日前,德州儀器(TI)宣布推出一款集成式柵極驅(qū)動(dòng)器,該器件提供了可調(diào)節(jié)的柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)置,可在更為寬泛的范圍內(nèi),靈活的驅(qū)動(dòng)外部場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET),從而支持多種電機(jī),以及各
21ic電源網(wǎng)訊 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出一對(duì)1A額定值的40V緊湊型柵極驅(qū)動(dòng)器ZXGD3009E6及ZXGD3009DY,旨在控制板上和嵌入式電源以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的高電流功率
東芝公司旗下半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布,推出單通道高邊N溝道功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)柵極驅(qū)動(dòng)器“TPD7104F”。新產(chǎn)品是一個(gè)適用于電荷泵的
21ic訊 Microchip Technology Inc.(美國(guó)微芯科技公司)近日宣布推出兩款三相無(wú)刷直流(BLDC)電機(jī)柵極驅(qū)動(dòng)器——MCP8025和MCP8026(MCP8025/6)。集成了電源模塊、LIN收發(fā)器和休眠模式,是完整電機(jī)系統(tǒng)解決方案
21ic訊 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出 6 款具有業(yè)界最短傳播延遲(不足 15 納秒)的 AEC-Q100 認(rèn)證柵極驅(qū)動(dòng)器。與現(xiàn)有解決方案相比,該 UCC275xx-Q1 系列單路及雙路柵極驅(qū)動(dòng)器可提供最高的電源效率、可靠性與靈活性,
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)綜合了BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。在今天的電力電子領(lǐng)域中,IGBT已經(jīng)得到廣泛的應(yīng)用。而在實(shí)際使用中除IGBT自身外,IGBT 驅(qū)動(dòng)器的
21ic訊 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高端、高頻率 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器 LTC4440A-5,該器件能以高達(dá) 80V 的輸入電壓工作,在高達(dá) 100V 瞬態(tài)時(shí)
內(nèi)燃機(jī)(ICE)、混合動(dòng)力汽車(chē)以及電動(dòng)汽車(chē)?yán)^續(xù)推動(dòng)新型功率半導(dǎo)體支持技術(shù)的發(fā)展。低壓和高壓應(yīng)用中的功率器件需要以逐漸增加的頻率運(yùn)行、具有更強(qiáng)的抗干擾能力和更高的效率。
引言對(duì)電能轉(zhuǎn)換而言,可再生能源電子細(xì)分市場(chǎng)是一個(gè)復(fù)雜且多樣化的競(jìng)技場(chǎng)。在一些負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用中,開(kāi)關(guān)型功率轉(zhuǎn)換器通常為非隔離式,功率水平相當(dāng)?shù)?<200 W),并且常常會(huì)把電
Silicon Labs (芯科實(shí)驗(yàn)室有限公司)日前宣布推出業(yè)界首款基于CMOS工藝的數(shù)字解決方案,可直接替換光電耦合隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器(簡(jiǎn)稱(chēng)光電耦合驅(qū)動(dòng)器)。新型Si826x隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器支持高達(dá)5kV隔離等級(jí)和10kV浪涌保護(hù),其
引言對(duì)電能轉(zhuǎn)換而言,可再生能源電子細(xì)分市場(chǎng)是一個(gè)復(fù)雜且多樣化的競(jìng)技場(chǎng)。在一些負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用中,開(kāi)關(guān)型功率轉(zhuǎn)換器通常為非隔離式,功率水平相當(dāng)?shù)?<200 W),并且常常會(huì)把電
器件提供關(guān)鍵保護(hù)功能以及出色的共模瞬態(tài)抑制性能對(duì)于目前的高功耗工業(yè)應(yīng)用,設(shè)計(jì)人員傳統(tǒng)上對(duì)IGBT驅(qū)動(dòng)器使用分立器件,導(dǎo)致整體設(shè)計(jì)復(fù)雜性和系統(tǒng)成本大大提高。 為了幫助設(shè)
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出采用增強(qiáng)型氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的EPC9003及EPC9006開(kāi)發(fā)板, 展示最新推出、專(zhuān)為驅(qū)動(dòng)氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管而優(yōu)化的集成電路柵極驅(qū)動(dòng)器可幫助工程師簡(jiǎn)單地及以低成本從硅器件轉(zhuǎn)用氮化鎵技術(shù)
日前,德州儀器 (TI) 宣布推出首批具有業(yè)界領(lǐng)先速度及驅(qū)動(dòng)電流性能的 4 A/8 A 與 4 A/4 A 單通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,其可最大限度減少 MOSFET、IGBT 電源器件以及諸如氮化鎵 (GaN) 器件等寬帶隙半導(dǎo)體的開(kāi)關(guān)損耗。該 UC
21ic訊 羅姆株式會(huì)社開(kāi)發(fā)出內(nèi)置絕緣元件的柵極驅(qū)動(dòng)器“BM6103FV-C”,最適合作為電動(dòng)汽車(chē)(EV)和混合動(dòng)力車(chē)(HEV)逆變回路中IGBT以及功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)元件。本產(chǎn)品融合了羅姆獨(dú)創(chuàng)的BiCDMOS技術(shù)與新開(kāi)發(fā)的
21ic訊 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出首批具有業(yè)界領(lǐng)先速度及驅(qū)動(dòng)電流性能的 4 A/8 A 與 4 A/4 A 單通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,其可最大限度減少 MOSFET、IGBT 電源器件以及諸如氮化鎵 (GaN) 器件等寬帶隙半導(dǎo)體的開(kāi)關(guān)損耗
當(dāng)前,新能源汽車(chē)技術(shù)和市場(chǎng)正處于一個(gè)火熱發(fā)展的階段,以節(jié)能為核心的相關(guān)技術(shù)研發(fā)和應(yīng)用也擴(kuò)大到包括傳統(tǒng)汽車(chē)和新能源汽車(chē)在內(nèi)的整個(gè)汽車(chē)領(lǐng)域。對(duì)于汽車(chē)應(yīng)用工程師來(lái)說(shuō),當(dāng)前所面臨的最大挑戰(zhàn)是:為汽車(chē)帶來(lái)更高效
當(dāng)前,新能源汽車(chē)技術(shù)和市場(chǎng)正處于一個(gè)火熱發(fā)展的階段,以節(jié)能為核心的相關(guān)技術(shù)研發(fā)和應(yīng)用也擴(kuò)大到包括傳統(tǒng)汽車(chē)和新能源汽車(chē)在內(nèi)的整個(gè)汽車(chē)領(lǐng)域。對(duì)于汽車(chē)應(yīng)用工程師來(lái)說(shuō),當(dāng)前所面臨的最大挑戰(zhàn)是:為汽車(chē)帶來(lái)更高效
21ic訊 汽車(chē)應(yīng)用工程師面臨提供具有更高效率、更大驅(qū)動(dòng)電流和更強(qiáng)抗噪能力的逆變器的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn),尤其是在混合動(dòng)力汽車(chē)(HEV)和電動(dòng)汽車(chē)(EV)領(lǐng)域。為了幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn),飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconduct
21ic訊 汽車(chē)應(yīng)用工程師面臨提供具有更高效率、更大驅(qū)動(dòng)電流和更強(qiáng)抗噪能力的逆變器的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn),尤其是在混合動(dòng)力汽車(chē)(HEV)和電動(dòng)汽車(chē)(EV)領(lǐng)域。為了幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn),飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconduct