
從數(shù)十年前被發(fā)明以來,MOS晶體管的尺寸已經(jīng)被大大縮小。門氧化層厚度、通道長度和寬度的降低,推動(dòng)了整體電路尺寸和功耗的大大減少。由于門氧化物厚度的減小,最大可容許電源電壓降低,而通道長度和寬度的縮減則縮小
引言 比較器廣泛應(yīng)用于從模擬信號(hào)到數(shù)字信號(hào)的轉(zhuǎn)換過程當(dāng)中。在模一數(shù)轉(zhuǎn)換過程中,經(jīng)過采樣的信號(hào)經(jīng)過比較器以決定模擬信號(hào)輸出的數(shù)字值。比較器可以比較一個(gè)模擬信號(hào)和另外一個(gè)模擬信號(hào)或參考信號(hào)的大小。比較
模擬電路 1、 基爾霍夫定理的內(nèi)容是什么?(仕蘭微電子) 基爾霍夫電流定律是一個(gè)電荷守恒定律,即在一個(gè)電路中流入一個(gè)節(jié)點(diǎn)的電荷與流出同一個(gè)節(jié)點(diǎn)的電荷相等. 基爾霍夫電壓定律是一個(gè)能量守恒定律,即在一個(gè)回
電子工程師面試常被問到的問題
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對(duì)于微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)市場(chǎng),不僅臺(tái)灣半導(dǎo)體廠商抱持高度興趣,就連大陸晶圓代工廠同樣十分關(guān)注,臺(tái)系MEMS設(shè)計(jì)公司透露,繼中芯國際(SMIC)日前宣布投入MEMS晶圓代工后,再度有大陸晶圓代工廠加入MEMS晶圓代工行列。
依據(jù)帶隙基準(zhǔn)原理,采用華潤上華(CSMC)O.5μm互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)工藝,設(shè)計(jì)了一種用于總線低電壓差分信號(hào)(Bus Low Voltage Differential Signal,簡稱BLVDS)的總線收發(fā)器帶隙基準(zhǔn)電路。該電路有較低的溫度系數(shù)和較高的電源抑制比。Hspice仿真結(jié)果表明,在電源電壓yD0==3.3 V,溫度強(qiáng)25℃時(shí),輸出基準(zhǔn)電壓V~r=1.25 V。在溫度范圍為-45℃~+85℃時(shí),輸出電壓的溫度系數(shù)為20 pm/℃,電源電壓的抑制比6(PSRR)=一58.3 dB。
2月3日消息,廣達(dá)林百里的秘密武器即將出籠!市場(chǎng)傳出,廣達(dá)將與原相合作推出新操作接口的觸控顯示產(chǎn)品,預(yù)計(jì)第2季就會(huì)亮相,也讓市場(chǎng)在今年一片景氣疑慮中,對(duì)兩家公司持續(xù)看好。 蘋果的iPhone帶起觸控屏幕風(fēng)潮之后
對(duì)于微機(jī)電(MEMS)市場(chǎng)大餅,不僅臺(tái)灣半導(dǎo)體廠商抱持高度興趣,就連大陸晶圓代工廠同樣投注關(guān)愛眼神,臺(tái)系MEMS設(shè)計(jì)公司透露,繼中芯國際(SMIC)日前宣布投入MEMS晶圓代工后,再度有大陸晶圓代工廠加入MEMS晶圓代工行列
新日本無線開發(fā)完成了雙電路低噪聲CMOS單電源軌至軌輸出運(yùn)算放大器NJU7029,并開始發(fā)放樣品。 該產(chǎn)品最適用于加速度傳感器,震蕩傳感器和光傳感器的信號(hào)處理。 NJU7029是一款雙電路CMOS 運(yùn)算放大器。該產(chǎn)品繼
OmniVision Technologies, Inc.日前宣布推出首款專為先進(jìn)的汽車視覺和傳感系統(tǒng)設(shè)計(jì)的百萬像素CMOS影像傳感器 ——采用QFP封裝的OV9710。百萬像素感測(cè)器是汽車視覺系統(tǒng)領(lǐng)域的新一代設(shè)計(jì),讓具有前瞻性的以及超廣角的先
富士通微電子(上海)有限公司近日宣布,富士通實(shí)驗(yàn)室和富士通株式會(huì)社聯(lián)合開發(fā)出一款具有高擊穿電壓并基于邏輯制程的CMOS高壓晶體管,該晶體管適用于無線設(shè)備的功率放大器。作為先進(jìn)科技的先驅(qū),富士通開發(fā)完成了世
分析了兩種傳統(tǒng)的基于共源共柵結(jié)構(gòu)的低噪聲放大器LNA技術(shù):實(shí)現(xiàn)噪聲優(yōu)化和輸入匹配SNIM技術(shù)并在功耗約束下同時(shí)實(shí)現(xiàn)噪聲優(yōu)化和輸入匹配PCSNIM技術(shù)。針對(duì)其固有不足,提出了一種新的低功耗、低噪聲放大器設(shè)計(jì)方法。
半導(dǎo)體業(yè)界團(tuán)體和調(diào)查公司相繼宣布下調(diào)世界半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)。對(duì)2008年與上年相比的增長率,世界半導(dǎo)體市場(chǎng)統(tǒng)計(jì)(WSTS)由+4.7%調(diào)整為+2.5%,美國SIA由+4.3%調(diào)整為+2.2%,美國iSuppli由+3.5%調(diào)整為-2%,