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英特爾亞太NAND Flash操盤手換將 存儲器廠嘩然
英特爾(Intel)跨足NANDFlash產(chǎn)業(yè)邁入第5年，但近期在策略上有諸多調(diào)整，引發(fā)存儲器業(yè)界高度關(guān)注，包括日前合作伙伴美光(Micron)宣布新加坡廠將于2011年投產(chǎn)，卻不見英特爾投資身影，近期英特爾在亞太區(qū)NANDFlash操盤
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移動設(shè)備行業(yè)2011年5大預(yù)測：視頻分享快速發(fā)展
導(dǎo)語：科技博客Mashable周五刊文稱，移動設(shè)備行業(yè)2010年取得了快速發(fā)展，這主要是由于智能手機(jī)銷售的強(qiáng)勁，以及iPad的興起。移動設(shè)備的性能正越來越強(qiáng)大，上網(wǎng)速度正越來越快，而開發(fā)者則推動了移動應(yīng)用的發(fā)展。以下
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2011年平板計算機(jī)起飛 帶動NAND Flash需求
集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange表示，在Android可望逐漸成熟，市場接受度提高，預(yù)期2011年平板計算機(jī)出貨量由今年的1500萬臺大增至5000萬臺的規(guī)模，可說是平板計算機(jī)起飛年，將帶動內(nèi)建式NAND Flash
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SPI FLASH GD25Q80SCP
名稱：SPI FLASH 型號：GD25Q80SCP 公司：北京兆易創(chuàng)新科技有限公司 英文名稱：GigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc. 芯片概述： 兆易創(chuàng)新提供的具有通用SPI接口的512Kb到32Mb的Flash存儲器，如果配合四輸
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嵌入式系統(tǒng)快速重啟的研究
本文論述了嵌入式系統(tǒng)的啟動過程，由于嵌入式系統(tǒng)在每次重啟的時候都要執(zhí)行一次代碼的拷貝過程，這樣會浪費(fèi)很多時間。對于我們來說，只要內(nèi)存沒有斷電，里面就有我們的代碼，而沒有必要重新拷貝一次。本文就這一
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2011年平板計算機(jī)起飛 帶動NAND Flash需求
2011年平板計算機(jī)起飛 帶動NAND Flash需求
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英特爾合資公司新加坡工廠明年投產(chǎn)
英特爾和美光(Micron)合資公司IMFlashTechnologies(以下簡稱“IMFT”)新加坡工廠將于2011年第二季度投產(chǎn)。IMFT創(chuàng)建于2006年1月，主要生產(chǎn)NAND閃存，其首個制造工廠位于猶他州Lehi地區(qū)。IMFT新加坡工廠原計劃于2008年
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Adobe：Flash Player 10.2版效率將提高10倍
北京時間12月17日消息，國外媒體引自Adobe公司的博客稱，下一代Flash Player，版本號為10.2，其效率將比現(xiàn)有版本提高至少10倍，在瀏覽YouTube時將獲得更好的瀏覽體驗(yàn)。 Flash Player 10.2引入了若干新特性，包括
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美光新加坡廠明年投產(chǎn) NAND Flash卡位戰(zhàn)再起
美系存儲器大廠美光(Micron)2010年全球NANDFlash市占率大躍進(jìn)，已擠下海力士(Hynix)坐穩(wěn)全球三哥寶座，在擴(kuò)產(chǎn)速度上，美光在2011年也不會缺席，與英特爾(Intel)合資的新加坡廠也將在2011年第2季開始投產(chǎn)，對于三星電
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突破技術(shù)藩籬 臺灣加入NAND Flash戰(zhàn)局
臺灣長久缺席的快閃存儲器產(chǎn)業(yè)終于出現(xiàn)曙光，由于既有NANDFlash技術(shù)在20納米制程以下面臨天險，全球大廠紛競逐下世代技術(shù)，近期國家納米元件實(shí)驗(yàn)室(NDL)成功在R-RAM(ResistiveRandom-AccessMemory)技術(shù)架構(gòu)下，研發(fā)出
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臺灣插足快閃存儲器產(chǎn)業(yè)
全球大廠紛競逐下世代技術(shù)，近期國家納米元件實(shí)驗(yàn)室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技術(shù)架構(gòu)下，研發(fā)出全球最小的9納米電阻式存儲器，計劃在2011年下半正式成立“16-8納米元件聯(lián)盟”，將廣邀存儲器
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突破技術(shù)藩籬 臺灣加入NAND Flash戰(zhàn)局
臺灣長久缺席的快閃存儲器產(chǎn)業(yè)終于出現(xiàn)曙光，由于既有NAND Flash技術(shù)在20納米制程以下面臨天險，全球大廠紛競逐下世代技術(shù)，近期國家納米元件實(shí)驗(yàn)室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技術(shù)架構(gòu)下，研
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90納米SOLID FLASH™ 技術(shù)（英飛凌）
英飛凌科技股份公司近日在法國巴黎“智能卡暨身份識別技術(shù)工業(yè)展（CARTES & IDentification）”上宣布推出適用于新一代安全I(xiàn)C的90納米SOLID FLASH™ 技術(shù)。依靠SOLID FLASH技術(shù)，英飛凌成為全球首家可
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封測廠11月營收跌多漲少，記憶體相關(guān)最強(qiáng)勢
時序即將邁入年終之際，IC封測廠的營運(yùn)表現(xiàn)也開始轉(zhuǎn)弱，11月的營收跌多漲少，其中表現(xiàn)較為逆勢的則有矽品(2325)、欣銓(3264)、菱生(2369)，均較上月出現(xiàn)反升，而記憶體封測廠力成(6239)、華東(8110)、福懋科(8131)則
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基于 DSP的嵌入式系統(tǒng)通過地址映射方式實(shí)現(xiàn)片外FLASH擦寫
1 引言 在DSP系統(tǒng)的設(shè)計中，經(jīng)常要使用片外存儲器擴(kuò)充系統(tǒng)存儲空間。特別是當(dāng)DSP的片內(nèi)數(shù)據(jù)存儲器和程序存儲器容量比較小時, 必須把一部分?jǐn)?shù)據(jù)，如常量、原始數(shù)據(jù)庫等存儲到片外的存儲器中，從而節(jié)省DSP芯片內(nèi)部
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基于 DSP的嵌入式系統(tǒng)通過地址映射方式實(shí)現(xiàn)片外FLASH擦寫
基于 DSP的嵌入式系統(tǒng)通過地址映射方式實(shí)現(xiàn)片外FLASH擦寫
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Flash單片機(jī)自編程技術(shù)
Flash的可自編程性（Self-Programmability）是指，用Flash存儲器中的駐留軟件或程序?qū)lash存儲器進(jìn)行擦除/編程，但是，要求運(yùn)行程序代碼的存儲區(qū)與待編程的存儲區(qū)不在同一模塊中。因此，只有一個片上Flash存儲器模塊
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基于Flash構(gòu)架的模數(shù)混合的FPGA在心電監(jiān)控儀上的應(yīng)用設(shè)計
Fution系列的FPGA是世界上首個基于Flash構(gòu)架的模數(shù)混合的FPGA，即在數(shù)字FPGA的基礎(chǔ)上加入了模擬電路部分，解決了傳統(tǒng)模擬電路和FPGA分離給設(shè)計帶來的諸多問題，降低了PCB板的制作難度，縮小了產(chǎn)品的體積。FPGA的可編
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基于Flash構(gòu)架的模數(shù)混合的FPGA在心電監(jiān)控儀上的應(yīng)用設(shè)計
基于Flash構(gòu)架的模數(shù)混合的FPGA在心電監(jiān)控儀上的應(yīng)用設(shè)計
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應(yīng)用材料：2011年NAND Flash廠資本支出將大幅成長
針對2011年半導(dǎo)體資本支出的趨勢，設(shè)備大廠應(yīng)用材料(Applied Materials)指出，2011年NAND Flash廠資本支出將大幅成長，幅度將勝過DRAM產(chǎn)業(yè)，晶圓代工也仍然相當(dāng)強(qiáng)勁，預(yù)估整體半導(dǎo)體設(shè)備市場將有持平至5%的成長幅度。
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