CMOS

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CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體，電壓控制的一種放大器件，是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。

ST發(fā)布500萬(wàn)像素CMOS影像傳感器開發(fā)藍(lán)圖

意法半導(dǎo)體（ST）發(fā)布在照相手機(jī)中的標(biāo)準(zhǔn)四分之一英寸光學(xué)格式500萬(wàn)像素CMOS影像傳感器開發(fā)藍(lán)圖的細(xì)節(jié)。意法半導(dǎo)體最新的先進(jìn)傳感器提供多種功能，是500萬(wàn)像素級(jí)別中功能最豐富的傳感器。意法半導(dǎo)體的新傳感器產(chǎn)品為

工業(yè)控制
2009-10-28

CMOS 影像傳感器 ST 相機(jī)
中芯國(guó)際將45納米工藝延伸至40納米及55納米

中芯國(guó)際(NYSE：SMI)日前宣布其45納米的互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù)將延伸至40納米以及55納米。這些新工藝技術(shù)進(jìn)一步豐富了中芯國(guó)際現(xiàn)有的技術(shù)能力，更好地滿足全球客戶的需求，包括快速增長(zhǎng)的中國(guó)市場(chǎng)在內(nèi)。其

模擬
2009-10-15

中芯國(guó)際 40納米 CMOS
0.18 µm CMOS制造工藝（安森美）

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)展定制晶圓代工能力，推出新的具價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力、符合業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的0.18微米(µm) CMOS工藝技術(shù)。這ONC18工藝是開發(fā)低功率及高集成度數(shù)字及混合信號(hào)專用集成電路(ASIC)的極佳平臺(tái)，用

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2009-10-13

安森美制造工藝 MICRO CMOS
基于ARM的便攜式系統(tǒng)的功耗管理

arm微處理器因其高性能和低功耗的特性，特別適合于便攜式系統(tǒng)的應(yīng)用。而系統(tǒng)級(jí)的問題對(duì)于有效的功耗管理也是非常重要的。本文主要對(duì)硬件及系統(tǒng)的功耗管理作一些介紹。功耗管理電路能盡可能地降低便攜式系統(tǒng)的

數(shù)字電源
2009-10-10

ARM SDRAM BSP CMOS
基于ARM的便攜式系統(tǒng)的功耗管理

基于ARM的便攜式系統(tǒng)的功耗管理

嵌入式教程
2009-10-10

ARM SDRAM BSP CMOS
采用0.18µm CMOS設(shè)計(jì)用于2.5Gb/s收發(fā)器系統(tǒng)的16:1復(fù)用器電路

本文采用0.18µm CMOS工藝設(shè)計(jì)了用于2.5Gb/s收發(fā)器系統(tǒng)的16:1復(fù)用器電路。該電路采用數(shù)?；旌系姆椒ㄟM(jìn)行設(shè)計(jì)，第一級(jí)用數(shù)字電路實(shí)現(xiàn)16:4的復(fù)用，第二級(jí)用模擬電路實(shí)現(xiàn)4:1的復(fù)用，從而實(shí)現(xiàn)16:1的復(fù)用器。該電路采用SMIC 0.18µm工藝模型，使用Virtuoso AMS Simulator 工具進(jìn)行了仿真。仿真結(jié)果表明，當(dāng)電源電壓為1.8V，溫度范圍為0～70℃時(shí)，電路可以工作在2.5b/s，功耗約為6mW。

模擬
2009-10-10

收發(fā)器復(fù)用器 MICRO CMOS
CMOS升壓型DC/DC控制器（SII）

S-8365/8366系列是精工電子有限公司(SII)開發(fā)的一種由基準(zhǔn)電壓電路、振蕩電路、誤差放大電路、相位補(bǔ)償電路、時(shí)鐘閂鎖式短路保護(hù)電路、PWM控制電路(S-8365系列)、PWM / PFM切換控制電路(S-8366系列)等構(gòu)成的CMOS升壓

電源
2009-10-06

升壓型 BSP DC/DC控制器 CMOS
新興公司推出首款用于3G的CMOS功率放大器

無(wú)晶圓廠半導(dǎo)體公司Black Sand Technologies（德克薩斯/奧斯?。┬纪瞥鋈虻谝豢钣糜?G通信的CMOS射頻功率放大器。該公司表示，通過采用專利的PA架構(gòu)，改進(jìn)了器件的性能、成本、電池壽命和可靠性。Black Sand所推

消費(fèi)電子
2009-09-29

功率放大器 3G AC CMOS
中芯國(guó)際在65納米和45納米CMOS邏輯工藝上選擇Kilopass OTP嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存硅智財(cái)解決方案

style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;">2009年9月25日，嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存（NVM）硅智財(cái)（IP）的領(lǐng)先供貨商 -- Kilopass 科技公司 (Kilopass Technology

模擬
2009-09-27

中芯國(guó)際內(nèi)存 OPA CMOS
CMOS射頻接收機(jī)系統(tǒng)與電路

CMOS技術(shù)作為設(shè)計(jì)射頻接收機(jī)電路的一種主要技術(shù)，正在得到廣泛研究。本文首先總結(jié)了當(dāng)前射頻接收機(jī)的幾種常用結(jié)構(gòu)和主要的工作特性、參數(shù)，然后介紹了三種最新的不同結(jié)構(gòu)形式的CMOS射頻前端電路。

通信技術(shù)
2009-09-16

電路干擾抑制射頻接收機(jī) CMOS
膠囊醫(yī)療微型機(jī)器人獲得突破性進(jìn)展

通過吞咽，可在人腸道內(nèi)以螺旋方式行走的膠囊醫(yī)療微型機(jī)器人的研究有了突破性進(jìn)展。我國(guó)科學(xué)家目前已研制出樣機(jī)，并在離體豬腸中取得良好的實(shí)驗(yàn)效果。體內(nèi)介入檢查與治療具有安全、微創(chuàng)等優(yōu)點(diǎn)，并迅速成為醫(yī)學(xué)工程

消費(fèi)電子
2009-08-26

微型機(jī)器人內(nèi)窺鏡 BSP CMOS

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CMOS

ST發(fā)布500萬(wàn)像素CMOS影像傳感器開發(fā)藍(lán)圖

中芯國(guó)際將45納米工藝延伸至40納米及55納米

0.18 µm CMOS制造工藝（安森美）

基于ARM的便攜式系統(tǒng)的功耗管理

基于ARM的便攜式系統(tǒng)的功耗管理

采用0.18µm CMOS設(shè)計(jì)用于2.5Gb/s收發(fā)器系統(tǒng)的16:1復(fù)用器電路

CMOS升壓型DC/DC控制器（SII）

新興公司推出首款用于3G的CMOS功率放大器

中芯國(guó)際在65納米和45納米CMOS邏輯工藝上選擇Kilopass OTP嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存硅智財(cái)解決方案

CMOS射頻接收機(jī)系統(tǒng)與電路

膠囊醫(yī)療微型機(jī)器人獲得突破性進(jìn)展

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