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臺(tái)積電12寸晶圓廠最新規(guī)劃概況

臺(tái)積電昨（12）日宣布，以29億元買(mǎi)下力晶竹科三五路興建中的12寸晶圓廠房，做為20奈米以下先進(jìn)制程的新基地。力晶29億元落袋，可提升現(xiàn)金部位，抵抗DRAM市況寒冬。市場(chǎng)原估計(jì)交易金額逾30億元，實(shí)際以29億元成交。外

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2011-01-13

臺(tái)積電晶圓廠 DRAM FAB
OCZ宣布退出DRAM業(yè)務(wù) 專(zhuān)注SSD

存儲(chǔ)解決方案廠商O(píng)CZ Technology近日宣布，它們將退出DRAM產(chǎn)品的業(yè)務(wù)，專(zhuān)注于固態(tài)硬盤(pán)（SSD）產(chǎn)品的研發(fā)和銷(xiāo)售。OCZ一直以高端的DRAM/內(nèi)存產(chǎn)品而聞名于業(yè)界，雖然近年來(lái)已經(jīng)擴(kuò)大其產(chǎn)品線例如冷卻裝置和電源產(chǎn)品等，但

消費(fèi)電子
2011-01-13

SSD SATA GBPS DRAM
臺(tái)積花29億元買(mǎi)力晶竹科12寸廠

臺(tái)積電昨（12）日宣布，以29億元買(mǎi)下力晶竹科三五路興建中的12寸晶圓廠房，做為20奈米以下先進(jìn)制程的新基地。力晶29億元落袋，可提升現(xiàn)金部位，抵抗DRAM市況寒冬。市場(chǎng)原估計(jì)交易金額逾30億元，實(shí)際以29億元成交。外

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2011-01-13

先進(jìn)制程臺(tái)積電 DRAM FAB
DRAM價(jià)格再次跌破臺(tái)灣制造商成本傳坂本幸雄二度來(lái)臺(tái)撮合聯(lián)臺(tái)抗韓

根據(jù)外電報(bào)導(dǎo)，爾必達(dá)（Elpida）社長(zhǎng)坂本幸雄已于本月6日、7日在臺(tái)洽談以瑞晶為控股公司，與力晶、茂德統(tǒng)合經(jīng)營(yíng)。不過(guò)力晶否認(rèn)與爾必達(dá)有此接觸，稱(chēng)僅透過(guò)三方協(xié)商方式，恢復(fù)瑞晶對(duì)力晶的供貨，當(dāng)前首要目標(biāo)是全力轉(zhuǎn)

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2011-01-12

爾必達(dá) GB DDR3 DRAM
DRAM價(jià)格再次跌破臺(tái)灣制造商成本傳坂本幸雄二度來(lái)臺(tái)撮合聯(lián)臺(tái)抗韓

根據(jù)外電報(bào)導(dǎo)，爾必達(dá)（Elpida）社長(zhǎng)坂本幸雄已于本月6日、7日在臺(tái)洽談以瑞晶為控股公司，與力晶、茂德統(tǒng)合經(jīng)營(yíng)。不過(guò)力晶否認(rèn)與爾必達(dá)有此接觸，稱(chēng)僅透過(guò)三方協(xié)商方式，恢復(fù)瑞晶對(duì)力晶的供貨，當(dāng)前首要目標(biāo)是全力轉(zhuǎn)

智能硬件
2011-01-12

爾必達(dá) GB DDR3 DRAM
爾必達(dá) 將結(jié)盟力晶茂德

日本讀賣(mài)新聞9日?qǐng)?bào)導(dǎo)，日本記憶體大廠爾必達(dá)（Elpida）與臺(tái)灣兩家晶片制造商力晶科技和茂德科技，已進(jìn)入結(jié)盟的最后階段談判，可望達(dá)成全面性的業(yè)務(wù)整合協(xié)議。力晶表示，目前并未針對(duì)結(jié)盟進(jìn)行接觸；茂德則不愿評(píng)論。日

半導(dǎo)體
2011-01-10

晶片爾必達(dá) PID DRAM
半導(dǎo)體業(yè)2011年將呈現(xiàn)先低后高走勢(shì)

2010年半導(dǎo)體市況呈現(xiàn)「先高后低」的走勢(shì)，然2011年將會(huì)回到上低下高趨勢(shì)。主要DRAM記憶體產(chǎn)品DDR3平均固定交易價(jià)格2010年上半至年中為止維持上升走勢(shì)，并于5月達(dá)到頂點(diǎn)2.72美元。然由于電腦等成品銷(xiāo)售情況不甚理想，

半導(dǎo)體
2011-01-09

爾必達(dá) 海力士 DRAM
封測(cè)三雄淡月造江山

封測(cè)三雄日月光(2311)、矽品(2325)、力成(6239)結(jié)算12月?tīng)I(yíng)收亮麗，其中日月光、力成更是在淡月中刷新猷，矽品也逆勢(shì)月增3.4%，三雄去年第四季淡季不淡，搭配昨晚美國(guó)半導(dǎo)體指數(shù)大漲利多，激勵(lì)今日封測(cè)三雄早盤(pán)股價(jià)有

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2011-01-07

半導(dǎo)體元件晶片 DRAM
力晶閃電與瑞晶復(fù)合　供貨以2Gb DDR3為主

臺(tái)系DRAM大廠力晶與瑞晶之間的停止供貨事件6日出現(xiàn)大轉(zhuǎn)變，力晶正式與瑞晶和爾必達(dá)(Elpida)協(xié)商成功，開(kāi)始恢復(fù)向瑞晶拿貨，且以目前力晶手上最缺的2Gb容量DDR3晶片為主，之前欠瑞晶的債款未來(lái)也會(huì)分期償還，借此行動(dòng)

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2011-01-07

爾必達(dá) GB DDR3 DRAM
房地產(chǎn)收入挹注　日月光12月集團(tuán)營(yíng)收創(chuàng)新高

李洵穎／臺(tái)北 2大封測(cè)廠日月光、力成6日相繼公告2010年12月合并營(yíng)收，皆創(chuàng)歷史新高紀(jì)錄。日月光單月集團(tuán)營(yíng)收在房地產(chǎn)銷(xiāo)售收入挹注下，實(shí)績(jī)?cè)略雎蔬_(dá)16%，惟封測(cè)業(yè)務(wù)營(yíng)收則與上月相當(dāng)；力成則以0.12%些微差距刷新單月歷

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2011-01-07

Flash NAND MOBILE DRAM
臺(tái)系DRAM廠商還能熬過(guò)2011年嗎？

DRAM市場(chǎng)“又”開(kāi)始走下坡；在上一次的下坡路段，臺(tái)灣地區(qū)DRAM廠商僥幸存活，但這一次恐怕沒(méi)有那么幸運(yùn)。其中南亞科(Nanya Technology)因?yàn)橛袀€(gè)“富爸爸”，盡管仍然持續(xù)虧損，應(yīng)該能存活；力晶

智能硬件
2011-01-06

爾必達(dá) ELECTRONICS CHIP DRAM
三星首推DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存

三星電子今天宣布，已經(jīng)完成了歷史上第一款DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存條的開(kāi)發(fā)，并采用30nm級(jí)工藝制造了首批樣品。時(shí)至今日，DDR4內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范仍未最終定奪。三星這條樣品屬于UDIMM類(lèi)型，容量為2GB，運(yùn)行電壓只有1.2

消費(fèi)電子
2011-01-06

三星內(nèi)存 DDR4 DRAM
DDR4 DRAM內(nèi)存芯片速度將提升一倍

三星電子星期二稱(chēng)，它已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了一種新的計(jì)算機(jī)內(nèi)存模塊，讀寫(xiě)數(shù)據(jù)的速度是上一代內(nèi)存芯片的一倍。三星電子在聲明中稱(chēng)，它將在2012年開(kāi)始使用30納米級(jí)的技術(shù)生產(chǎn)這種新的DDR4 DRAM內(nèi)存模塊。目前DRAM內(nèi)存行業(yè)的主流

消費(fèi)電子
2011-01-06

三星電子內(nèi)存芯片 DDR4 DRAM
臺(tái)系DRAM廠商還能熬過(guò)2011年嗎？

DRAM市場(chǎng)“又”開(kāi)始走下坡；在上一次的下坡路段，臺(tái)灣地區(qū)DRAM廠商僥幸存活，但這一次恐怕沒(méi)有那么幸運(yùn)。其中南亞科(NanyaTechnology)因?yàn)橛袀€(gè)“富爸爸”，盡管仍然持續(xù)虧損，應(yīng)該能存活；力晶半導(dǎo)體(PowerchipSemic

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2011-01-05

爾必達(dá) ELECTRONICS CHIP DRAM
半導(dǎo)體業(yè)2011年預(yù)測(cè)

2010年半導(dǎo)體市況呈現(xiàn)「先高后低」的走勢(shì)，然2011年將會(huì)回到上低下高趨勢(shì)。主要DRAM記憶體產(chǎn)品DDR3平均固定交易價(jià)格2010年上半至年中為止維持上升走勢(shì)，并于5月達(dá)到頂點(diǎn)2.72美元。然由于電腦等成品銷(xiāo)售情況不甚理想，

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-01-05

爾必達(dá) 海力士 DRAM
海力士導(dǎo)入30納米級(jí)DRAM制程

海力士緊跟三星電子之后，將把DRAM的生產(chǎn)制程轉(zhuǎn)換為30納米級(jí)制程。海力士29日宣布，已開(kāi)發(fā)出2款計(jì)算機(jī)用DRAM產(chǎn)品，將首度采用30納米級(jí)制程量產(chǎn)。據(jù)海力士表示，計(jì)劃采用38納米制程生產(chǎn)4Gb和2Gb 2種產(chǎn)品，2011年第1季

消費(fèi)電子
2011-01-04

納米級(jí) 海力士 GB DRAM
2010年DRAM廠成績(jī)

2010年DRAM產(chǎn)業(yè)虎頭蛇尾，年初報(bào)價(jià)大漲至1顆DDR3報(bào)價(jià)達(dá)3美元，但年底卻跌到1美元；但以獲利來(lái)看，2010年只有力晶和瑞晶有賺錢(qián)，南亞科、華亞科和茂德都是持續(xù)賠錢(qián)，南亞科和華亞科是因?yàn)橹瞥剔D(zhuǎn)換之故，沒(méi)有掌握到年初

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2011-01-04

爾必達(dá) PID DDR3 DRAM
臺(tái)DRAM廠拼制程搶救獲利無(wú)效　轉(zhuǎn)進(jìn)40奈米嫌太晚　1Q恐續(xù)虧

臺(tái)北DDR3報(bào)價(jià)從2010年初1顆3美元跌到年底只剩下0.8美元，跌幅高達(dá)70％，力晶更在2010年底因欠款導(dǎo)致子公司瑞晶停止出貨，透露臺(tái)DRAM廠財(cái)務(wù)已處于極度吃緊狀態(tài)，記憶體業(yè)者表示，由于1月DRAM合約價(jià)和現(xiàn)貨價(jià)還有下跌空

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2011-01-04

微米 PID DDR3 DRAM
臺(tái)灣DRAM廠：產(chǎn)業(yè)最大問(wèn)題不在匯率而在售價(jià)

臺(tái)灣央行總裁彭淮南面對(duì)這一波新臺(tái)幣強(qiáng)勢(shì)升值，采取匯市收盤(pán)價(jià)力守30元的作法，外界開(kāi)始出現(xiàn)匯價(jià)失真的爭(zhēng)議，但彭淮南這次直接挑明表示，臺(tái)灣和韓國(guó)在科技產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)品雷同度高，匯率過(guò)度升值會(huì)影響出口商的競(jìng)爭(zhēng)力；與

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2011-01-04

三星電子 SAMSUNG ELECTRONICS DRAM
逾期貨款未付瑞晶宣布暫停出貨給力晶

瑞晶31日公告，由于主要大客戶(hù)兼母公司力晶的帳款逾期未付，因此即日起暫停出貨給力晶；力晶表示，由于DRAM價(jià)格不佳，在財(cái)務(wù)上規(guī)畫(huà)保守，目前正與爾必達(dá)(Elpida)和瑞晶3方協(xié)商當(dāng)中；瑞晶則表示，將與力晶協(xié)議針對(duì)保障

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2011-01-04

爾必達(dá) PID DRAM

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DRAM

臺(tái)積電12寸晶圓廠最新規(guī)劃概況

OCZ宣布退出DRAM業(yè)務(wù) 專(zhuān)注SSD

臺(tái)積花29億元買(mǎi)力晶竹科12寸廠

DRAM價(jià)格再次跌破臺(tái)灣制造商成本傳坂本幸雄二度來(lái)臺(tái)撮合聯(lián)臺(tái)抗韓

DRAM價(jià)格再次跌破臺(tái)灣制造商成本傳坂本幸雄二度來(lái)臺(tái)撮合聯(lián)臺(tái)抗韓

爾必達(dá) 將結(jié)盟力晶茂德

半導(dǎo)體業(yè)2011年將呈現(xiàn)先低后高走勢(shì)

封測(cè)三雄淡月造江山

力晶閃電與瑞晶復(fù)合　供貨以2Gb DDR3為主

房地產(chǎn)收入挹注　日月光12月集團(tuán)營(yíng)收創(chuàng)新高

臺(tái)系DRAM廠商還能熬過(guò)2011年嗎？

三星首推DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存

DDR4 DRAM內(nèi)存芯片速度將提升一倍

臺(tái)系DRAM廠商還能熬過(guò)2011年嗎？

半導(dǎo)體業(yè)2011年預(yù)測(cè)

海力士導(dǎo)入30納米級(jí)DRAM制程

2010年DRAM廠成績(jī)

臺(tái)DRAM廠拼制程搶救獲利無(wú)效　轉(zhuǎn)進(jìn)40奈米嫌太晚　1Q恐續(xù)虧

臺(tái)灣DRAM廠：產(chǎn)業(yè)最大問(wèn)題不在匯率而在售價(jià)

逾期貨款未付瑞晶宣布暫停出貨給力晶

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