本文介紹了一種采用安森美公司NCP1031系列單片高壓開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器(帶內(nèi)部MOSFET)的以太網(wǎng)供電(PoE)解決方案。這篇應(yīng)用指南詳細(xì)說(shuō)明了如何構(gòu)建低價(jià)高效、輸出功率達(dá)5.0到6.5W的5.0V直流電源(輸出功率取決于轉(zhuǎn)換模式-詳見(jiàn)下
傳統(tǒng)的分布式電源架構(gòu)采用多個(gè)隔離型DC-DC電源模塊將48V總線(xiàn)電壓轉(zhuǎn)換到系統(tǒng)電源電壓,如5V、3.3V和2.5V。然而該配置很難滿(mǎn)足快速響應(yīng)的低壓處理器、DSP、ASIC以及DDR存儲(chǔ)器的負(fù)載要求。這類(lèi)器件對(duì)電源提出了更加嚴(yán)格
傳統(tǒng)的分布式電源架構(gòu)采用多個(gè)隔離型DC-DC電源模塊將48V總線(xiàn)電壓轉(zhuǎn)換到系統(tǒng)電源電壓,如5V、3.3V和2.5V。然而該配置很難滿(mǎn)足快速響應(yīng)的低壓處理器、DSP、ASIC以及DDR存儲(chǔ)器的負(fù)載要求。這類(lèi)器件對(duì)電源提出了更加嚴(yán)格
傳統(tǒng)的分布式電源架構(gòu)采用多個(gè)隔離型DC-DC電源模塊將48V總線(xiàn)電壓轉(zhuǎn)換到系統(tǒng)電源電壓,如5V、3.3V和2.5V。然而該配置很難滿(mǎn)足快速響應(yīng)的低壓處理器、DSP、ASIC以及DDR存儲(chǔ)器的負(fù)載要求。這類(lèi)器件對(duì)電源提出了更加嚴(yán)格
太陽(yáng)誘電株式會(huì)社將兩種5mm角形的繞線(xiàn)型電感器投入生產(chǎn),直流重疊特性達(dá)到行業(yè)最高水平,產(chǎn)品分別是NRS5020(5.0×5.0×2.0mm,高度為最大值)和NR5040(5.0×5.0×4.1mm,高度為最大值)。 NRS5020的額定電流(直流
太陽(yáng)誘電株式會(huì)社將兩種5mm角形的繞線(xiàn)型電感器投入生產(chǎn),直流重疊特性達(dá)到行業(yè)最高水平,產(chǎn)品分別是NRS5020(5.0×5.0×2.0mm,高度為最大值)和NR5040(5.0×5.0×4.1mm,高度為最大值)。 NRS5020的額定電流(直流
隨著高新技術(shù)的不斷研發(fā),各種設(shè)備都已進(jìn)入高端化,作為后備軍,電源電路也有了較為明顯的進(jìn)步。具體來(lái)說(shuō),以典型的手機(jī)為例,除了原始的通話(huà)功能之外,相機(jī)、廣播、電視等各種功能已經(jīng)成為普遍標(biāo)準(zhǔn)的功能。這些功
摘要:DC-DC轉(zhuǎn)換器常用于采用電池供電的便攜式及其它高效系統(tǒng),在對(duì)電源電壓進(jìn)行升壓、降壓或反相時(shí),其效率高于95%。電源內(nèi)阻是限制效率的一個(gè)重要因素。本文描述了電源內(nèi)阻的對(duì)效率的影響、介紹了如何計(jì)算效率、實(shí)
Maxim推出同步DC-DC轉(zhuǎn)換器MAX15041,器件在3mm x 3mm的小尺寸封裝中集成了MOSFET。內(nèi)置MOSFET能夠提供比異步方案更高的效率(93%),同時(shí)還可簡(jiǎn)化設(shè)計(jì),并極大地降低EMI。MAX15041能夠輸出高達(dá)3A電流,非常適合電信和網(wǎng)
Maxim推出同步DC-DC轉(zhuǎn)換器MAX15041,器件在3mm x 3mm的小尺寸封裝中集成了MOSFET。內(nèi)置MOSFET能夠提供比異步方案更高的效率(93%),同時(shí)還可簡(jiǎn)化設(shè)計(jì),并極大地降低EMI。MAX15041能夠輸出高達(dá)3A電流,非常適合電信和網(wǎng)
瑞薩科技公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)瑞薩)推出12款第10代、面向服務(wù)器、通信設(shè)備和工業(yè)設(shè)備等應(yīng)用領(lǐng)域內(nèi)電源中使用的隔離DC-DC轉(zhuǎn)換器*1的功率MOSFET產(chǎn)品。新型功率MOSFET在降低開(kāi)關(guān)損耗*2、提高能效的同時(shí),還具有很寬的電壓容差
瑞薩科技公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)瑞薩)推出12款第10代、面向服務(wù)器、通信設(shè)備和工業(yè)設(shè)備等應(yīng)用領(lǐng)域內(nèi)電源中使用的隔離DC-DC轉(zhuǎn)換器*1的功率MOSFET產(chǎn)品。新型功率MOSFET在降低開(kāi)關(guān)損耗*2、提高能效的同時(shí),還具有很寬的電壓容差
引言 在便攜電子設(shè)備等空限受到高度約束的應(yīng)用中,其中一個(gè)主要的集成電路(IC)選擇標(biāo)準(zhǔn)是封裝尺寸。大多數(shù)模擬IC制造商能夠提供空間效率極高的封裝,如uDFN或uCSP。然而,在模擬功率分配方面,這類(lèi)超小型封裝IC
西安偉京電子推出高可靠DC-DC轉(zhuǎn)換器系列產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品采用SMT技術(shù),并配合性能優(yōu)異的導(dǎo)熱膠灌封而成,具有可靠性高、噪聲低、功率密度高等優(yōu)良特性,主要應(yīng)用于航空、航天、軍用電子等領(lǐng)域。高可靠DC-DC轉(zhuǎn)換器—4
西安偉京電子推出高可靠DC-DC轉(zhuǎn)換器系列產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品采用SMT技術(shù),并配合性能優(yōu)異的導(dǎo)熱膠灌封而成,具有可靠性高、噪聲低、功率密度高等優(yōu)良特性,主要應(yīng)用于航空、航天、軍用電子等領(lǐng)域。高可靠DC-DC轉(zhuǎn)換器—4
便攜型電子設(shè)備使用多個(gè)DC-DC轉(zhuǎn)換器,在機(jī)器和電力供給的各種模塊中多種多樣。用在這些DC-DC轉(zhuǎn)換器中的功率電感也同樣在尺寸、性能上必需多種多樣。