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是德科技推出全球最小的針對 DDR4 x16 設計的邏輯分析儀 BGA 內(nèi)插器探測解決方案
2015 年 8月13日，北京——是德科技公司(NYSE：KEYS)日前宣布推出配合邏輯分析儀執(zhí)行 DDR4 x16 DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)設計測試的全新 BGA(球形柵格陣列)內(nèi)插器解決方案。借助Keysight W4636ADDR4 x16
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是德科技推出全球最小邏輯分析儀BGA內(nèi)插器探測解決方案
是德科技公司日前宣布推出配合邏輯分析儀執(zhí)行 DDR4 x16 DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)設計測試的全新 BGA(球形柵格陣列)內(nèi)插器解決方案。借助 Keysight W4636ADDR4 x16 BGA 內(nèi)插器解決方案，工程師能夠快速且精確地捕獲地
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是德科技推出全球最小的針對DDR4 x16設計的邏輯分析儀BGA內(nèi)插器探測解決方案
是德科技公司(NYSE：KEYS)日前宣布推出配合邏輯分析儀執(zhí)行 DDR4 x16 DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)設計測試的全新 BGA(球形柵格陣列)內(nèi)插器解決方案。借助 Keysight W4636ADDR4 x16 BGA 內(nèi)插器解決方案，工程師能夠快速且精確地捕獲地址、命令信號和數(shù)據(jù)信號子集，以完成高達 2400Mb/s 的設計調(diào)試和功能驗證測量。
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Altera演示FPGA中業(yè)界性能最好的DDR4存儲器數(shù)據(jù)速率
21ic訊 Altera公司近日宣布，在硅片中演示了DDR4存儲器接口，其工作速率是業(yè)界最高的2,666Mbps。Altera的Arria 10 FPGA和SoC是目前業(yè)界唯一能夠支持這一速率DDR4存儲器的FP
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UltraScale架構DDR4 SDRAM接口的秘密
Adrian Cosoroaba和Terry Magee在本月MemCon上給出了關于DDR4 SDRAM接口的詳細展示，該演示應用于賽靈思UltraScale All Programmable FPGA上。接口設計將DDR SDRAM提升至2400Mbps甚至以上，同時降低接口功耗。為了達
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揚帆起航 DRAM新一代DDR4踏上征程
歷經(jīng)六年的開發(fā)時間，DDR4終于踏上征程，揚帆起航。近日英特爾服務器處理器Xeon E5-2600系列，正式推出采用Haswell新運算架構的第三代產(chǎn)品Xeon E5-2600 v3，開始支持時鐘頻
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三星量產(chǎn)全球首款20納米8Gb DDR4服務器用DRAM
三星電子今日宣布已開始量產(chǎn)全球首款20納米8Gb DDR4企業(yè)級服務器用DRAM。今年下半年適用于DDR4的服務器中央處理器已經(jīng)上市，此時量產(chǎn)該款DRAM產(chǎn)品將推動高端服務器市場從DDR3向DDR4的轉(zhuǎn)換?；?0納米8Gb DDR4的服
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歷時六年 DRAM新一代DDR4開啟征程
歷經(jīng)六年的開發(fā)時間，DDR4終于踏上征程，揚帆起航。近日英特爾服務器處理器Xeon E5-2600系列，正式推出采用Haswell新運算架構的第三代產(chǎn)品Xeon E5-2600 v3，開始支持時鐘頻
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DDR4、NAND Flash存儲器芯片發(fā)展趨勢
轉(zhuǎn)自臺灣digitimes的消息，DDR4以前瞻性的高傳輸速率、低功耗與更大記憶容量，在2014年下半將導入英特爾工作站/伺服器以及高端桌上型電腦平臺，并與LP-DDR3存儲器將同時存在一段時間;至于NAND Flash快閃存儲器也跨
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是德科技推出用于 Infiniium 系列示波器的 DDR4 BGA 內(nèi)插器
21ic訊 是德科技公司日前宣布推出用于 Infiniium 系列示波器的 DDR4 球形柵格陣列(BGA)內(nèi)插器探測解決方案。DDR4 BGA 探頭與示波器結合使用，可以讓工程師調(diào)試和表征他們的 DDR4 內(nèi)存設計，以及驗證器件與 JEDEC D
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單條最高64GB！三星量產(chǎn)DDR4內(nèi)存
韓國三星電子今天正式宣布，目前已經(jīng)開始正式量產(chǎn)全球首款采用3D TSV立體硅穿孔封裝技術打造的DDR4內(nèi)存條，單條容量高達64GB。該DDR4內(nèi)存采用三星自家先進的2xnm工藝，所采用的TSV技術，是一種穿透硅晶
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影馳HOF系列DDR4內(nèi)存問世
高大上的新一代Haswell-E旗艦桌面處理器和X99主板都已經(jīng)登場一星期了，與此同時也帶來了一大波DDR4內(nèi)存，這次可能會讓你吃驚，因為熱門硬件廠商影馳也將要推出HOF系列DDR4內(nèi)存。其實影馳在年中的Comput
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英特爾發(fā)布Xeon E5 v3處理器：支持DDR4內(nèi)存
在IDF14前夕，英特爾正式發(fā)布全新的服務器處理器產(chǎn)品E5 v3，雖然看上去這只是一次例行公事的升級，但這對于英特爾繼續(xù)鞏固目前的服務器市場無疑是有益的。另外E5 v3針對軟件定義SDI進行優(yōu)化，可以進行更
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支持DDR4內(nèi)存！英特爾發(fā)布Xeon E5 v3處理器
在IDF14前夕，英特爾正式發(fā)布全新的服務器處理器產(chǎn)品E5 v3，雖然看上去這只是一次例行公事的升級，但這對于英特爾繼續(xù)鞏固目前的服務器市場無疑是有益的。另外E5 v3針對軟件定義SDI進行優(yōu)化，可以進行更智能的資源調(diào)
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DDR4內(nèi)存標準關鍵屬性大公開：電壓僅1.2V
JEDEC固態(tài)技術協(xié)會今天公布了DDR4內(nèi)存標準中的部分關鍵屬性，并宣布將在2012年年中正式發(fā)布新一代內(nèi)存標準規(guī)范，相比于DDR3取得重大性能提升，同時繼續(xù)降低功耗。JEDEC固態(tài)
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AgigA Tech公司推出業(yè)界首款DDR4 NVDIMM
21ic訊 領先市場的高速、高容量、無需電池的非易失性存儲解決方案供應商，賽普拉斯半導體公司的子公司 AgigA Tech公司日前宣布，開始向主要OEM和開發(fā)合作伙伴提供業(yè)界首款DDR4 非易失性 DIMM (NVDIMM)的樣品。AGIGA
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三星宣布完成第一款DDR4內(nèi)存開發(fā)樣品
三星電子今天宣布，已經(jīng)完成了歷史上第一款DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存條的開發(fā)，并采用30nm級工藝制造了首批樣品。時至今日，DDR4內(nèi)存的標準規(guī)范仍未最終定奪。三星這條樣品屬于UDI
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Molex更新DDR4 DIMM插座提供多種改進
21ic訊 Molex公司現(xiàn)推出DDR4 DIMM插座產(chǎn)品，具有氣動及標準兩種型款，為設計工程師提供更多的選項和更高的性能，同時保持成本競爭力。氣動插座產(chǎn)品具有通孔端接類型和流線型的鎖閂及外殼, 提供更好的氣流及節(jié)省空間
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安捷倫推出ADS DDR4一致性測試平臺 解決仿真－測量關聯(lián)挑戰(zhàn)
21ic訊 安捷倫科技公司(NYSE: A)日前推出ADS先進設計系統(tǒng) DDR4 一致性測試平臺，為工程師提供從仿真設計到測量原型產(chǎn)品的完整工作流程。無論是開發(fā) DDR 控制器 IP 的半導體公司、開發(fā) DRAM 芯片和 DIMM 的存儲器廠商
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JEDEC固態(tài)技術協(xié)會發(fā)布DDR4存儲器標準
【導讀】微電子產(chǎn)業(yè)標準機構JEDEC固態(tài)技術協(xié)會發(fā)布廣為業(yè)界期待的DDR4內(nèi)存標準。JEDEC DDR4 (JESD79-4) 內(nèi)存標準的制定旨在提高性能與可靠性的同時降低功耗。因此，相較于此前的DRAM內(nèi)存技術，DDR4代表著實質(zhì)性的進步
