DRAM

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SK海力士推出首個(gè)五代雙倍速率DRAM

DDR5是繼DDR4的之后，新一代DRAM標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格，應(yīng)用在大數(shù)據(jù)、AI(人工智能)以及機(jī)器學(xué)習(xí)上，擁有超高速、低耗能、高用量的特性。比起DDR4的電力消耗減少30%，數(shù)據(jù)傳送速度也快了1.6倍。

嵌入式動(dòng)態(tài)
2019-10-30

ddr5 DRAM sk海力士新品發(fā)布
這項(xiàng)將要變革存儲(chǔ)架構(gòu)的技術(shù) 是時(shí)候關(guān)注下了

自計(jì)算機(jī)誕生以來(lái)，DRAM+SSD+HDD這樣的存儲(chǔ)架構(gòu)便從未改變過(guò)。而近2年隨著數(shù)據(jù)量的爆發(fā)以及企業(yè)、消費(fèi)者對(duì)傳輸性能、時(shí)延等要求增加，這樣的架構(gòu)已難以滿足需求。在這樣的背景下，英特爾、三星、鎂光等

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2019-10-22

存儲(chǔ) 芯片英特爾內(nèi)存 DRAM
SK海力士開(kāi)發(fā)出10納米級(jí)DRAM

10月21日，SK海力士宣布開(kāi)發(fā)適用第三代1Z納米的16Gb(Gigabits)DDR4(Double Data Rate 4) DRAM。

嵌入式動(dòng)態(tài)
2019-10-21

1z納米 DRAM 新品發(fā)布
存儲(chǔ)市場(chǎng)庫(kù)存仍高美光明年仍采取保守策略

華為作為美光最大的客戶之一，美國(guó)將華為列入實(shí)體名單一事對(duì)美光產(chǎn)生了非常嚴(yán)重的影響，美光業(yè)績(jī)已經(jīng)逐漸露出下滑趨勢(shì)，上周五美光股價(jià)大跌近7%，南亞科、華邦電、威剛等存儲(chǔ)器企業(yè)也紛紛走低。近期DRAM及N

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2019-10-21

芯片美光 nandflash DRAM
兆易創(chuàng)新擬定增募資約43億元用于DRAM芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化等項(xiàng)目

9月30日消息，上交所上市公司兆易創(chuàng)新(SH:603986)今日發(fā)布公告稱，擬定增募資約43億元，用于DRAM芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化等項(xiàng)目。兆易創(chuàng)新公告截圖本次發(fā)行募集資金總額（含發(fā)行費(fèi)用）不超過(guò)人民

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2019-10-16

芯片兆易創(chuàng)新兆易 dram芯片 DRAM
明年內(nèi)存產(chǎn)能增長(zhǎng)速度創(chuàng)十年新低國(guó)產(chǎn)內(nèi)存僅占3%

據(jù)報(bào)道，由于上游內(nèi)存廠商三星、SK海力士、三星等大幅削減產(chǎn)能投資，預(yù)計(jì)2020年內(nèi)存產(chǎn)能增長(zhǎng)只有12.5%，創(chuàng)下了10年來(lái)的新低，一切都在為內(nèi)存漲價(jià)奠定基礎(chǔ)。 DRAM內(nèi)存價(jià)格從去年10月份開(kāi)始由漲轉(zhuǎn)

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2019-10-16

國(guó)產(chǎn) 三星內(nèi)存長(zhǎng)鑫 DRAM
研調(diào)：DRAM價(jià)明年或反彈，大陸投片量估占全球低于3%

集邦科技存儲(chǔ)器儲(chǔ)存研究（DRAMeXchange）表示，今年8月DRAM合約價(jià)與前月持平，DDR4 8GB均價(jià)來(lái)到25.5美元，而9月合約價(jià)格雖然仍在議定中，但繼續(xù)持平可能性高。展望2020年，因3大

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2019-10-11

DRAM
DRAM內(nèi)存芯片價(jià)格暫時(shí)平穩(wěn)：四季度或進(jìn)一步下跌

連續(xù)經(jīng)歷N個(gè)月下跌后，DRAM內(nèi)存芯片的價(jià)格在8月和9月份保持了基本穩(wěn)定。DRAMeXchange采集的數(shù)據(jù)顯示，DDR4-2133 8Gb(1GB)PC芯片在9月結(jié)束后的均價(jià)為2.94美元，和上月完全持平(約合21元)。不過(guò)，業(yè)內(nèi)專(zhuān)家認(rèn)為，上述局

半導(dǎo)體
2019-10-08

芯片內(nèi)存 DRAM
國(guó)產(chǎn)內(nèi)存年底量產(chǎn) 但前路依舊漫漫

本月初，紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式宣布，其64層堆棧3D NAND閃存已開(kāi)始量產(chǎn)。雖然國(guó)產(chǎn)3D NAND已經(jīng)取得了突破了，但是在DRAM內(nèi)存芯片領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)依然是一片空白。原本被寄予厚望的福建晉華，由于

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2019-09-24

國(guó)產(chǎn) 內(nèi)存紫光長(zhǎng)江存儲(chǔ) DRAM
紫光再換高管：孫世偉任武漢新芯總經(jīng)理兼CEO

8月28日，繼紫光集團(tuán)宣布委任高啟全為DRAM事業(yè)群CEO后，紫光旗下武漢新芯集成電路制造有限公司（以下簡(jiǎn)稱武漢新芯）宣布，聘請(qǐng)紫光集團(tuán)全球執(zhí)行副總裁孫世偉接任高啟全擔(dān)任武漢新芯總經(jīng)理兼首席執(zhí)行官（C

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2019-09-16

紫光武漢新芯孫世偉 DRAM
Q3業(yè)績(jī)提前完成傳美光停止出貨內(nèi)存漲價(jià)30%

從去年Q4季度開(kāi)始，全球內(nèi)存也從牛市轉(zhuǎn)向了熊市，價(jià)格開(kāi)始下滑，一直持續(xù)到今年Q2季度，據(jù)DRAMeXchange統(tǒng)計(jì)，Q2季度全球內(nèi)存價(jià)格也跌了10%，全球產(chǎn)值也下滑了9.1%。不過(guò)Q2季度已經(jīng)是過(guò)

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2019-09-12

美光內(nèi)存漲價(jià) DRAM
報(bào)告：DRAM價(jià)格將繼續(xù)走低二季度內(nèi)存跌幅近10%

據(jù)DRAM Exchange最新報(bào)告稱，DRAM市場(chǎng)正在降價(jià)、且趨勢(shì)是會(huì)繼續(xù)走低。這份報(bào)告中指出，今年第二季度，DRAM價(jià)格下跌了近10%。目前的狀況是供大于求，這是內(nèi)存市場(chǎng)將持續(xù)下跌的部分原因。對(duì)

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2019-09-10

芯片 nand dram芯片 DRAM
全球內(nèi)存廠2019Q2營(yíng)收排名：三星第一韓國(guó)廠商占比超7成

8月12日消息近日，集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)公布了全球內(nèi)存廠2019Q2營(yíng)收排名，三星第一，SK海力士第二，美光第三。根據(jù)集邦咨詢的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，在2019年第二季度全球D

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2019-09-09

半導(dǎo)體三星韓國(guó) 內(nèi)存 DRAM
內(nèi)存價(jià)格今年已經(jīng)暴跌50% 價(jià)格反彈要等到明年Q2季度

隨著日本宣布允許對(duì)韓國(guó)出口重要的半導(dǎo)體材料，持續(xù)了一個(gè)多月的日韓貿(mào)易爭(zhēng)端有了緩和的可能，這也讓全球內(nèi)存及閃存市場(chǎng)面臨的動(dòng)蕩緩和了，現(xiàn)在內(nèi)存市場(chǎng)又要回到過(guò)剩的局面了，預(yù)計(jì)Q3季度價(jià)格還會(huì)繼續(xù)下跌。從去

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2019-09-06

半導(dǎo)體內(nèi)存 DRAM
將計(jì)算過(guò)程移步至內(nèi)存里，這家公司有什么“騷操作”？

關(guān)于這個(gè)計(jì)算世界的一個(gè)關(guān)鍵的未來(lái)要素是移動(dòng)數(shù)據(jù)。移動(dòng)數(shù)據(jù)需要功率，以至于從內(nèi)存中調(diào)用數(shù)據(jù)要比實(shí)際對(duì)其進(jìn)行“計(jì)算”消耗更多的功率。這就是我們有緩存的原因，但即使有緩存，也需要對(duì)CPU進(jìn)行廣泛的管理。對(duì)于簡(jiǎn)單的操作，如位轉(zhuǎn)移或和操作，目標(biāo)是將計(jì)算能力轉(zhuǎn)移到主DRAM本身，這樣它就不必來(lái)回穿梭。今年在Hot Chips, UPMEM是第一批展示新技術(shù)的公司之一。

嵌入式動(dòng)態(tài)
2019-08-21

內(nèi)存移動(dòng)數(shù)據(jù) 行業(yè)資訊 DRAM
美光宣布量產(chǎn)第3代10納米級(jí)制程DRAM

根據(jù)國(guó)外科技媒體報(bào)導(dǎo)指出，日前美系存儲(chǔ)器大廠美光科技(Micron)正式宣布，將采用第3代10納米級(jí)制程(1Znm)來(lái)生產(chǎn)新一代DRAM。而首批使用1Znm制程來(lái)生產(chǎn)的DRAM將會(huì)是16GB的DDR4及LPDDR4X存儲(chǔ)器。對(duì)此，市場(chǎng)預(yù)估，美光的該項(xiàng)新產(chǎn)品還會(huì)在2019年底前，在美光位于中國(guó)臺(tái)灣臺(tái)中的廠區(qū)內(nèi)建立量產(chǎn)產(chǎn)線。

單片機(jī)
2019-08-20

美光 10納米 DRAM
美光第三代 10nm 制程已量產(chǎn)，首批器件功耗降低 40%

8月19日訊，美光宣布1z nm制程存儲(chǔ)芯片量開(kāi)始產(chǎn)，器件功耗降低40%。

嵌入式動(dòng)態(tài)
2019-08-20

芯片美光廠商動(dòng)態(tài) DRAM
瑞昱SSD主控可減少75%的DRAM緩存暫不開(kāi)發(fā)PCIe 4.0主控

隨著NAND閃存的降價(jià)，SSD硬盤(pán)的價(jià)格越來(lái)越低，使得SATA與PCIe硬盤(pán)的價(jià)格相差無(wú)幾了，選擇M.2接口SSD的玩家越來(lái)越多，畢竟M.2的硬盤(pán)性能比SATA版高太多了。 PCIe硬盤(pán)要想實(shí)現(xiàn)高性

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2019-08-08

pcie 4.0 ssd 硬盤(pán) 瑞昱主控 DRAM
內(nèi)存價(jià)格太低三星推遲30萬(wàn)億韓元的DRAM工廠計(jì)劃

盡管內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格上周漲了23%，但是調(diào)研公司蓋特納的報(bào)告顯示全球半導(dǎo)體市場(chǎng)今年會(huì)繼續(xù)降溫，產(chǎn)值只有4290億美元，同比下滑9.6%，主力產(chǎn)品內(nèi)存芯片價(jià)格已經(jīng)跌了42%，供過(guò)于求的情況要持續(xù)到明年Q2季

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2019-08-05

三星芯片內(nèi)存內(nèi)存芯片 DRAM
三星宣布量產(chǎn)全球首款12Gb LPDDR5 DRAM

7月18日消息據(jù)三星官方消息，三星宣布量產(chǎn)全球首款12Gb LPDDR5 DRAM，該DRAM已針對(duì)未來(lái)智能手機(jī)中的5G和AI功能進(jìn)行了優(yōu)化。此外三星還計(jì)劃本月末開(kāi)始批量生產(chǎn)12GB的LPDDR5封

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2019-07-30

DRAM

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DRAM

SK海力士推出首個(gè)五代雙倍速率DRAM

這項(xiàng)將要變革存儲(chǔ)架構(gòu)的技術(shù) 是時(shí)候關(guān)注下了

SK海力士開(kāi)發(fā)出10納米級(jí)DRAM

存儲(chǔ)市場(chǎng)庫(kù)存仍高美光明年仍采取保守策略

兆易創(chuàng)新擬定增募資約43億元用于DRAM芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化等項(xiàng)目

明年內(nèi)存產(chǎn)能增長(zhǎng)速度創(chuàng)十年新低國(guó)產(chǎn)內(nèi)存僅占3%

研調(diào)：DRAM價(jià)明年或反彈，大陸投片量估占全球低于3%

DRAM內(nèi)存芯片價(jià)格暫時(shí)平穩(wěn)：四季度或進(jìn)一步下跌

國(guó)產(chǎn)內(nèi)存年底量產(chǎn) 但前路依舊漫漫

紫光再換高管：孫世偉任武漢新芯總經(jīng)理兼CEO

Q3業(yè)績(jī)提前完成傳美光停止出貨內(nèi)存漲價(jià)30%

報(bào)告：DRAM價(jià)格將繼續(xù)走低二季度內(nèi)存跌幅近10%

全球內(nèi)存廠2019Q2營(yíng)收排名：三星第一韓國(guó)廠商占比超7成

內(nèi)存價(jià)格今年已經(jīng)暴跌50% 價(jià)格反彈要等到明年Q2季度

將計(jì)算過(guò)程移步至內(nèi)存里，這家公司有什么“騷操作”？

美光宣布量產(chǎn)第3代10納米級(jí)制程DRAM

美光第三代 10nm 制程已量產(chǎn)，首批器件功耗降低 40%

瑞昱SSD主控可減少75%的DRAM緩存暫不開(kāi)發(fā)PCIe 4.0主控

內(nèi)存價(jià)格太低三星推遲30萬(wàn)億韓元的DRAM工廠計(jì)劃

三星宣布量產(chǎn)全球首款12Gb LPDDR5 DRAM

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