用CMOS電路構成的非編碼觸摸鍵盤

法國研究機構CEA-Leti提升三維芯片封裝能力

法國研究機構CEA-Leti最近開始提升其三維芯片封裝的生產(chǎn)能力，CEA-Leti在Grenoble 有一條300 mm 的CMOS 研發(fā)型生產(chǎn)線，目前專門用于三維芯片封裝的試驗。CEA-Leti 稱他們已經(jīng)可以向客戶提供 200 和 300 mm 晶圓的多種

蘇州固锝收購明銳光電 獲130項物聯(lián)網(wǎng)專利

蘇州固锝今日公告，2010年12月30日，公司和探微科技股份有限公司在香港簽署了《關于MiradiaInc.(明銳光電股份[43.170.30%]有限公司)全部股權的轉讓協(xié)議》，擬以360萬美元(約2400萬元人民幣)，收購明銳光電100%的股權

搶CMOS MEMS商機　矽創(chuàng)加速度計將上市

互補式金屬氧化物半導體制程的微機電系統(tǒng)(CMOS MEMS)因能整合多元化功能，故掀起市場熱潮，國內不僅臺積電、聯(lián)電兩大半導體龍頭競相投入研發(fā)，不少晶圓代工、MEMS廠商也對此市場亦躍躍欲試，日前，矽創(chuàng)電子即證實將

基于CMOS雙D觸發(fā)器CD4013的脈沖寬度檢測電路設計

D觸發(fā)器的常規(guī)使用一般是用作二分頻器、計數(shù)器或移位寄存器。然而，只要對D觸發(fā)器的外圍電路加以改進，根據(jù)其基本邏輯功能。就可充分發(fā)揮其獨特的作用。數(shù)字裝置中常用的脈沖寬度檢測電路，對脈沖信號的寬度進行識別

鑫創(chuàng)搶推高整合CMOS MEMS麥克風

為力抗國外大廠如樓氏(Knowles)，鑫創(chuàng)繼2010年10月發(fā)表互補式金屬氧化物半導體制程的微機電系統(tǒng)(CMOS MEMS)麥克風后，著眼于類比MEMS麥克風干擾多，遂使筆記型電腦、手機對于數(shù)位化MEMS需求升溫，預計2011年第四季將

Sony宣布買回東芝半導體工廠 增產(chǎn)CMOS感測器

Sony24日于日股收盤后發(fā)布新聞稿宣布，已與東芝(Toshiba)簽署了基本合意書，將自東芝手中買回位于長崎縣的半導體工廠；之后雙方并將于今年度內(2011年3月底前)簽署正式契約，并預計于2011年度初期實施買回動作。據(jù)外

媲美MEMS IDM　臺商力拚CMOS MEMS

不讓歐、美微機電系統(tǒng)(MEMS)業(yè)者專美于前，國內臺積電、聯(lián)電兩大半導體龍頭，以及其他MEMS廠商正戮力開發(fā)補式金屬氧化物半導體 (CMOS)MEMS，期能透過晶片商上、中、下游的合作，與國外整合元件制造商(IDM)并駕齊

鑫創(chuàng)MEMS麥克風，明年7月量產(chǎn)

鑫創(chuàng)（3259）看好微機電（MEMS）麥克風市場，歷經(jīng)3年研發(fā)，今年10月推出CMOS MEMS麥克風，目前已進入推廣期，市場傳出，鑫創(chuàng)MEMS麥克風預計明年元月將送樣客戶認證，預計7月量產(chǎn)。 鑫創(chuàng)日前表示，MEMS麥克風相較傳統(tǒng)

新型磁傳感器MMC214 MMC3140

型號：MMC214 MMC3140 公司：美新半導體（無錫）有限公司 英文名稱：MEMSIC Semiconductor (WUXI) Co., Ltd. 芯片概述 新型MEMS磁傳感器廣泛用于移動消費類電子產(chǎn)品（如手機）與汽車電子、工業(yè)應

電磁兼容性的設計與測量

1、主要技術參數(shù)電磁兼容性的設計是一項復雜的系統(tǒng)工程。首先要學習并掌握有關標準及規(guī)范，然后參照實際電磁環(huán)境來提出具體的要求，進而制定技術和工藝的實施方案。在設計電子儀器、設備時。應重點考慮電路設計、隔離

CMOS偽差分E類射頻功率放大器設計

摘要 分析了E類功放的非理想因素，其中著重分析寄生電感對系統(tǒng)性能的影響，采用偽差分E類功放結構有效地抑制寄生電感的影響。最后基于理想的設計方程和Load Pull技術，采用0．18μmCMOS工藝，設計出高效率的差分E類

硅CMOS技術可擴展到10nm以下

“硅CMOS技術完全可以擴展至10nm以下。如果能夠充分導入三維NAND閃存技術、可變電阻式存儲器(ReRAM)以及EUV曝光技術等新構造、新材料和新工藝，硅CMOS技術將繼續(xù)保持其主導地位”。半導體制造技術國際會議

15nm工藝CMOS將如何發(fā)展？

在半導體制造技術相關國際會議“2010 IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM 2010）”開幕前一天的2010年12月5日，舉行了一場以“15nm CMOS Technology”為題的短講座。在最尖端邏

意法半導體等利用65nm晶圓分析TSV對CMOS電路的影響

法國CEA-LETI公司、法國薩瓦大學（Universite de Savoie）及意法半導體（STMicroelectronics）共同分析了在帶有65nm工藝CMOS電路的硅晶圓上形成TSV（硅貫通孔）時，TSV對CMOS電路特性的影響（演講編號：35.1）。以利

CMOS偽差分E類射頻功率放大器設計

CMOS偽差分E類射頻功率放大器設計

三星主題演講:通過導入新技術，硅CMOS可延長至10nm以下工藝

“硅CMOS技術完全可以擴展至10nm以下。如果能夠充分導入三維NAND閃存技術、可變電阻式存儲器（ReRAM）以及EUV曝光技術等新構造、新材料和新工藝，硅CMOS技術將繼續(xù)保持其主導地位”。 半導體制造技術國際會議“2

基于VerilogHDL的CMOS圖像敏感器驅動電路設計

Verilog HDL語言是IEEE標準的用于邏輯設計的硬件描述語言，具有廣泛的邏輯綜合工具支持，簡潔易于理解。本文就STAR250這款CMOS圖像敏感器，給出使用Verilog HDL語言設計的邏輯驅動電路和仿真結果。

15nm工藝CMOS將如何發(fā)展？短講座出現(xiàn)站著的聽眾

在半導體制造技術相關國際會議“2010 IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM 2010）”開幕前一天的2010年12月5日（日），舉行了一場以“15nm CMOS Technology”為題的短講座。在最尖端邏輯LSI方面，美國

第三季晶圓價位持續(xù)下跌但幅度已較和緩

根據(jù)Global Semiconductor Alliance (GSA)發(fā)布的報告，今(2010)年第三季晶圓價位持續(xù)下 跌，不過下降的幅度已比前一季和緩。該季八寸與十二寸CMOS晶圓比前一季分別降價0.3%與4 .4%；后者在第二季為3200美元，至第