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愛特梅爾擴(kuò)展maXTouch S系列控制器提供增強(qiáng)節(jié)點(diǎn)與功能

21ic訊愛特梅爾公司(Atmel® Corporation)宣布擴(kuò)展其maXTouch S觸摸控制器系列，推出愛特梅爾mXT540S控制器，進(jìn)一步支持在各種類型的手持式設(shè)備的設(shè)計(jì)中采用更大顯示屏的發(fā)展趨勢。新的愛特梅爾maXTouch mXT540

工業(yè)控制
2013-01-16

控制器愛特梅爾節(jié)點(diǎn) MAXTOUCH
基于牛角棋的博弈電路系統(tǒng)設(shè)計(jì)

基于牛角棋的博弈電路系統(tǒng)設(shè)計(jì)

嵌入式軟件
2013-01-16

系統(tǒng)設(shè)計(jì) 電路系統(tǒng) BSP 節(jié)點(diǎn)
智慧機(jī)晶片庫存逆風(fēng)Q1底緩解臺(tái)積電Q2加溫

臺(tái)積電(2330-TW)1/17將舉行法說，外資聚焦后市。德意志證券表示，智慧機(jī)晶片庫存消化清況可望首季底紓解，28奈米在中低階采用加速，多數(shù)產(chǎn)品線庫存將有回補(bǔ)潮，將可驅(qū)動(dòng)臺(tái)積電(2330-TW)第2季后市，重申買進(jìn)評(píng)等和目標(biāo)

模擬
2013-01-15

晶片臺(tái)積電 EDGE 節(jié)點(diǎn)
ARM核的時(shí)代已接近尾聲了嗎？

回想起很多公司都擁有自己的處理器架構(gòu)的時(shí)代，那是電子和半導(dǎo)體成就的高峰期，很多數(shù)字工程師都對(duì)在哪些電子設(shè)備商跑自己的設(shè)計(jì)的程序感到很興奮，很有成就感。眾所周知，成功造就了普及，而普及又推動(dòng)了下一

消費(fèi)電子
2013-01-15

ARM 處理器內(nèi)核 A15 節(jié)點(diǎn)
德意志：智慧機(jī)晶片庫存逆風(fēng)Q1底緩解臺(tái)積電Q2加溫

臺(tái)積電(2330-TW)1/17將舉行法說，外資聚焦后市。德意志證券表示，智慧機(jī)晶片庫存消化清況可望首季底紓解，28奈米在中低階采用加速，多數(shù)產(chǎn)品線庫存將有回補(bǔ)潮，將可驅(qū)動(dòng)臺(tái)積電(2330-TW)第2季后市，重申買進(jìn)評(píng)等和目標(biāo)

模擬
2013-01-14

晶片臺(tái)積電 EDGE 節(jié)點(diǎn)
全球首款正式商用的ARM服務(wù)器現(xiàn)身百度

隨著ARM64位處理器Cortex-A50系列在2012年問世，以及眾多軟件廠商宣布對(duì)ARM架構(gòu)的支持，ARM服務(wù)器生態(tài)系統(tǒng)已開始形成，ARM在服務(wù)器領(lǐng)域的聲音也越來越強(qiáng)。為了滿足自身應(yīng)用對(duì)于IT基礎(chǔ)架構(gòu)的特殊需求，一些有技術(shù)實(shí)力

單片機(jī)
2013-01-14

ARM 數(shù)據(jù)中心 BSP 節(jié)點(diǎn)
愛特梅爾擴(kuò)展maXTouch S系列控制器提供增強(qiáng)節(jié)點(diǎn)與功能

愛特梅爾擴(kuò)展maXTouch S系列控制器提供增強(qiáng)節(jié)點(diǎn)與功能

嵌入式軟件
2013-01-13

控制器愛特梅爾節(jié)點(diǎn) MAXTOUCH
歐美運(yùn)營商今年進(jìn)行小型基站接入技術(shù)首次部署

全球運(yùn)營商將在今年進(jìn)行小型基站（Small-Cell）接入技術(shù)的首次部署，以達(dá)到3G和4G網(wǎng)絡(luò)容量高密集度覆蓋的目的。無線運(yùn)營商對(duì)小型基站技術(shù)情有獨(dú)鐘，主要目的是為了在用戶常用手機(jī)的地方大規(guī)模增加帶寬，包括商場，體

通信技術(shù)
2013-01-08

基站移動(dòng)網(wǎng)絡(luò) LTE-ADVANCED 節(jié)點(diǎn)
升職越快越好嗎

升職越快越好嗎?這對(duì)很多人來說似乎根本不能算一個(gè)問題。好多人參加同學(xué)聚會(huì)，明明是一起混了四年的熟人，還要彼此換一下名片，不就是為了相互秀一下自己的頭銜是什么，看看誰發(fā)展得快。就算不跟別人比，升職帶來的更

充電吧
2013-01-05

榮耀 MDASH BSP 節(jié)點(diǎn)
農(nóng)村電網(wǎng)主變壓器調(diào)壓要點(diǎn)

隨著國民經(jīng)濟(jì)的快速發(fā)展和全社會(huì)用電負(fù)荷的高速增長，有載調(diào)壓變壓器在電網(wǎng)中得到了大量的使用。毋庸諱言，在縣級(jí)供電企業(yè)中由于部分調(diào)度及相關(guān)技術(shù)管理人員，對(duì)電網(wǎng)電壓的調(diào)整和樞紐變電所中低壓母線節(jié)點(diǎn)的電壓水平

網(wǎng)絡(luò)層
2012-12-27

電網(wǎng) 電力系統(tǒng) 主變壓器節(jié)點(diǎn)
電機(jī)溫度監(jiān)測系統(tǒng)低功耗無線節(jié)點(diǎn)模塊設(shè)計(jì)

摘要：提出了一種用于電機(jī)溫度監(jiān)測系統(tǒng)的無線數(shù)據(jù)收發(fā)節(jié)點(diǎn)模塊設(shè)計(jì)方案，利用LPC1114的省電耗模式配合Si4432集成芯片實(shí)現(xiàn)無線收發(fā)模塊的低功耗。另外，針對(duì)模塊硬件實(shí)現(xiàn)RF前端高頻電路設(shè)計(jì)和前期仿真做出詳細(xì)說明，模

測試測量
2012-12-25

無線低功耗電機(jī) 節(jié)點(diǎn)
RS-485的多機(jī)通信方案探究

引言在嵌入式系統(tǒng)中，多個(gè)孤立節(jié)點(diǎn)之間的通信越來越重要，尤其是物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的到來，多節(jié)點(diǎn)間通信已經(jīng)成為必不可少的功能。由此出現(xiàn)了許多通信手段，如RS-232、RS-485、CAN總線、ZigBee等，綜合考慮性能和成本，

通信技術(shù)
2012-12-24

多機(jī)通信 RS-485 BSP 節(jié)點(diǎn)
低能耗節(jié)點(diǎn)位置未知無線傳感器網(wǎng)絡(luò)控制方案

摘要：介紹了一種低能耗節(jié)點(diǎn)位置未知的網(wǎng)絡(luò)控制方案，根據(jù)不同的網(wǎng)絡(luò)運(yùn)行輪數(shù)設(shè)定網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn)的通信半徑，使網(wǎng)絡(luò)具有良好的能量有效性。網(wǎng)絡(luò)中基站經(jīng)過構(gòu)建階段的啟動(dòng)過程、節(jié)點(diǎn)信息收集過程和節(jié)點(diǎn)信息上報(bào)過程，獲得了

工業(yè)控制
2012-12-21

無線傳感器網(wǎng)絡(luò) 控制方案 BSP 節(jié)點(diǎn)
浸潤式微影壽命延長EUV恐無出頭天？

當(dāng)193奈米微影技術(shù)在半導(dǎo)體制程技術(shù)藍(lán)圖上已經(jīng)接近終點(diǎn)，下一代應(yīng)該是157奈米微影；德州儀器( TI )前段制程部門經(jīng)理Jim Blatchford雖然才剛完成采購先進(jìn)157奈米微影系統(tǒng)的協(xié)商，他還是有點(diǎn)擔(dān)心這種未經(jīng)驗(yàn)證的技術(shù)。

模擬
2012-12-20

EUV FOR LATCH 節(jié)點(diǎn)
下一代FD－SOI制程將跳過20nm直沖14nm

在一場近日于美國舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技術(shù)研討會(huì)上，產(chǎn)業(yè)組織SOI Consortium所展示的文件顯示， FD-SOI 制程技術(shù)藍(lán)圖現(xiàn)在直接跳過了20奈米節(jié)點(diǎn)，直接往14奈米、接著是10奈米發(fā)

消費(fèi)電子
2012-12-17

英特爾 FINFET 節(jié)點(diǎn)
下一代FD-SOI制程將跳過20nm直沖14nm

在一場近日于美國舊金山舉行的FD-SOI(fullydepletedsilicononinsulator)技術(shù)研討會(huì)上，產(chǎn)業(yè)組織SOIConsortium所展示的文件顯示，F(xiàn)D-SOI制程技術(shù)藍(lán)圖現(xiàn)在直接跳過了20nm節(jié)點(diǎn)，直接往14nm、接著是10nm發(fā)展。根據(jù)SOICon

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2012-12-17

FINFET ICONS 節(jié)點(diǎn)
FD-SOI制程藍(lán)圖:跳過20奈米節(jié)點(diǎn)，直沖14奈米

14奈米FD-SOI技術(shù)問世的時(shí)間點(diǎn)約與英特爾 (Intel)的14奈米FinFET相當(dāng)，而兩者的性能表現(xiàn)差不多，F(xiàn)D-SOI的成本則應(yīng)該會(huì)比FinFET低得多。近日，在一場于美國舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2012-12-17

英特爾 FINFET 節(jié)點(diǎn)
下一代FD-SOI制程將跳過20nm直沖14nm

在一場近日于美國舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技術(shù)研討會(huì)上，產(chǎn)業(yè)組織SOI Consortium所展示的文件顯示， FD-SOI 制程技術(shù)藍(lán)圖現(xiàn)在直接跳過了20nm節(jié)點(diǎn)，直接往14nm、接著是10nm發(fā)展。根

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2012-12-17

英特爾 FINFET 節(jié)點(diǎn)
下一代FD-SOI制程將跳過20nm直沖14nm

在一場近日于美國舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技術(shù)研討會(huì)上，產(chǎn)業(yè)組織SOI Consortium所展示的文件顯示， FD-SOI 制程技術(shù)藍(lán)圖現(xiàn)在直接跳過了20奈米節(jié)點(diǎn)，直接往14奈米、接著是10奈米發(fā)

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2012-12-14

英特爾 FINFET 節(jié)點(diǎn)
產(chǎn)業(yè)專家：14奈米節(jié)點(diǎn)是重大考驗(yàn)

2012年度國際電子元件大會(huì)( IEDM )于美國時(shí)間12月10日在舊金山登場，與會(huì)專家表示，半導(dǎo)體制程邁向14奈米節(jié)點(diǎn)時(shí)，可能無法達(dá)到通常每跨一個(gè)世代、晶片性能可提升30%的水準(zhǔn)，甚至只有一半；但仍會(huì)增加大量成本，主要是

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2012-12-13

晶片 EUV AN 節(jié)點(diǎn)

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節(jié)點(diǎn)

愛特梅爾擴(kuò)展maXTouch S系列控制器提供增強(qiáng)節(jié)點(diǎn)與功能

基于牛角棋的博弈電路系統(tǒng)設(shè)計(jì)

智慧機(jī)晶片庫存逆風(fēng)Q1底緩解臺(tái)積電Q2加溫

ARM核的時(shí)代已接近尾聲了嗎？

德意志：智慧機(jī)晶片庫存逆風(fēng)Q1底緩解臺(tái)積電Q2加溫

全球首款正式商用的ARM服務(wù)器現(xiàn)身百度

愛特梅爾擴(kuò)展maXTouch S系列控制器提供增強(qiáng)節(jié)點(diǎn)與功能

歐美運(yùn)營商今年進(jìn)行小型基站接入技術(shù)首次部署

升職越快越好嗎

農(nóng)村電網(wǎng)主變壓器調(diào)壓要點(diǎn)

電機(jī)溫度監(jiān)測系統(tǒng)低功耗無線節(jié)點(diǎn)模塊設(shè)計(jì)

RS-485的多機(jī)通信方案探究

低能耗節(jié)點(diǎn)位置未知無線傳感器網(wǎng)絡(luò)控制方案

浸潤式微影壽命延長EUV恐無出頭天？

下一代FD－SOI制程將跳過20nm直沖14nm

下一代FD-SOI制程將跳過20nm直沖14nm

FD-SOI制程藍(lán)圖:跳過20奈米節(jié)點(diǎn)，直沖14奈米

下一代FD-SOI制程將跳過20nm直沖14nm

下一代FD-SOI制程將跳過20nm直沖14nm

產(chǎn)業(yè)專家：14奈米節(jié)點(diǎn)是重大考驗(yàn)

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