
兩只晶體管按如圖1的連接法叫做達(dá)林頓電路,其放大系數(shù)是兩只三極管的放大系數(shù)的乘積.什么是達(dá)林頓管達(dá)林頓管是將二只三極管適當(dāng)?shù)倪B接(如上圖所示)在一起,以組成一只等效的新的三極管,便是達(dá)林頓管,這個過程又稱
目前有不少研究機構(gòu)都投注了大量資源,來改善對納米管(nanotubes)進行分類的方法,如此就能為印刷電子工藝生產(chǎn)出導(dǎo)電、半導(dǎo)電或是絕緣的墨水材料;有了這些墨水,晶體管或是其他電路組件,就能夠輕易地用噴墨打印機在
電路的功能這是一種可在3M~30MHZ頻率使用的電壓控制振蕩器,在通信機或信號發(fā)生器等測量儀器中,可與PLL電路配合使用。振蕩回路采用了變形克拉著振蕩電路方式,晶體管TR1的參數(shù)變動對振蕩頻率影響不大。電路工作原理
據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)報道,美國與澳大利亞科學(xué)家成功制造出世界上最小的晶體管——由7個原子在單晶硅表面構(gòu)成的一個“量子點”,標(biāo)志著我們向計算能力的新時代邁出了重要一步。量子點(quantumdot)是納米大小的發(fā)光晶體,
據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)報道,美國與澳大利亞科學(xué)家成功制造出世界上最小的晶體管——由7個原子在單晶硅表面構(gòu)成的一個“量子點”,標(biāo)志著我們向計算能力的新時 代邁出了重要一步?! ×孔狱c(quantum dot)是納米大小的發(fā)光
澳大利亞科學(xué)家本周一披露了只有幾個原子大小的全球最小的電子開關(guān)。這種電子開關(guān)將縮小微型芯片的尺寸并且給計算速度帶來革命性的變化。 這種7個 原子大小的晶體管的尺寸為四十億分之一米并且嵌入在一個單個的硅
很實用的經(jīng)典電路。
電路的功能為了把大范圍的信號電平壓縮顯示,可使用對數(shù)電路,通常稱對數(shù)放大器,在電氣電路中多使用以10為底的常用對數(shù),本電路是1V/十進位、即10倍的變化引起1V變化輸出的電路。對數(shù)作為除法、乘法等運算電路的基本
Abstract— 一種用于射頻和微波測試系統(tǒng)的高性能GaAsSb基區(qū),InP集電區(qū) DHBT IC 工藝被成功研發(fā)。這種GaAsSb工藝使得在工作電流為JC = 1.5 mA/µm²時fT 和 fmax分別達(dá)到了 185 GHz and 220 GHz,JC = 1.3
電路的功能本電路是SEPP輸出電路,輸出級由NPN晶體管構(gòu)成,可工作于高頻,它可作為輸入阻抗較高的OP放大器的電流增強器或作為驅(qū)動50歐負(fù)載的輸出緩沖放大器用。電路工作原理由于輸入級的射級輸出器TT1和輸出晶體管TT
據(jù)國外媒體報道,臺積電研發(fā)副總裁蔣尚義日前在一次大會演講中表示,按臺積電現(xiàn)有芯片技術(shù)水平,摩爾定律將在10年后失效。 以下是演講內(nèi)容概要: 按臺積電現(xiàn)有芯片技術(shù),摩爾定律將在10年后失效,芯片上晶體管
電路的功能雖然很多單片IC也被稱為寬帶放大器,但往往因具特性與使用要求不匹配,設(shè)計上又沒有自由度,因而無法應(yīng)用。用晶體管組合而成的放大器可以按使用要求進行組合,設(shè)計自由度大,所以在圖象電路中得到廣泛的應(yīng)
電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器,其轉(zhuǎn)換速度比單級晶體管快,適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉(zhuǎn)換速度的激勵器,而且還在輸出級采用了MOSFET,使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負(fù)載。
電路的功能有效輸出100W的功率放大器多用于音響或超聲波等設(shè)備。由于本電路全部由分立元件構(gòu)成,所以設(shè)計時自由度比較大,因為射極輸出器會因負(fù)載短路而造成大短路電流,所以要采用限流保護措施。此外,通過更換輸出
電路的功能OP放大器的輸出振幅幅值為正負(fù)10~30V,需要數(shù)百伏幅值的靜電激勵器或壓電器件就要使用專門的激勵放大器,也有采用由耐高壓晶體管組成的獨立電路的。本電路主要應(yīng)用OP放大器的直流特性,在OP放大器后面增加
電路的功能差動放大器的噪聲特性由輸入級決定,在本電路中,該級采用PMI公司生產(chǎn)的低噪聲雙晶體管,使噪聲特性得以改善。這是一種較完善的差動輸入前置放大器。因為本電路采用雙極晶體管,所以宜用作信號源電阻低的傳
惠普近日宣稱,其在制造一種新的微型器件方面取得重大進展,這種微型器件能夠更加縮小電腦芯片的大小,因而有望取代三極管,成為電腦芯片新的構(gòu)件。這種器件結(jié)構(gòu)簡單,即使在沒有電流的情況下也能夠存儲信息,因此可
意法半導(dǎo)體推出一款先進的高性能功率封裝,這項新技術(shù)將會提高意法半導(dǎo)體最新的MDmesh™ V功率MOSFET技術(shù)的功率密度。 在一個尺寸僅為8x8mm的無引腳封裝外殼內(nèi),全新1mm高的貼裝封裝可容納工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的TO-220大小
電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器,其轉(zhuǎn)換速度比單級晶體管快,適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉(zhuǎn)換速度的激勵器,而且還在輸出級采用了MOSFET,使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負(fù)載。
普林斯頓大學(xué)的研究人員表示,通過將有機導(dǎo)體,半導(dǎo)體和絕緣體噴墨打印到一層昂貴的聚合物基板上可生成全塑晶體管,這種全塑晶體管可以大幅降低有機太陽能電池的價格。Yueh-Lin (Lynn) Loo教授針對其