恒流源

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電源電路
2010-07-19

恒流源運算放大器 WIDTH 晶體管
采用雙極性晶體管的基準(zhǔn)電源

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電源電路
2010-07-19

電源 WIDTH 晶體管
采用互補晶體管的基準(zhǔn)電源

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電源電路
2010-07-19

電源 WIDTH 晶體管
全新20V NPN及PNP雙極晶體管（Diodes）

Diodes公司推出全新20V NPN及PNP雙極晶體管，它們采用超小型DFN1411-3表面貼裝封裝，能大大提升電源管理電路的功率密度和效率。該器件采用了Diodes第五代矩陣射極雙極工藝設(shè)計 (5 matrix emitter Bipolar process)。

電源
2010-07-17

器件 DIODES BSP 晶體管
全新20V NPN及PNP雙極晶體管（Diodes）

Diodes公司推出全新20V NPN及PNP雙極晶體管，它們采用超小型DFN1411-3表面貼裝封裝，能大大提升電源管理電路的功率密度和效率。該器件采用了Diodes第五代矩陣射極雙極工藝設(shè)計 (5 matrix emitter Bipolar process)。

功率器件
2010-07-17

器件 DIODES BSP 晶體管
支持B類CPU卡的5 V接觸式讀寫器設(shè)計

針對A類接口的讀寫器不能對B類CPU卡進(jìn)行讀寫的問題,介紹一種可以對3 V的B類卡片進(jìn)行讀寫的5 V 接觸式IC卡讀寫器，闡述了其硬件電路結(jié)構(gòu)和單片機固件程序，介紹了對其進(jìn)行操作的簡單上位機軟件。實驗結(jié)果表明，該讀寫器結(jié)構(gòu)簡單、性能穩(wěn)定，對研制可同時操作3 V/5 V卡片的AB類接口設(shè)備有指導(dǎo)意義。

通信技術(shù)
2010-07-06

CPU 讀寫器 BSP 晶體管
SoC用低電壓SRAM技術(shù)

東芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上，發(fā)布了采用09年開始量產(chǎn)的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術(shù)。該技術(shù)為主要用于便攜產(chǎn)品及消費類產(chǎn)品的低功耗工藝技術(shù)。通過控制晶體管閾值電壓的經(jīng)時變化，可抑制SRAM的最

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2010-06-30

SoC 低電壓 SRAM 晶體管
臺積電：14nm制程節(jié)點將用垂直型晶體管結(jié)構(gòu)

據(jù)參加了比利時微納米電子技術(shù)研究機構(gòu)IMEC召開的技術(shù)論壇的消息來源透露，與會的各家半導(dǎo)體廠商目前已經(jīng)列出了從平面型晶體管轉(zhuǎn)型為垂直型晶體管（以Intel的三柵晶體管和IBM的FinFET為代表）的計劃。其中來自

消費電子
2010-06-23

節(jié)點臺積電 ST 晶體管
以測試工序提高SRAM制造誤差容限，東京大學(xué)與STARC開發(fā)

對晶體管制造誤差導(dǎo)致的SRAM工作不穩(wěn)定性，在芯片制造后的測試工序上加以改善的方法，由東京大學(xué)研究生院工學(xué)系研究科電氣系工學(xué)專業(yè)副教授竹內(nèi)健的研究小組與日本半導(dǎo)體理工學(xué)研究中心（STARC）聯(lián)手開發(fā)成功。該項成

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2010-06-22

ST SRAM RC 晶體管
臺積電：14nm制程節(jié)點將用垂直型晶體管結(jié)構(gòu)

據(jù)參加了比利時微納米電子技術(shù)研究機構(gòu)IMEC召開的技術(shù)論壇的消息來源透露，與會的各家半導(dǎo)體廠商目前已經(jīng)列出了從平面型晶體管轉(zhuǎn)型為垂直型晶體管（以Intel的三柵晶體管和IBM的FinFET為代表）的計劃。其中來自半導(dǎo)體

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2010-06-21

節(jié)點臺積電 ST 晶體管
蔣尚義：臺積電14nm制程節(jié)點將轉(zhuǎn)向使用垂直型晶體管結(jié)構(gòu)

據(jù)參加了比利時微納米電子技術(shù)研究機構(gòu)IMEC召開的技術(shù)論壇的消息來源透露，與會的各家半導(dǎo)體廠商目前已經(jīng)列出了從平面型晶體管轉(zhuǎn)型為垂直型晶體管（以 Intel的三柵晶體管和IBM的FinFET為代表）的計劃。其中來自半導(dǎo)體

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2010-06-20

節(jié)點臺積電 ST 晶體管
守望摩爾定律

摩爾定律的來歷工作在半導(dǎo)體行業(yè)的人，可說無人不知摩爾定律(Moore's Law)。筆者在手頭一本詞典中對摩爾定律的解釋大致是：Inte1公司的創(chuàng)辦人之一戈登.摩爾(G.Moore)在l965年所作的觀察發(fā)現(xiàn)，說集成電路上的元器件數(shù)

電子設(shè)計自動化
2010-06-18

Intel 摩爾定律 MDASH 晶體管
射極跟隨器輸出電路的靜態(tài)功耗

圖2.9舉例說明了一個ECL或GAAS射極跟隨器輸出電路。該電路在HI和LO兩個狀態(tài)都有電流流過。對于10KH和10G產(chǎn)品系列，兩者的邏輯HI和LO輸出電壓都是相近的，盡管不同的ECL和GAAS射極耦合邏輯系列在溫度軌跡特性上存在細(xì)

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2010-06-12

輸出電路下拉電阻射極跟隨器晶體管
如何看懂脈沖電路

脈沖電路是專門用來產(chǎn)生電脈沖和對電脈沖進(jìn)行放大、變換和整形的電路。家用電器中的定時器、報警器、電子開關(guān)、電子鐘表、電子玩具以及電子醫(yī)療器具等，都要用到脈沖電路。在電子電路中，電源、放大、振蕩和調(diào)制電路

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2010-06-03

多諧振蕩器脈沖電路 RC 晶體管
達(dá)林頓電路簡介及應(yīng)用

兩只晶體管按如圖1的連接法叫做達(dá)林頓電路,其放大系數(shù)是兩只三極管的放大系數(shù)的乘積.什么是達(dá)林頓管達(dá)林頓管是將二只三極管適當(dāng)?shù)倪B接（如上圖所示）在一起，以組成一只等效的新的三極管，便是達(dá)林頓管，這個過程又稱

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2010-06-03

電阻三極管電路簡介晶體管
用自置偏電路以實現(xiàn)穩(wěn)定的光電晶體管受光電路

電路的功能在光接收電路中，如果外來光引起誤動作，可靠性就會下降。用脈沖式發(fā)光，可作成能識別平均外來光和脈沖波的電路。輸出不僅有導(dǎo)通、截止?fàn)顟B(tài)，還有與驅(qū)動頻率相同的脈沖串輸出。電路工作原理流過光電晶體管

顯示光電
2010-06-02

光電電路電晶體晶體管
達(dá)林頓電路簡介及應(yīng)用

兩只晶體管按如圖1的連接法叫做達(dá)林頓電路,其放大系數(shù)是兩只三極管的放大系數(shù)的乘積.什么是達(dá)林頓管達(dá)林頓管是將二只三極管適當(dāng)?shù)倪B接（如上圖所示）在一起，以組成一只等效的新的三極管，便是達(dá)林頓管，這個過程又稱

數(shù)字電源
2010-06-01

電阻三極管電路簡介晶體管

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晶體管

奔騰4芯片"動態(tài)邏輯電路"涉嫌侵權(quán)遭起訴

半導(dǎo)體成本上升而價格繼續(xù)下降

全新20V NPN及PNP雙極晶體管（Diodes）

采用運算放大器和達(dá)林頓晶體管的恒流源

采用雙極性晶體管的基準(zhǔn)電源

采用互補晶體管的基準(zhǔn)電源

全新20V NPN及PNP雙極晶體管（Diodes）

全新20V NPN及PNP雙極晶體管（Diodes）

支持B類CPU卡的5 V接觸式讀寫器設(shè)計

SoC用低電壓SRAM技術(shù)

臺積電：14nm制程節(jié)點將用垂直型晶體管結(jié)構(gòu)

以測試工序提高SRAM制造誤差容限，東京大學(xué)與STARC開發(fā)

臺積電：14nm制程節(jié)點將用垂直型晶體管結(jié)構(gòu)

蔣尚義：臺積電14nm制程節(jié)點將轉(zhuǎn)向使用垂直型晶體管結(jié)構(gòu)

守望摩爾定律

射極跟隨器輸出電路的靜態(tài)功耗

如何看懂脈沖電路

達(dá)林頓電路簡介及應(yīng)用

用自置偏電路以實現(xiàn)穩(wěn)定的光電晶體管受光電路

達(dá)林頓電路簡介及應(yīng)用

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