3．7 GHz寬帶CMOS LC VCO的設(shè)計

設(shè)計了一款3．7 GHz寬帶CMOS電感電容壓控振蕩器。采用了電容開關(guān)的技術(shù)以補償工藝、溫度和電源電壓的變化，并對片上電感和射頻開關(guān)進行優(yōu)化設(shè)計以得到最大的Q值。電路采用和艦0．18 μm CMOS混合信號制造工藝，芯片面積為0．4 mm×1 mm。測試結(jié)果顯示，芯片的工作頻率為3．4~4 GHz，根據(jù)輸出頻譜得到的相位噪聲為一100 dBc／Hz@1 MHz，在1．8V工作電壓下的功耗為10 mW。測試結(jié)果表明，該VCO有較大的工作頻率范圍和較低的相位噪聲性能，可以用于鎖相環(huán)和頻率合成器。

3．7 GHz寬帶CMOS LC VCO的設(shè)計

3．7 GHz寬帶CMOS LC VCO的設(shè)計

IMEC擴建研究基地 新增實驗室面積2800平方米

比利時納電子研究中心IMEC日前宣布擴建位于魯汶的研究基地，實驗室面積將新增2800平方米，其中包括高端凈化間。擴建后，IMEC將加強32nm以下節(jié)點CMOS技術(shù)、低成本高效率太陽能電池和生物電子等技術(shù)的研究。IMEC同時還

低功耗CMOS電壓基準(zhǔn)源的設(shè)計

l 引 言 電壓基準(zhǔn)可以在溫度及電源電壓變化環(huán)境中提供穩(wěn)定的參考電壓，被廣泛應(yīng)用于比較器，A／D，D／A轉(zhuǎn)換器，信號處理器等集成電路中。目前已有不少Bipolar工藝和CMOS工藝的電壓基準(zhǔn)應(yīng)用于實際中，并且獲得了

高速CMOS LDO電壓調(diào)整器（特瑞仕）

特瑞仕半導(dǎo)體在日本東京開發(fā)了輸出電流高達1A、帶自動節(jié)能功能的高速CMOS　LDO電壓調(diào)整器--XC6220系列產(chǎn)品。XC6220系列是采用高精度、低噪聲、低壓差的CMOS工藝、輸出為1A的大電流式LDO電壓調(diào)整器。內(nèi)置低導(dǎo)通電阻的

基于USB2.O的CMOS圖像采集系統(tǒng)的設(shè)計

O 引言 CMOS圖像傳感器與CCD圖像傳感器相比，具有功耗低、集成度高，便于采用高速的并行讀取體系等優(yōu)點，因而在圖像傳感、天文觀測、星敏感器等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。目前圖像采集主要基于PCI總線或其他傳統(tǒng)接串并

低壓低功耗CMOS電流反饋運算放大器設(shè)計

　　放大器作為集成電路的一種重要的組成部分是國內(nèi)外研究的熱點。電壓模式放大器有一個明顯的缺點就是隨著被處理信號的頻率越來越高,電壓模式電路的固有缺點開始阻礙它在高頻高速環(huán)境中的應(yīng)用。主要由于閉環(huán)增益和閉

無線設(shè)備中CMOS頻率源的應(yīng)用趨勢

采用CMOS技術(shù)提供頻率參考源比采用傳統(tǒng)頻率發(fā)生方法有更多的優(yōu)點。而最近發(fā)布的CMOS時鐘發(fā)生器主要是針對有線應(yīng)用設(shè)計的，可以在高頻率下工作、尺寸小和易于集成的優(yōu)點使其能夠非常容易地擴展到更加廣泛的無線應(yīng)用中。在有些應(yīng)用中，CMOS振蕩器可以為那些要求嚴(yán)格的產(chǎn)品改善性能；而在另外一些應(yīng)用中，通過它們就能夠設(shè)計出全新的無線產(chǎn)品且避免使用非半導(dǎo)體器件。

3G中的CMOS基RF集成

用戶需要更小更便宜的手機,在手持裝置中得到快速服務(wù)和更多功能。這正在促使業(yè)界加速創(chuàng)新解決方案,降低成本使產(chǎn)品盡快上市。這種外加壓力,使制造商重新考慮解決這些問題的技術(shù)?！　」杓夹g(shù)和集成關(guān)鍵元件單元(如RF 收

3G中的CMOS基RF集成

用戶需要更小更便宜的手機,在手持裝置中得到快速服務(wù)和更多功能。這正在促使業(yè)界加速創(chuàng)新解決方案,降低成本使產(chǎn)品盡快上市。這種外加壓力,使制造商重新考慮解決這些問題的技術(shù)?！　」杓夹g(shù)和集成關(guān)鍵元件單元(如RF 收

采用互補晶體管和CMOS驅(qū)動級的推扭電路

IIC-China 2009會場上多款新產(chǎn)品挑戰(zhàn)3M微型投影芯片

3月7日消息，微型投影技術(shù)自從誕生以來，就因為進一步化解了人們對于大尺寸畫面的無止境追求和對于便攜設(shè)備的小型化要求之間的矛盾，而被人們津津樂道。作為這一新興領(lǐng)域的巨頭之一，3M的微型投影技術(shù)一直都倍受矚目