
GlobalFoundries位于德國Dresden的Fab1正在啟動22nmCMOS工藝的開發(fā),并計劃將該工藝投入量產(chǎn)。目前還不知道該工藝和32nm及28nm工藝所采用的gate-first高k金屬柵CMOS工藝有何差別。此前,F(xiàn)ab1被認為將作為45/40nm和32
GlobalFoundries位于德國Dresden的Fab 1正在啟動22nm CMOS工藝的開發(fā),并計劃將該工藝投入量產(chǎn)。目前還不知道該工藝和32nm及28nm工藝所采用的gate-first高k金屬柵CMOS工藝有何差別。此前,F(xiàn)ab 1被認為將作為45/40nm和
美國RF CMOS與混合訊號通訊IC大廠Peregrine Semiconductor 10日發(fā)布新聞稿指出,該公司擴大歐洲廠的設計與生產(chǎn)規(guī)模,并在法國的Aix-en-Provence增設一間新廠。Peregrine在歐洲的業(yè)務包括法國Aix-en-Provence設計中心
美國RF CMOS與混合訊號通訊IC大廠Peregrine Semiconductor 10日發(fā)布新聞稿指出,該公司擴大歐洲廠的設計與生產(chǎn)規(guī)模,并在法國的Aix-en-Provence增設一間新廠。Peregrine在歐洲的業(yè)務包括法國Aix-en-Provence設計中心
Analog Devices宣布針對中國市場發(fā)布全新的低成本、高速 CMOS 運算放大器 ADA489系列。與其它供應商提供的產(chǎn)品相比,ADA4891系列能夠幫助設計師以更低的成本和更低的功耗實現(xiàn)同樣的高速性能。與此同時,ADI 在高速運
趙凱期/臺北 雖然近期市場有傳出IC設計業(yè)者減單消息,但對于最先進制程12吋晶圓及最成熟制程的6吋及8吋晶圓產(chǎn)能來說,反而看到臺灣及海外IC設計公司在第2季先行卡位投單,力保第3季有足夠晶圓產(chǎn)出的動作出現(xiàn),其中
三星擬再新增CMOS 8寸廠
DALSA offers industry-leading manufacturing capability and design support for high voltage CMOS ICs such as drivers for inkjet print heads, flat panel displays, LEDs and LCDs, micromirrors, and microf
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三星電子(SamsungElectronics)再度出手,繼2009年下半首度大幅擴充產(chǎn)能外,2010年將首度啟動擴充產(chǎn)能機制,預計將再新增1座8寸晶圓廠,全數(shù)用于投產(chǎn)CMOS影像傳感器。據(jù)了解,三星原本已在韓國共有2座8寸廠、1座12寸廠
三星電子(Samsung Electronics)再度出手,繼2009年下半首度大幅擴充產(chǎn)能外,2010年將首度啟動擴充產(chǎn)能機制,預計將再新增1座8寸晶圓廠,全數(shù)用于投產(chǎn)CMOS影像傳感器。據(jù)了解,三星原本已在韓國共有2座8寸廠、1座12寸
2/1/2010,硅CMOS光子技術開發(fā)商Luxtera宣布同布線系統(tǒng)廠商Siemon合作,利用Luxtera的40Gbps光模塊產(chǎn)品,Siemon將會推出Moray主動光纜產(chǎn)品。Siemon表示他們選擇Luxtera的光模塊是看中了其硅CMOS光子技術和高性能,低
三星電子(Samsung Electronics)再度出手,繼2009年下半首度大幅擴充產(chǎn)能外,2010年將首度啟動擴充產(chǎn)能機制,預計將再新增1座8寸晶圓廠,全數(shù)用于投產(chǎn)CMOS影像傳感器。據(jù)了解,三星原本已在韓國共有2座8寸廠、1座12寸
隨著筆記本電腦、手機、PDA 等移動設備的普及,對應各種電池電源使用的集成電路的開發(fā)越來越活躍,高性能、低成本、超小型封裝產(chǎn)品正在加速形成商品化。LDO(低壓差)型線性穩(wěn)壓器由于具有結構簡單、成本低廉、低噪聲、
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款經(jīng)濟、長壽命的面板電位計 --- P11L,該電位計具有四種模塊和12.5mm的緊湊外形。標準的低成本面板電位計的循環(huán)壽命只有50000次,而Vishay的P11L的壽命則長達2百萬次
焊接絕緣柵(或雙柵)場效應管以及CMOS集成塊時,因其輸入阻抗很高、極間電容小,少量的靜電荷即會感應靜電高壓,導致器件擊穿損壞。筆者通過長期實踐摸索出下述焊接方法,取得令人滿意的效果。1.焊絕緣柵場效應管。
CCD(Charge Coupled Device)圖像傳感器(以下簡稱CCD)和CMOS圖像傳感器(CMOS Image Sensor以下簡稱CIS)的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結構不同而導致制造工藝的不同。CCD感光單元實現(xiàn)光電轉換后,以電荷的方
CCD(Charge Coupled Device)圖像傳感器(以下簡稱CCD)和CMOS圖像傳感器(CMOS Image Sensor以下簡稱CIS)的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結構不同而導致制造工藝的不同。CCD感光單元實現(xiàn)光電轉換后,以電荷的方