CMOS
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CMOS低電平驅(qū)動電路
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CMOS-TTL接口電路
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CMOS-PMOS接口電路
CMOS-PMOS接口電路
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CMOS-NMOS接口電路
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CMOS-HTL接口電路
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CMOS電壓反轉(zhuǎn)器MAX660電路圖
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CMOS電壓反轉(zhuǎn)器MAX660電路圖
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有感于十年模擬應用設計生涯
一位院里的兄長數(shù)年前告知，想成為模擬高手必須先學好童詩白老爺子的《模擬電子技術(shù)》，再學習一下《網(wǎng)絡綜合》，把這兩本 書聯(lián)系起來，看到任何電路問題是都能先很容易寫出傳遞函數(shù)再去解決問題。 在此基礎上多去
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Imec和Coventor在MEMS和IC設計與制造領域展開合作
領先的MEMS設計供應商Coventor和納電子研究中心imec共同宣布戰(zhàn)略合作，以改善和拓展CMOS和MEMS集成技術(shù)的設計與制造。合作將包括雙方研發(fā)路線的統(tǒng)一，及研究內(nèi)容的互補。雙方將共同為imec的SiGe MEMS-above-IC工藝開
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Black Sand推出首個3G CMOS功率放大器產(chǎn)品系列
鑒于GaAs功率放大器（PA）技術(shù)長期存在的供應短缺和成本構(gòu)成更高的問題，移動設備制造商們正在尋求一種能替代GaAs功率放大器技術(shù)的產(chǎn)品。在射頻功率放大器領域，存在工藝之爭，包括主流的GaAs，欲取而代之的SiGe和CM
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采用噪聲消除技術(shù)的3～5 GHz CMOS超寬帶LNA設計
本文基于SM IC 0. 18μm RF CMOS工藝,設計了可以工作于3～5 GHz頻段的超寬帶低噪聲放大器。對電路的輸入匹配和增益進行了分析,對噪聲消除技術(shù)進行了推導。仿真結(jié)果表明,該放大器在工作頻帶內(nèi)的各項指標滿足超寬帶系統(tǒng)應用。
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瑞薩通過標準CMOS實現(xiàn)28nm工藝DRAM混載技術(shù)
瑞薩電子開發(fā)出了利用與標準CMOS工藝相近的方法在邏輯LSI中混載DRAM的技術(shù)（圖1）。該項技術(shù)面向28nm工藝以后的產(chǎn)品，瑞薩電子將把該工藝的SoC（SystemonaChip）生產(chǎn)全面委托給代工企業(yè)。瑞薩電子計劃通過該項技術(shù)，
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CEA-Leti將啟動專門用于三維積層技術(shù)的300mm研發(fā)生產(chǎn)線
法國研究機構(gòu)CEA-Leti于2011年1月19日（當?shù)貢r間）宣布，將在本月內(nèi)啟動專門用于三維積層技術(shù)研發(fā)和試制的300mm生產(chǎn)線。該機構(gòu)表示，構(gòu)建專門用于三維積層技術(shù)的研發(fā)生產(chǎn)線“在歐洲尚屬首次”。 據(jù)悉，此次生產(chǎn)線
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聯(lián)電CMOS-MEMS技術(shù)研發(fā)有成 預計今年量產(chǎn)
晶圓代工大廠聯(lián)華電子(UMC，聯(lián)電)日前宣布成功為客戶產(chǎn)出微機電系統(tǒng)(Micro-Electro-Mechanical Systems，MEMS)感測器晶片，預計于今年進入量產(chǎn)；該公司表示其三年來投入 CMOS-MEMS 技術(shù)的研發(fā)，終于獲得豐碩的成果。
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聯(lián)電MEMS感測芯片 邁入量產(chǎn)
晶圓代工廠聯(lián)電投入微機電 (MEMS)技術(shù)開發(fā)已3年，19日宣布成功產(chǎn)出CMOS-MEMS感測芯片，預計2011年投入量產(chǎn)。聯(lián)電CMOS-MEMS技術(shù)制造的麥克風元件已完成功能驗證，訊噪比 (S/N ratio) 已可達到 56dBA 以上的水平，其性
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首個3G CMOS功率放大器產(chǎn)品系列(Black Sand)
Black Sand科技有限公司日前宣布：公司已推出兩條新的3G CMOS射頻功率放大器(PA)產(chǎn)品線，它們顯著地提升各種手機、平板電腦和數(shù)據(jù)卡的可靠性和數(shù)據(jù)傳輸量。該產(chǎn)品系列包括6個特別的、覆蓋多個頻段的功率放大器。其BS
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高增益高線性度CMOS偶次諧波混頻器設計
混頻器是無線收發(fā)機中的核心模塊， 對整個系統(tǒng)的性能具有很大影響。線性度、轉(zhuǎn)換增益是衡量一個混頻器性能的重要指標。 在接收機中， 混頻器具有一定的轉(zhuǎn)換增益可以降低混頻器后面各級模塊設計的難度， 有利
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聯(lián)電MEMS感測芯片成功產(chǎn)出
晶圓代工廠聯(lián)電投入微機電 (MEMS)技術(shù)開發(fā)已3年，19日宣布成功產(chǎn)出CMOS-MEMS感測芯片，預計2011年投入量產(chǎn)。聯(lián)電CMOS-MEMS技術(shù)制造的麥克風元件已完成功能驗證，訊噪比 (S/N ratio) 已可達到 56dBA 以上的水平，其性
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聯(lián)電MEMS感測芯片 邁入量產(chǎn)
晶圓代工廠聯(lián)電投入微機電 (MEMS)技術(shù)開發(fā)已3年，19日宣布成功產(chǎn)出CMOS-MEMS感測芯片，預計2011年投入量產(chǎn)。聯(lián)電CMOS-MEMS技術(shù)制造的麥克風元件已完成功能驗證，訊噪比 (S/N ratio) 已可達到 56dBA 以上的水平，其性
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聯(lián)電成功產(chǎn)出CMOS-MEMS感測晶片
聯(lián)電(2303)今(19)日宣布成功產(chǎn)出微機電系統(tǒng)（Micro-Electro-Mechanical Systems, MEMS）感測晶片，預計于今年進入量產(chǎn)，投入約3年的CMOS-MEMS技術(shù)的研發(fā)，終于開花結(jié)果。 聯(lián)電表示，使用該款CMOS-MEMS技術(shù)制造的麥克
