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Global Foundries來勢洶洶　聯(lián)電兼顧市占、股東權益

全球晶圓(Global Foundries)喊出以全球市場占有率3成為目標！各家晶圓廠紛紛展開市占率保衛(wèi)戰(zhàn)，僅管聯(lián)電也表示將以沖市占率為目標，不過執(zhí)行長孫世偉還是不忘股東權益報酬率，他說必須在兩者間求取適切平衡。聯(lián)電也認

模擬
2010-02-05

聯(lián)電 GLOBAL DRAM 新加坡
臺灣政府決定不投資臺灣創(chuàng)新記憶體,須全數(shù)向民間籌資

路透臺北2月4日電---隨著DRAM產(chǎn)業(yè)景氣回溫,臺灣經(jīng)濟部周四一改先前立場表示,國發(fā)基金已決定不投資臺灣創(chuàng)新記憶體公司(TIMC),TIMC需自行尋找民間資金,政府只能從旁協(xié)助.經(jīng)濟部最新這番表態(tài),也意味著最初由政府主導成立

模擬
2010-02-05

半導體爾必達 DRAM
韓國海力士涉嫌竊取三星電子芯片機密

韓國首爾東部地檢刑事6部3日表示，對美國AM公司副總經(jīng)理郭某和韓國分公司AMK公司組長金某提出拘留起訴，并對其他8名職員進行不拘留起訴。他們涉嫌竊取三星電子95項半導體生產(chǎn)技術，并將其中13項轉交給海力士。AM公司

智能硬件
2010-02-05

三星電子電子芯片海力士 DRAM
撲朔迷離，2010存儲廠商前景難料

1985年全球內存產(chǎn)業(yè)低潮期所帶來的沖擊既深且巨，即使在市場復蘇后仍然留下了許多難以抹滅的傷害，如果沒有2001年的那一波嚴重不景氣，它可能被公認為是有史以來最嚴重的衰退。然而，去年發(fā)生的‘2009內存慘案’(Mem

消費電子
2010-02-05

內存海力士 SPANSION DRAM
GlobalFoundries來勢洶洶各晶圓廠展開市占率保衛(wèi)戰(zhàn)

全球晶圓(Global Foundries)喊出以全球市場占有率3成為目標!各家晶圓廠紛紛展開市占率保衛(wèi)戰(zhàn)，僅管聯(lián)電也表示將以沖市占率為目標，不過執(zhí)行長孫世偉還是不忘股東權益報酬率，他說必須在兩者間求取適切平衡。聯(lián)電也認

電子設計自動化
2010-02-05

晶圓廠 GLOBALFOUNDRIES 聯(lián)電 DRAM
Global Foundries來勢洶洶　聯(lián)電兼顧市占、股東權益

全球晶圓(Global Foundries)喊出以全球市場占有率3成為目標！各家晶圓廠紛紛展開市占率保衛(wèi)戰(zhàn)，僅管聯(lián)電也表示將以沖市占率為目標，不過執(zhí)行長孫世偉還是不忘股東權益報酬率，他說必須在兩者間求取適切平衡。聯(lián)電也認

模擬
2010-02-05

聯(lián)電 GLOBAL DRAM 新加坡
DRAM走出黑暗 2010年內存廠商或興旺發(fā)達

在DRAM 市場的歷史上，2009 年初可能是最黑暗的時期之一，當時廠商能活下來就不錯了。但是，繼春季溫和復蘇之后， DRAM 供應商的黑暗日子結束，夏天迎來了光明。價格在春季的基礎上持續(xù)上漲，營業(yè)收入也水漲船高。三

消費電子
2010-02-04

三星內存 DDR3 DRAM
威剛陳立白：產(chǎn)能不足內存看漲

今年各大DRAM廠相繼擴大資本支出，以進入DDR3領域，但是在各家廠商搶訂機臺之下，恐影響后續(xù)產(chǎn)出。威剛（3260）董事長陳立白指出，內存廠所需的浸潤式曝光機臺交期長達10個月以上，目前只能靠微縮制程增加產(chǎn)出，然在

模擬
2010-02-04

內存 Flash DDR3 DRAM
三星將大批量生產(chǎn)30納米DDR3 DRAM內存芯片

據(jù)國外媒體報道，全球最大的內存芯片廠商三星電子周一稱，30納米DDR3 DRAM內存芯片已經(jīng)適合消費者使用，準備應用到產(chǎn)品中。三星稱，2GB DDR3內存芯片耗電量比用50納米生產(chǎn)技術制造的內存芯片的耗電量減少了30%，生產(chǎn)

智能硬件
2010-02-03

三星內存芯片 DDR3 DRAM
華東：訂單滿手加班出貨

半導體封測法說周昨（2）日由華新科（2492）集團的內存封測廠華東（8110）打頭陣，總經(jīng)理于鴻棋指出，內存需求仍佳，現(xiàn)在是被訂單追著跑，全年包括ASP（平均銷售單價）、毛利和營收都將呈現(xiàn)逐季走揚趨勢。于鴻棋

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2010-02-03

內存 EPS DDR3 DRAM
40納米成DRAM廠流行口號

近期DRAM廠掀起一股40納米熱潮，這一切都要從爾必達(Elpida)說起。因為爾必達2009年沒錢轉進50納米技術制程后，最后決定跳過50納米，直接轉進45納米，這下刺激了美光(Micron)陣營，南亞科和華亞科近期宣布42納米制程

電子設計自動化
2010-02-02

美光爾必達 40納米 DRAM
南亞科擴建12寸廠　全球市占挑戰(zhàn)10%

南亞科將逆勢擴建旗下12寸廠，從現(xiàn)有3萬片擴增至5萬~6萬片，成為此波DRAM景氣復蘇后，首家擴產(chǎn)的臺系DRAM廠。值得注意的是，南亞科單月產(chǎn)能(加計華亞科)約9.5萬片，以目前全球單月12寸廠產(chǎn)能約100萬片計算，南亞科擴

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2010-02-01

PID BSP MICRON DRAM
DRAM走出黑暗年底陽光燦爛

在DRAM市場的歷史上，2009年初可能是最黑暗的時期之一，當時廠商能活下來就不錯了。但是，繼春季溫和復蘇之后，DRAM供應商的黑暗日子結束，夏天迎來了光明。價格在春季的基礎上持續(xù)上漲，營業(yè)收入也水漲船高。三星走

模擬
2010-02-01

三星美光 DDR3 DRAM
DRAM走出黑暗年底陽光燦爛

在DRAM市場的歷史上，2009年初可能是最黑暗的時期之一，當時廠商能活下來就不錯了。但是，繼春季溫和復蘇之后，DRAM供應商的黑暗日子結束，夏天迎來了光明。價格在春季的基礎上持續(xù)上漲，營業(yè)收入也水漲船高。三星走

智能硬件
2010-02-01

三星美光 DDR3 DRAM
DRAM跌價襲擊模塊廠1月營收處變不驚

2010年1月農歷春節(jié)前的補貨行情落空，DRAM價格大跌，所幸NANDFlash價格比預期強勢，存儲器模塊廠1月營收可望維持平穩(wěn)，與2009年12月相較，呈現(xiàn)小漲或小跌的局面，整體第1季營收受到2月農歷過年工作天數(shù)減少影響，而呈

模擬
2010-01-29

存儲器 NANDFLASH DDR3 DRAM
設備交期拉長恐影響設備業(yè)2010年成長力道

近期晶圓代工、DRAM等科技大廠擴產(chǎn)計劃不斷，不少業(yè)者的機臺進廠時間落在下半年，從目前的設備交期6~9個月來推算，部分機臺交貨時間恐怕落到2011年。在2010年科技業(yè)大擴產(chǎn)風潮下，市場紛紛看好設備業(yè)業(yè)績可望較2009年

電子設計自動化
2010-01-29

晶圓代工 LED IC設計 DRAM
DRAM跌價襲擊　模塊廠1月營收處變不驚

2010年1月農歷春節(jié)前的補貨行情落空，DRAM價格大跌，所幸NAND Flash價格比預期強勢，存儲器模塊廠1月營收可望維持平穩(wěn)，與2009年12月相較，呈現(xiàn)小漲或小跌的局面，整體第1季營收受到2月農歷過年工作天數(shù)減少影響，而

智能硬件
2010-01-29

Flash NAND DDR3 DRAM
中芯國際全面停止DRAM生產(chǎn)

上海芯片代工廠中芯國際自新任CEO王寧國掌權后，包括中芯本身、武漢廠新芯、成都廠成芯等可掌控產(chǎn)能，已自今年元月起，全面停止所有DRAM生產(chǎn)業(yè)務。由于中芯過去兩年以SDRAM填補產(chǎn)能，成為國內消費性電子產(chǎn)品及家電

消費電子
2010-01-28

中芯國際電子 SDRAM DRAM
福懋科、華東Q1營收續(xù)沖

DRAM封測廠首季展望樂觀，由于DDR3封測制程改變，代工價格較DDR2增加約20％，加上DDR2封測代工價今年初已調漲10％，DRAM封測廠首季平均價格（ASP）明顯優(yōu)于去年第4季，加上上游DRAM廠提升投片量，法人預估福懋科（81

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2010-01-27

東芝爾必達 DDR3 DRAM
機臺交期延DRAM廠制程微縮絆腳石

2010年臺DRAM廠將決戰(zhàn)50和40奈米制程技術，但新制程關鍵恐未必在技術上，而在于浸潤式微顯影(ImmersionScanner)機臺設備采購是否能跟上腳步，近期業(yè)界傳出瑞晶機臺原本2月要交貨，但目前交期已遞延至4月，南亞科和華

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2010-01-26

美光爾必達制程技術 DRAM

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Global Foundries來勢洶洶　聯(lián)電兼顧市占、股東權益

臺灣政府決定不投資臺灣創(chuàng)新記憶體,須全數(shù)向民間籌資

韓國海力士涉嫌竊取三星電子芯片機密

撲朔迷離，2010存儲廠商前景難料

GlobalFoundries來勢洶洶各晶圓廠展開市占率保衛(wèi)戰(zhàn)

Global Foundries來勢洶洶　聯(lián)電兼顧市占、股東權益

DRAM走出黑暗 2010年內存廠商或興旺發(fā)達

威剛陳立白：產(chǎn)能不足內存看漲

三星將大批量生產(chǎn)30納米DDR3 DRAM內存芯片

華東：訂單滿手加班出貨

40納米成DRAM廠流行口號

南亞科擴建12寸廠　全球市占挑戰(zhàn)10%

DRAM走出黑暗年底陽光燦爛

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DRAM跌價襲擊模塊廠1月營收處變不驚

設備交期拉長恐影響設備業(yè)2010年成長力道

DRAM跌價襲擊　模塊廠1月營收處變不驚

中芯國際全面停止DRAM生產(chǎn)

福懋科、華東Q1營收續(xù)沖

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