DDR4今年年底抵達PC

DDR4作為DDR3 DRAM的繼承者，Micron本周一宣布明年將有望和大家見面，被應用在普通PC上。據澳大利亞的Techworld報道，公司已經為發(fā)售初始版本的內存DDR4做好準備。DDR3作為目前主流電腦的不二選擇，相比較即將來臨的

美光宣布首個DDR4內存模組研發(fā)完成

美光宣布首個DDR4內存模組研發(fā)完成

DDR3沒錢賺了：三星敦促Intel盡快支持DDR4

業(yè)內消息稱，三星電子正努力勸說Intel盡快推出支持DDR4內存的新平臺，因為目前過低的價格導致DDR3已經基本無利可圖。根據此前消息，Intel要到至少2014年才會在企業(yè)級服務器平臺Haswell-EX上首次支持DDR4，而在桌面上

Intel計劃2014年開始支持DDR4

DDR3正處于如日中天的壯年期，DDR4并不會急匆匆地到來。最新消息顯示，DDR4內存或于2014年首先用于服務器領域，然后再過一年半左右才進入桌面。據悉，Intel的再下代企業(yè)級服務器平臺Haswell-EX將會第一個整合DDR4內存

英特爾Haswell-EX CPU將支持DDR4

4月6日，據國外媒體報道，似乎消費者對于英特爾公司目前的成就并不滿意，他們所關心的是該公司對于未來的規(guī)劃，例如從現在起兩年內的產品計劃。據了解內情的人士透露，英特爾公司目前所研發(fā)的一種產品將會讓喜歡高存

英特爾計劃2014年開始支持DDR4

DDR3正處于如日中天的壯年期，DDR4并不會急匆匆地到來。最新消息顯示，DDR4內存或于2014年首先用于服務器領域，然后再過一年半左右才進入桌面。據悉，Intel的再下代企業(yè)級服務器平臺Haswell-EX將會第一個整合DDR4內存

英特爾計劃2014年開始支持DDR4

DDR3正處于如日中天的壯年期，DDR4并不會急匆匆地到來。最新消息顯示，DDR4內存或于2014年首先用于服務器領域，然后再過一年半左右才進入桌面。據悉，Intel的再下代企業(yè)級服務器平臺Haswell-EX將會第一個整合DDR4內存

DDR4早著呢：Intel 2014年才會支持

DDR4內存的標準規(guī)范已經基本制定完成，三星、海力士等也早都陸續(xù)完成了樣品，但因為DDR3正處于如日中天的壯年期，DDR4并不會急匆匆地到來。最新消息顯示，DDR4內存或于2014年首先用于服務器領域，然后再過一年半左右

美光提出3D內存封裝標準“3DS” 或成DDR4基石

美光科技表示，正在與標準化組織JEDEC合作，爭取制定3D內存堆疊封裝技術的標準化，并且有可能成為下一代DDR4內存的基本制造技術。美光將此標準提案稱為“3DS”——不是任天堂的新掌機，而是&ldq

美光3D內存封裝標準“3DS” 或成DDR4基石

美光科技今天表示，正在與標準化組織JEDEC合作，爭取制定3D內存堆疊封裝技術的標準化，并且有可能成為下一代DDR4內存的基本制造技術。美光將此標準提案稱為“3DS”——不是任天堂的新掌機，而是

美光3D內存封裝標準“3DS” 或成DDR4基石

美光科技今天表示，正在與標準化組織JEDEC合作，爭取制定3D內存堆疊封裝技術的標準化，并且有可能成為下一代DDR4內存的基本制造技術。美光將此標準提案稱為“3DS”，也即“三維堆疊”(three-dimensional stacking)。

美光3D內存封裝標準“3DS” 或成DDR4基石

美光科技表示，正在與標準化組織JEDEC合作，爭取制定3D內存堆疊封裝技術的標準化，并且有可能成為下一代DDR4內存的基本制造技術。美光將此標準提案稱為“3DS”，也即“三維堆疊”(three-dimensi

性能絕對過剩？DDR4內存發(fā)展技術解析

DDR4：末路黃花or發(fā)展契機？我們知道現在DDR3內存逐步發(fā)展，已經成為目前主流的選擇，而且現在性能最高也達到了DDR3-2133，明年DDR4內存將會出現，預計數據傳輸率將會從1600起跳，可以達到4266的水平，是DDR3的兩倍。

DDR4內存標準關鍵屬性大公開：電壓僅1.2V

JEDEC固態(tài)技術協會今天公布了DDR4內存標準中的部分關鍵屬性，并宣布將在2012年年中正式發(fā)布新一代內存標準規(guī)范，相比于DDR3取得重大性能提升，同時繼續(xù)降低功耗。JEDEC固態(tài)技術協會宣稱，DDR4將具備一系列創(chuàng)新特性

DDR4內存標準關鍵屬性大公開：電壓僅1.2V

JEDEC固態(tài)技術協會日前公布了DDR4內存標準中的部分關鍵屬性，并宣布將在2012年年中正式發(fā)布新一代內存標準規(guī)范，相比于DDR3取得重大性能提升，同時繼續(xù)降低功耗。 JEDEC固態(tài)技術協會宣稱，DDR4將具備一系列創(chuàng)新特性

三星DDR4內存芯片速度提升一倍 2012年投產

三星電子星期二稱，它已經開發(fā)出了一種新的計算機內存模塊，讀寫數據的速度是上一代內存芯片的一倍。三星電子在聲明中稱，它將在2012年開始使用30納米級的技術生產這種新的DDR4 DRAM內存模塊。目前DRAM內存行業(yè)的主流

三星首推DDR4 DRAM規(guī)格內存

三星電子今天宣布，已經完成了歷史上第一款DDR4 DRAM規(guī)格內存條的開發(fā)，并采用30nm級工藝制造了首批樣品。 時至今日，DDR4內存的標準規(guī)范仍未最終定奪。三星這條樣品屬于UDIMM類型，容量為2GB，運行電壓只有1.2

DDR4 DRAM內存芯片速度將提升一倍

三星電子星期二稱，它已經開發(fā)出了一種新的計算機內存模塊，讀寫數據的速度是上一代內存芯片的一倍。三星電子在聲明中稱，它將在2012年開始使用30納米級的技術生產這種新的DDR4 DRAM內存模塊。目前DRAM內存行業(yè)的主流

Altera推出 DDR400 SDRAM DIMM接口