集邦科技存儲器儲存研究（DRAMeXchange）表示，今年8月DRAM合約價與前月持平，DDR4 8GB均價來到25.5美元，而9月合約價格雖然仍在議定中，但繼續(xù)持平可能性高。展望2020年，因3大DRAM原廠采獲利導向，資本支出預估將較今年縮減至少10%，明年產(chǎn)出年成長亦是近10年來新低，僅12.5%，為價格反彈奠定一定基礎。

就市場面觀察，隨日本政府批準關鍵半導體原料出口，7月開始的日韓貿(mào)易問題已正式落幕，但期間OEM客戶受不確定因素與預期心理影響，紛紛拉高備貨庫存，使DRAM原廠高庫存水位逐步下降，朝正常水位邁進。

此外，第3季適逢傳統(tǒng)旺季，加上美國將在12月初開始對部分大陸出口的電子產(chǎn)品課征關稅，也產(chǎn)生提前出貨效應，需求力道超過預期，這讓DRAM原廠在價格議定時態(tài)度更堅定，也讓整體第3季價格扭轉(zhuǎn)原先的跌勢，轉(zhuǎn)為持平。

集邦進一步分析，3大DRAM原廠擴廠計劃轉(zhuǎn)趨保守，如三星的平澤二廠已接近完工，但最快要到2020年第2季才會進入商轉(zhuǎn)，且新增的設備僅為支持轉(zhuǎn)進未來的1Z納米制程，整體投片量將與今年大致相同。

SK海力士最新M16廠最快明年下半年完工，產(chǎn)能提升最快要等到2021年，加上舊廠M10逐步轉(zhuǎn)做代工，預估明年整體DRAM投片量將不增反減。

美光今年在廣島廠旁增設的F棟工廠，也是為了支持轉(zhuǎn)進1Z納米制程，整體廣島廠產(chǎn)能并無增加；臺灣美光存儲器正在興建的A3新廠，初期也將支持1Znm制程轉(zhuǎn)進，短期增產(chǎn)機會不大，不過，集邦認為，A3廠基地面積不小，未來仍有新增產(chǎn)能的可能。

陸廠方面，目前有2個DRAM生產(chǎn)基地，規(guī)模較大的合肥長鑫已初步投產(chǎn)，初期產(chǎn)品以DDR4 8Gb為主，明年上半年將有LPDDR4 8Gb產(chǎn)品，持續(xù)往量產(chǎn)邁進，但預計要到2021年，產(chǎn)能才有機會達到滿載的10萬顆甚至以上。

福建晉華雖受到美國禁令影響，美系設備無法有工程人員駐廠維護，但內(nèi)部仍試圖自行將參數(shù)調(diào)整至最佳化，預計明年投片在1萬顆以內(nèi)水準。

整體來看，集邦預估，2020年大陸DRAM投片量占全球投片量比重將低于3%，自主生產(chǎn)成果仍有限。未來展望，大陸存儲器產(chǎn)業(yè)仍需克服良率、機臺建置以及IP等相關限制挑戰(zhàn)，對整體DRAM產(chǎn)業(yè)供給產(chǎn)生明顯沖擊的確切時間點仍要持續(xù)觀察。