CMOS
-
集成電路發(fā)展哲理
半導體技術極其豐富多彩，身陷其景，會有“不識廬山真面目，只緣身在此山中”的感觸。為此，既要“近賞細微”，又要“臨空瀏覽”，以期從中領悟到一些哲理。本演講根據半導體技術&ldq
-
基于CMOS閾值電壓的基準電路設計
摘要：在數／?；旌霞呻娐吩O計中電壓基準是重要的模塊之一。針對傳統電路產生的基準電壓易受電源電壓和溫度影響的缺點，提出一種新的設計方案，電路中不使用雙極晶體管，利用PMOS和NMOS的閾值電壓產生兩個獨立于電
-
集成電路發(fā)展哲理
半導體技術極其豐富多彩，身陷其景，會有“不識廬山真面目，只緣身在此山中”的感觸。為此，既要“近賞細微”，又要“臨空瀏覽”，以期從中領悟到一些哲理。 本演講根據半導體技術“由簡入繁”、又“化繁為簡”的
-
高清視頻CMOS電流舵數／模轉換器的設計
摘 要：高清晰電視(HDTV)和無線通信網絡的發(fā)展，對轉換器速度和精度提出了更高的要求?；谛滦蛡鬏旈T(TG) 結構組成的電流源單元矩陣和譯碼邏輯電路，提出一種適用于高清晰視頻使用的高速8位CMOS電流舵數／模轉換器(
-
基于電流折疊技術的CMOS全差分VCO設計
摘 要：針對目前通信系統應用上對壓控振蕩器的片上集成、寬調諧、調幅、啟動特性和功耗等提出的綜合性要求，分析和設計了一種壓控調頻調幅振蕩器，其延遲單元采用全差分結構，以消除共模噪聲和增加延遲控制的靈活性
-
新款±15V高精度CMOS模擬復用器（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出兩款為數據采集、工業(yè)過程控制、測試和測量以及醫(yī)療系統里的±15V高精度、低噪聲信號開關應用進行了優(yōu)化的復用器 --- 8通道的DG508B和4通道的DG509B。8通道的DG508B和4通
-
臺積電MEMS苦練7年 2010年將進入收成期
style="padding: 0px 8px; line-height: 24px;"> 臺積電在MEMS領域歷經7年苦練后，與客戶關系由接受指導，轉變成共同合作開發(fā)，臺積電主流技術事業(yè)發(fā)展處處長劉信生自信表示，臺積電MEMS將迎頭趕上國際IDM廠商腳步，
-
一種基于真隨機數發(fā)生器的擴展頻譜CMOS振蕩器的設計
采用恒流源充放電技術，以比較器為核心，利用一種新型真隨機數發(fā)生器產生隨機控制信號，設計一種基于0.5μm CMOS工藝的擴展頻譜振蕩器，振蕩頻率在1～1.6 MHz的范圍內。通過Cadence spectre仿真工具對電路進行仿真驗證，結果表明，該方案能夠在1～1.6 MHz的范圍內產生隨機振蕩信號。該振蕩器可以用于改善DC／DC轉換器的噪聲性能。
-
臺積電MEMS苦練7年 2010年進入收成期
臺積電在MEMS領域歷經7年苦練后，與客戶關系由接受指導，轉變成共同合作開發(fā)，臺積電主流技術事業(yè)發(fā)展處處長劉信生自信表示，臺積電MEMS將迎頭趕上國際IDM廠商腳步，相信2010年臺積電MEMS將進入收成期。劉信生在出席
-
ADI發(fā)表18款全新低功率ADC
美商亞德諾公司（Analog Devices）14日正式發(fā)表18款極具電源效率，解析度範圍從10到16位元的類比數位轉換器（ADC）。ADI的全新ADC乃是以對於電力需求極為敏感的通訊、工業(yè)、可攜式電子裝置、以及儀器設備等為對象所設
-
東芝NEC與IBM合作 共同開發(fā)28納米CMOS芯片
東芝NEC與IBM合作 共同開發(fā)28納米CMOS芯片
-
世界首個商用硅基CMOS光子半導體制造工藝投產
世界領先的硅基CMOS光子集成廠商Luxtera今天宣布,經過與飛思卡爾半導體公司多年的密切合作，利用后者的制造資源，實現了世界首個商用級硅基CMOS光子半導體制造工藝的投產。 CMOS光子 Luxtera 硅基CMOS 光子集成
-
超低中頻CMOS下混頻器的設計
摘 要：低中頻架構由于其鏡像抑制能力強，易于集成等優(yōu)點而被廣泛應用于接收機的設計中?；祛l器作為接收機的重要模塊之一，它的主要作用是完成頻率轉換，其性能對接收機有很大的影響。設計了一個工作于GSM 850頻帶的
-
亞利桑那州大學與德州大學成功開發(fā)CMOS柔性晶體管
近日，亞利桑那州大學柔性顯示器中心(Flexible Display Center)與德州大學達拉斯分校聯合宣布已成功在柔性塑膠基板(Flexible Plastic Substrate) 制作CMOS電路系統.這項成功的開發(fā)將促進柔性電子應用。新的塑料CMOS
-
ST與Soitec合作開發(fā)下一代CMOS影像傳感器技術
近日，意法半導體（ST）與世界領先的工程基板供應商Soitec，宣布兩家公司簽訂一項排他性合作協議。根據此協議，兩家公司將合作開發(fā)300毫米晶圓級背光（BSI）技術，制造用于消費電子產品中的下一代影像傳感器。 當今的
-
意法半導體和Soitec聯手開發(fā)新一代CMOS圖像感測器技術
全球領先的半導體公司和全球CMOS影像技術領導商意法半導體 (STMicroelectronics)(STM) 和世界領先的工程基板供應商Soitec今天公布了兩家公司之間一項獨家合作，以便於為消費電子產品的新一代圖像感測器開發(fā) 300mm 晶
-
ST與Soitec合作開發(fā)CMOS影像傳感器技術
意法半導體（ST）與工程基板供應商Soitec，宣布兩家公司簽訂一項排他性合作協議。根據此協議，兩家公司將合作開發(fā)300毫米晶圓級背光（BSI）技術，制造用于消費電子產品中的下一代影像傳感器。當今的前沿影像傳感器技
-
思源科技與聯華電子提供65奈米PDK支持客制芯片設計
近日，思源科技與聯華電子共同宣布，將提供已通過晶圓專工驗證的LakerTM制程設計套件（PDK）予聯華電子65奈米制程技術使用。這項由雙方共同合作發(fā)展的PDK，是為了滿足雙方共同客戶在特殊設計與尖端制程上的需求。雙
-
思源科技與聯華電子合作推出65nm制程設計套件
電子設計自動化領導廠商思源科技與聯華電子共同宣布，即日起將提供已通過晶圓專工驗證的Laker制程設計套件（PDK）予聯華電子65奈米制程技術使用。這項由雙方共同合作發(fā)展的PDK，是為了滿足雙方共同客戶在特殊設計與尖
