臺灣芯片產業(yè)正走在十字路口上,今天的決定可能影響業(yè)界未來多年的方向與活力。目前臺灣的DRAM公司太多,又都債臺高筑,政府急于整合DRAM產業(yè),因而創(chuàng)設臺灣記憶體公司(TMC),推動整合。政府也終于處理迫切需要改變
三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)40納米制程開始試產,爾必達(Elpida)也考慮在2010年直接從65納米跳至40納米制程,美光計劃年底在新加坡12寸廠率先導入40納米制程,將成為美光旗下第1個導入40納米制程
市場研究機構DIGITIMES Research 指出,2008年下半在全球金融海嘯沖擊下,終端消費市場需求快速萎縮,造成DRAM現(xiàn)貨市場報價在這半年間下跌幅度超過50%,連帶使得原本就虧損累累、財務體質日漸惡化的DRAM制造廠商營運
今年初,半導體產業(yè)呈現(xiàn)了急劇衰退,SEMI全球晶圓廠預測報告顯示,從2008年第四季到2009年第一季,全球前段制造設備資本支出下降26%,達32億美元。然而,該報告也指出,在2009年第二季,資本支出將走出谷底,整個供應
據透露,為了防止在與韓國對手的競爭中落在后面,日本爾必達內存公司計劃明年內轉向使用40nm制程技術,而在40nm制程技術完全成熟之前,爾必達將采 用50nm制程技術作為過渡性的制程技術。目前,爾必達公司剛剛在65nm制
臺灣新成立DRAM公司——臺灣創(chuàng)新記憶體公司(TMC)擬于第四季投入市場的計劃正進入沖刺階段,臺灣半導體封測廠矽品周四表示,董事會通過將投資TMC普通股,金額10-20億臺幣,為首家表態(tài)將投資TMC的企業(yè)。 矽品發(fā)言人江
耶魯大學的研究人員和Semiconductor Research Corp (SRC)稱利用鐵電材料制作存儲器來代替DRAM和閃存非常合適。目前DRAM技術必須每幾個毫秒就刷新一下,而鐵電存儲器可以持續(xù)幾分鐘而無需刷新。耶魯大學和SRC的研究
今年初,半導體產業(yè)呈現(xiàn)了急劇衰退,SEMI全球晶圓廠預測報告顯示,從2008年第四季到2009年第一季,全球前段制造設備資本支出下降26%,達32億美元。然而,該報告也指出,在2009年第二季,資本支出將走出谷底,整個供應
KBS報道,市場調查機構DRAMEXchange的報告顯示,今年第一、二季度三星電子和海力士在國際市場上半導體內存的占有率達到55.50%和53.1%,創(chuàng)歷史新高。 去年一至三季度,這兩家半導體公司的占有率持續(xù)維持在49%的水平。
DDR3需求暢旺,市場缺口本季仍無法滿足,南科、華亞科、力晶等本土DRAM廠陸續(xù)放大DDR3投片量,搶食商機?! ≡谟⑻貭朇ULV平臺帶動需求下,DDR3價格走勢凌厲。根據集邦科技(DRAMe change)報價,1Gb DDR3現(xiàn)貨價格已從
臺系DRAM廠身陷財務泥淖且制程停留在70納米制程,然國際大廠卻提前引爆40納米制程大戰(zhàn)!三星電子(Samsung Electronics)40納米制程產品已開始送樣,美光(Micron)產品亦趨近成熟,2010年將加入戰(zhàn)局,爾必達(Elpida)這次