氮化鎵功率器件解析

隨著社會的不斷進步，技術的不斷發(fā)展，科技產(chǎn)品也日新月異，產(chǎn)品都需要功率器件，好的功率器件需要更好的設計者來設計，功率器件對電子產(chǎn)品是功不可沒的。分立、邏輯和 MOSFET 器件的專業(yè)制造商Nexperia，推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進入氮化鎵場效應管(GaN)市場。

GaN Systems和安森美共同發(fā)布半橋評估板

采用GaN Systems的650 V，30 A GaN E-HEMT和安森美半導體的NCP51820高速柵極驅(qū)動器，共同組成了一套高速半橋GaN系統(tǒng)評估板。該套件采用25mm x 25mm的布局

LED中的氮化鎵技術

現(xiàn)在大街上隨處可見的LED顯示屏，還有裝飾用的LED彩燈以及LED車燈，處處可見LED燈的身影，LED已經(jīng)融入到生活中的每一個角落。氮化鎵技術(GaN)在LED應用中早已不是什么新鮮事兒，最早GaN的開發(fā)初衷就是為LED而生，之后的科研人員才開始基于GaN的高頻特性，陸續(xù)在射頻、功率等領域進行探索。

Navitas納微半導體在亞洲高級電力電子會議上展示在GaN（氮化鎵）功率器件領域的領導地位

Navitas 納微半導體近日宣布將于2019年11月1日至4日在中國深圳舉行的中國電源學會(CPSSC)上展示20多款由GaNFast技術驅(qū)動的手機快速充電器。

安森美半導體的NCP51820高速氮化鎵(GaN)門極驅(qū)動器在中國獲2019年度“Top 10電源產(chǎn)品獎”

行業(yè)認可首款用于GaN功率開關的高性能、650V高壓半橋門極驅(qū)動器

高性能GaN器件

隨著社會的不斷進步，技術的不斷發(fā)展，科技產(chǎn)品也日新月異，產(chǎn)品都需要功率器件，好的功率器件需要更好的設計者來設計，功率器件對電子產(chǎn)品是功不可沒的。2015年3月20日，德國慕尼黑和日本大阪訊——英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達成協(xié)議，將聯(lián)合開發(fā)采用松下電器的常閉式(增強型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結構，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。

安森美的SiC及GaN產(chǎn)品

在日常生活中，電子產(chǎn)品處處可見，大家都知道如何使用，但是都不會去了解電子產(chǎn)品里面有什么，其實里面很重要的是功率器件。更為嚴格的行業(yè)標準和政府法規(guī)的變遷是更高能效產(chǎn)品的關鍵驅(qū)動因素。例如數(shù)據(jù)中心正呈指數(shù)級增長以跟上需求，其耗電量約占全球總電力供應量(+ 400TWh)的3%，也占總溫室氣體排放量的2%，與航空業(yè)的碳排放量相同。

北大東莞光電研究院有望突破高質(zhì)量GaN單晶襯底制備難題

據(jù)報道，北京大學東莞光電研究院現(xiàn)有在孵企業(yè)32家，2018年度在孵企業(yè)營業(yè)總收入12.78億元。光電研究院成立于2012年8月，由北京大學與東莞市人民政府共同組建，是廣東省首批新型研發(fā)機構。研究院擁有

5G冰山之下，潛藏著你未意識到的GaN應用巨大機遇

在EDI CON2019上，21ic專訪了MACOM的無線產(chǎn)品中心資深總監(jiān)成鋼 (Echo Cheng)和射頻和微波解決方案銷售總監(jiān)孟愛國 (Michael Meng)。兩位對于5G產(chǎn)品形態(tài)、市場和更多GaN藍海機遇進行了講解。

ANADIGICS推出新型GaN線路放大器

我們?nèi)绾卧O計一部以無線方式供電的電視機

作者：宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）Michael A. de Rooij博士及張遠哲博士面向不同種類的家電，eGaN FET技術在推動無線充電市場的發(fā)展扮演著重要的角色 這里展示出由無線充電推動

Anker推出全球首款氮化鎵充電器：最大輸出功率達27W功率

氮化鎵(GaN)被業(yè)界稱為第三代半導體材料，應用范圍非常廣，包括半導體照明、激光器、射頻等，而用在充電器上可在超小體積上實現(xiàn)大功率輸出。不久前，Anker推出了全球首款采用氮化鎵材料的充電器，型號“P

國產(chǎn)GaN研發(fā)取得突破進展，本月底試產(chǎn)，明年正式量產(chǎn)！

陳鈺林透露，國產(chǎn)GaN研發(fā)取得突破進展，100V、150V、650V三個GaN新品將于2018年12月底試產(chǎn)，2019年正式量產(chǎn)。目前，英諾賽科已有5個產(chǎn)品(40V、60V、100V等)實現(xiàn)小批量生產(chǎn)并有接到訂單，這些產(chǎn)品均采用了目前行業(yè)領先的8寸Fab產(chǎn)線制造。

SiC和GaN并不是終點，功率半導體氧化鎵到底是什么

SiC和GaN并不是終點，最近，氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野，憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶，該種化合物半導體在更高功率的應用方面具有獨特優(yōu)勢。因此，近幾年關于氧化鎵的研究又熱了起來。

尺寸減半、功率翻番！——氮化鎵（GaN）技術給機器人、可再生能源和電信等領域帶來革新

硅電源技術領域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應用的尺寸，但卻很難更進一步。在現(xiàn)有尺寸規(guī)格下，硅材料無法在所需的頻率下輸出更高的功率。而對于即將推出的5G無線網(wǎng)絡，以及未來的機器人、可再生能源直至數(shù)據(jù)中心技術，功率都是一個至關重要的因素。

TI發(fā)布新一代直流降壓器和GaN高壓產(chǎn)品，將功率密度提升到新高度

更高功率密度是目前電源IC廠商的一致目標，近日TI發(fā)布了全新的DC/DC降壓器和高壓GaN電源產(chǎn)品，將功率密度提升到新的高度。

領先的SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器的驅(qū)動

目前，功率轉(zhuǎn)換器市場快速演進，將來也會快速發(fā)展，從簡單的高性價比設計模式走向更為廣泛、更具持續(xù)性的創(chuàng)新模式。新的挑戰(zhàn)不斷涌現(xiàn)，比如，生產(chǎn)能供小型伺服驅(qū)動使用或者能集成到分布式存能單元功率轉(zhuǎn)換器中的更小、更高效的功率轉(zhuǎn)換器。這也意味著，要用更高的工作電壓來管理更高的功率，卻不能增加重量和尺寸，比如，太陽能串式逆變器和電動汽車牽引電機等應用場合。

一種GaN寬禁帶功率放大器的設計

0 引言半導體功率器件按材料劃分大體經(jīng)歷了三個階段。第一代半導體功率器件以Si雙極型功率晶體管為主要代表，主要應用在S波段及以下波段中。Si雙極型功率晶體管在L波段脈沖

第三代半導體材料盛行，GaN與SiC如何撬動新型功率器件

1.GaN功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS管向以碳化硅(SiC)、氮鎵(GaN)為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、G

領先的SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器的驅(qū)動

目前，功率轉(zhuǎn)換器市場快速演進，將來也會快速發(fā)展，從簡單的高性價比設計模式走向更為廣泛、更具持續(xù)性的創(chuàng)新模式。新的挑戰(zhàn)不斷涌現(xiàn)，比如，生產(chǎn)能供小型伺服驅(qū)動使用或者能集成到分布式存能單元功率轉(zhuǎn)換器中的更小、更高效的功率轉(zhuǎn)換器。