DDR4

關(guān)注人關(guān)注

我要報錯

Intel至強(qiáng)線路圖曝光 Skylake將用14nm制程

國外媒體最近曝出了一張Intel至強(qiáng)(Xeon)處理器產(chǎn)品發(fā)布線路圖，這張線路圖表明Intel正在籌備Skylake架構(gòu)的芯片產(chǎn)品。Skylake將是目前尚未發(fā)布的Broadwell平臺的繼任者，這一平臺預(yù)計(jì)也得幾年之后才會和用戶見面，搭載

電子設(shè)計(jì)自動化
2013-07-08

線路圖 Intel SKYLAKE DDR4
Intel Skylake平臺將采用14nm制程并支持DDR4/PCIe 4

國外媒體最近曝出了一張Intel至強(qiáng)(Xeon)處理器產(chǎn)品發(fā)布線路圖，這張線路圖表明Intel正在籌備Skylake架構(gòu)的芯片產(chǎn)品。Skylake將是目前尚未發(fā)布的Broadwell平臺的繼任者，這一平臺預(yù)計(jì)也得幾年之后才會和用戶見面，搭載

電子設(shè)計(jì)自動化
2013-07-05

PCIE Intel SKYLAKE DDR4
DDR4內(nèi)存樣品開始出貨

Innodisk(宜鼎國際)一家并不太大的DRAM、NAND獨(dú)立供應(yīng)商，但他們卻宣布已經(jīng)開始向服務(wù)器廠商出貨自己的DDR4 RDIMM內(nèi)存條樣品。這是在沒有自主DRAM制造能力的廠商中，為數(shù)不多能做到這一點(diǎn)的。Innodisk并未透露自己出

智能硬件
2013-05-20

DRAM 內(nèi)存 GB DDR4
消費(fèi)級DDR4內(nèi)存條第一次露面，下邊竟是彎的！

海力士、三星等過去兩年曾經(jīng)陸續(xù)展示過自己的DDR4內(nèi)存樣品，但都是企業(yè)級的UDIMM、RDIMM?，F(xiàn)在，美光旗下品牌Crucial終于拿出了去年五月份就預(yù)告過的第一款消費(fèi)級DDR4 DIMM內(nèi)存條。該內(nèi)存條屬于Crucia

智能硬件
2013-01-15

內(nèi)存條 GB CRUCIAL DDR4
第一款消費(fèi)級DDR4內(nèi)存條浮出水面弧形設(shè)計(jì)

海力士、三星等過去兩年曾經(jīng)陸續(xù)展示過自己的DDR4內(nèi)存樣品，但都是企業(yè)級的UDIMM、RDIMM?，F(xiàn)在，美光旗下品牌Crucial終于拿出了去年五月份就預(yù)告過的第一款消費(fèi)級DDR4 DIMM內(nèi)存條。該內(nèi)存條屬于Crucial Ballistix系列

智能硬件
2013-01-11

內(nèi)存條 GB CRUCIAL DDR4
展望2013年存儲行業(yè)：創(chuàng)新不斷煥發(fā)正能量

DDR3內(nèi)存給行業(yè)注入正能量 2012年是近年內(nèi)存行業(yè)最為輝煌的一年，內(nèi)存顆粒制造工藝全面推薦到30nm，DDR3內(nèi)存提高頻率到1600MHz，同時8GB DDR3內(nèi)存進(jìn)入普及。不但廠家從里面獲利，廣大網(wǎng)友們也樂在其中，形成真正的雙

消費(fèi)電子
2013-01-06

內(nèi)存 SSD GB DDR4
ARM服務(wù)器炸彈：A15 16核心、支持DDR4

ARM距離服務(wù)器越來越近了！今天，ARM宣布了新一代緩存一致性網(wǎng)絡(luò)“CoreLink CCN-504”，這套高性能的服務(wù)器系統(tǒng)IP號稱可以滿足未來10-15年的海量數(shù)據(jù)和高效網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)需求。該網(wǎng)路基于AMBA 4 ACE規(guī)范和C

智能硬件
2012-10-17

ARM A15 LINK DDR4
ARM服務(wù)器炸彈！A15 16核心、支持DDR4

ARM距離服務(wù)器越來越近了！今天，ARM宣布了新一代緩存一致性網(wǎng)絡(luò)“CoreLink CCN-504”，這套高性能的服務(wù)器系統(tǒng)IP號稱可以滿足未來10-15年的海量數(shù)據(jù)和高效網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)需求。該網(wǎng)路基于AMBA 4 ACE規(guī)范和Corte

智能硬件
2012-10-12

ARM AC A15 DDR4
DDR4內(nèi)存可以快速發(fā)展嗎？

我們知道現(xiàn)在DDR3內(nèi)存逐步發(fā)展，已經(jīng)成為目前主流的選擇，而且現(xiàn)在性能最高也達(dá)到了DDR3-2133，明年DDR4內(nèi)存將會出現(xiàn)，預(yù)計(jì)數(shù)據(jù)傳輸率將會從1600起跳，可以達(dá)到4266的水平，是DDR3的兩倍。在很多人看來，內(nèi)存已經(jīng)很少

消費(fèi)電子
2012-09-29

內(nèi)存 DDR3 Intel DDR4
Synopsys DesignWare DDR4存儲器接口IP實(shí)現(xiàn)擴(kuò)充

新思科技公司（Synopsys, Inc.）日前宣布：其DesignWare DDR接口IP產(chǎn)品組合已經(jīng)實(shí)現(xiàn)擴(kuò)充，以使其包括了對基于新興的DDR4標(biāo)準(zhǔn)的下一代SDRAM。通過在一個單內(nèi)核中就實(shí)現(xiàn)對DDR4、DDR3以及LPDDR2/3的支持，DesignWare DD

電子設(shè)計(jì)自動化
2012-09-27

存儲器接口 SYNOPSYS DESIGN DDR4
Synopsys發(fā)布DesignWare DDR4存儲器接口IP

21ic訊新思科技公司(Synopsys, Inc)日前宣布：其DesignWare DDR接口IP產(chǎn)品組合已經(jīng)實(shí)現(xiàn)擴(kuò)充，以使其包括了對基于新興的DDR4標(biāo)準(zhǔn)的下一代SDRAM。通過在一個單內(nèi)核中就實(shí)現(xiàn)對DDR4、DDR3以及LPDDR2/3的支持，DesignWa

智能硬件
2012-09-26

存儲器接口 SYNOPSYS DESIGN DDR4
Cadence世界上首款28nm工藝DDR4內(nèi)存控制器試驗(yàn)成功

Cadence Design Systems周一宣布，該公司自有知識產(chǎn)權(quán)的DDR4內(nèi)存物理層及內(nèi)存控制器電路已經(jīng)在TSMC 28nm(28nm HPM及28nm HP)工藝下試驗(yàn)成功，這將是世界上第一款28nm工藝的DDR4內(nèi)存控制器。 Cadence公司產(chǎn)品部門、S

電子設(shè)計(jì)自動化
2012-09-13

內(nèi)存控制器 CADENCE HP DDR4
首個DDR4 IP設(shè)計(jì)解決方案在28納米級芯片上獲驗(yàn)證

全球電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司(Cadence Design Systems, Inc.)日前宣布，Cadence DDR4 SDRAM PHY 和存儲控制器Design IP的首批產(chǎn)品在TSMC的28HPM和28HP技術(shù)工藝上通過硅驗(yàn)證。為了擴(kuò)大在動態(tài)隨機(jī)存取

電子設(shè)計(jì)自動化
2012-09-11

芯片納米級 IP設(shè)計(jì) DDR4
首個DDR4 IP設(shè)計(jì)方案在28納米級芯片上獲驗(yàn)證

首個DDR4 IP設(shè)計(jì)方案在28納米級芯片上獲驗(yàn)證

嵌入式動態(tài)
2012-09-10

芯片納米級 IP設(shè)計(jì) DDR4
英特爾對于DDR4在DRAM市場中的騰飛非常關(guān)鍵

據(jù)IHS iSuppli公司的DRAM動態(tài)簡報，雖然DDR4將在今后幾年內(nèi)得到更加廣泛的采用，但芯片巨頭英特爾的支持力度將是決定DDR4能否在DRAM領(lǐng)域獲得成功的關(guān)鍵變數(shù)?？紤]到2011年出貨量為零，今年出貨量預(yù)計(jì)只占總體DRAM領(lǐng)域

消費(fèi)電子
2012-07-25

DRAM CPU 英特爾 DDR4
英特爾對于DDR4在DRAM市場中的騰飛將非常關(guān)鍵

據(jù)IHS iSuppli公司的DRAM動態(tài)簡報，雖然DDR4將在今后幾年內(nèi)得到更加廣泛的采用，但芯片巨頭英特爾的支持力度將是決定DDR4能否在DRAM領(lǐng)域獲得成功的關(guān)鍵變數(shù)?？紤]到2011年出貨量為零，今年出貨量預(yù)計(jì)只占總體DRAM領(lǐng)域

智能硬件
2012-07-23

DRAM CPU 英特爾 DDR4
三星推首款30納米級服務(wù)器模塊

半導(dǎo)體廠商三星電子近日宣布將推出全球首款30納米級4GB DDR4服務(wù)器DRAM模塊。三星電子繼2010年12月成功研發(fā)出業(yè)內(nèi)首款30納米級2GB DDR4模塊后，又在今年6月針對CPU廠商及控制器廠商推出了高性能16GB和8GB的DDR4 RDIM

充電吧
2012-07-12

三星納米級 GB DDR4
三星：業(yè)界首個單條16GB DDR4內(nèi)存已經(jīng)搞定

三星電子今日宣布，該公司已成為業(yè)內(nèi)首個成功試產(chǎn)16GB DDR4內(nèi)存模組的廠商。此次亮相的這一產(chǎn)品為RDIMM形式，面向企業(yè)級服務(wù)器市場。目前三星采用的生產(chǎn)制程工藝為30nm級別，6月試產(chǎn)的樣品包括單條8GB

智能硬件
2012-07-05

三星內(nèi)存 GB DDR4
GDDR6顯存啟動 2014年到來

GDDR5顯存已經(jīng)成為中高端獨(dú)立顯卡的標(biāo)配，頻率也在不斷拔高，現(xiàn)在動不動就上6GHz。很自然地你也應(yīng)該能想到，下一代GDDR6悄然已經(jīng)啟動了。GDDR6的標(biāo)準(zhǔn)制定工作由JEDEC負(fù)責(zé)，而其中占據(jù)主導(dǎo)地位的還是AMD。事實(shí)上，GDD

智能硬件
2012-06-25

AMD 顯存 DDR DDR4
Haswell-EP細(xì)節(jié)：四通道DDR4、14核心？

經(jīng)常爆料Intel未來產(chǎn)品技術(shù)細(xì)節(jié)的國內(nèi)網(wǎng)友“Bigpao007”近日又抖摟出了Intel Haswell-EP Xeon處理器的不少資料，這也是該平臺第一次流露出如此多的詳細(xì)內(nèi)幕。之前我們就已經(jīng)知道，Intel準(zhǔn)備在Haswell-EP、

智能硬件
2012-06-25

四通道 HASWELL BRIDGE DDR4

首頁上一頁 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 下一頁尾頁

DDR4

Intel至強(qiáng)線路圖曝光 Skylake將用14nm制程

Intel Skylake平臺將采用14nm制程并支持DDR4/PCIe 4

DDR4內(nèi)存樣品開始出貨

消費(fèi)級DDR4內(nèi)存條第一次露面，下邊竟是彎的！

第一款消費(fèi)級DDR4內(nèi)存條浮出水面弧形設(shè)計(jì)

展望2013年存儲行業(yè)：創(chuàng)新不斷煥發(fā)正能量

ARM服務(wù)器炸彈：A15 16核心、支持DDR4

ARM服務(wù)器炸彈！A15 16核心、支持DDR4

DDR4內(nèi)存可以快速發(fā)展嗎？

Synopsys DesignWare DDR4存儲器接口IP實(shí)現(xiàn)擴(kuò)充

Synopsys發(fā)布DesignWare DDR4存儲器接口IP

Cadence世界上首款28nm工藝DDR4內(nèi)存控制器試驗(yàn)成功

首個DDR4 IP設(shè)計(jì)解決方案在28納米級芯片上獲驗(yàn)證

首個DDR4 IP設(shè)計(jì)方案在28納米級芯片上獲驗(yàn)證

英特爾對于DDR4在DRAM市場中的騰飛非常關(guān)鍵

英特爾對于DDR4在DRAM市場中的騰飛將非常關(guān)鍵

三星推首款30納米級服務(wù)器模塊

三星：業(yè)界首個單條16GB DDR4內(nèi)存已經(jīng)搞定

GDDR6顯存啟動 2014年到來

Haswell-EP細(xì)節(jié)：四通道DDR4、14核心？

相關(guān)標(biāo)簽

關(guān)注此標(biāo)簽的用戶(人)

熱門活動

課程視頻