第三代半導體材料主要包括氮化鎵(Gallium Nitride, GaN)、碳化硅(Silicon Carbide, SiC)、氧化鋅(Zinc Oxide, ZnO)、氮化鋁(Aluminum Nitride, AlN)和金剛石等
任何電源管理系統(tǒng)的核心是開關,可以打開和關閉電源。它就像墻上的照明開關一樣,但是速度會數(shù)百萬倍地快,尺寸會數(shù)百萬倍地小。效率(低損耗)、可靠性、集成度和可負擔性是半導體電源開關的關鍵屬性。
此次合作將充分發(fā)揮GaN Systems公司GaN功率晶體管的業(yè)界頂級性能與羅姆的GaN功率器件技術優(yōu)勢及豐富的電子元器件設計/制造綜合實力。雙方將利用GaN Systems公司的GaNPXTM封裝技術和羅姆的功率元器件傳統(tǒng)封裝技術,聯(lián)合開發(fā)最適合GaN器件的產(chǎn)品。這將能夠最大限度地挖掘并發(fā)揮GaN器件的潛力。另外,雙方通過提供兼容產(chǎn)品,將能夠為雙方的客戶穩(wěn)定地供應GaN器件。
固態(tài)射頻能量應用正在逐漸興起,可預見這將成為功率晶體管的又一巨大市場。很多LDMOS晶體管廠商譬如NXP、英飛凌等等都已經(jīng)開始發(fā)力。而MACOM一直以硅基GaN見長, GaN的性能優(yōu)勢也使得其能在固態(tài)射頻能量應用上獲得更
專注于新產(chǎn)品引入 (NPI) 并提供極豐富產(chǎn)品類型的業(yè)界頂級半導體和電子元件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始供貨GaN Systems的GSP65RxxHB-EVB絕緣金屬基板 (IMS) 評估平臺。
材料、信息、能源構筑的當代文明社會,缺一不可。半導體不僅具有極其豐富的物理內(nèi)涵,而且其性能可以置于不斷發(fā)展的精密工藝控制之下,可謂是“最有料”的材料。在不久的將來,以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導體材料的應用,無論是在軍用領域還是在民用市場,都是世界各國爭奪的戰(zhàn)略陣地。
未來五年,通信產(chǎn)業(yè)向5G時代的革命性轉變正在深刻重塑RF(射頻)技術產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀。這不僅是針對智能手機市場,還包括3W應用RF通信基礎設施應用,并且,5G將為RF功率市場的化合物半導體技術帶來重大市場機遇。
2022年,GaN RF器件的市場營收預計將達到11億美元,約占整個RF 功率市場的45%...
Qorvo, Inc.推出新的50V GaN-on-SiC 晶體管系列---QPD1004、QPD1014和QPD1011,該晶體管系列可以提高性能、增強功能,并加快任務關鍵型戰(zhàn)術和公共安全電臺的開發(fā)速度。這些晶體管針對寬帶應用進行過輸入匹配處理,并且尺寸小巧,可以實現(xiàn)尺寸更小的新一代通信設備。
電力電子世界在1959年取得突破,當時Dawon Kahng和Martin Atalla在貝爾實驗室發(fā)明了金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。首款商業(yè)MOSFET在五年后發(fā)布生產(chǎn),從那時起,幾代MOSFET晶體管使電源設計人員實現(xiàn)了雙極性早期產(chǎn)品不可能實現(xiàn)的性能和密度級別。
北京2017年6月6日電 /美通社/ -- Analog Devices, Inc. (ADI),全球領先的高性能信號處理解決方案供應商,近日推出一款寬帶氮化鎵(GaN)功率放大器HMC8205,其設計緊湊,在同類產(chǎn)品中性能最佳。
繼第一代元素半導體材料(si)和第二代化合物半導體材料后,第三代禁帶寬度半導體材料(SiC、GaN、C-BN、ZnSe等)已經(jīng)在獲得了眾多半導體廠商的認可。第三代半導體材料具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速
這是一個數(shù)據(jù)的時代,每個人都身處在龐大的數(shù)據(jù)中,并且隨著物聯(lián)網(wǎng)和5G等技術的逐步實現(xiàn),數(shù)據(jù)的吞吐量正在極速增長中。據(jù)Cisco預測,2016年數(shù)據(jù)中心的流量已達5.8ZB;據(jù)愛立信報告指明,到2022年全球超過90%數(shù)據(jù)流量
今年的GaN(氮化鎵)器件市場異?;钴S,GaN逐漸成為主流,開始滲透一些批量需求的商業(yè)市場。
實現(xiàn)互聯(lián)世界的創(chuàng)新RF解決方案提供商Qorvo, Inc.日前宣布,推出兩款全新的功率放大器(PA),包括可以在內(nèi)部匹配50Ω的行業(yè)首款500W L頻段PA和一款450W S頻段PA。
移動應用、基礎設施與航空航天、國防等應用中領先的RF解決方案供應商Qorvo, Inc.(納斯達克代碼:QRVO)今日宣布,推出六款全新50V氮化鎵(GaN)晶體管---QPD1009和QPD1010,以及QPD1008(L)和QPD1015(L),專門設計用于優(yōu)
氮化鎵 (GaN) 技術由于其出色的開關特性和不斷提升的品質(zhì),近期逐漸得到了電力轉換應用的青睞。具有低寄生電容和零反向恢復的安全GaN可實現(xiàn)更高的開關頻率和效率,從而為全新應用和拓撲選項打開了大門。連續(xù)傳導模式 (CCM)圖騰柱PFC就是一個得益于GaN優(yōu)點的拓撲。與通常使用的雙升壓無橋PFC拓撲相比,CCM圖騰柱無橋PFC能夠使半導體開關和升壓電感器的數(shù)量減半,同時又能將峰值效率推升到95%以上。本文分析了AC交叉區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)電流尖峰的根本原因,并給出了相應的解決方案。一個750W圖騰柱PFC原型機被構造
提起GaN技術,就不得不說起MACOM。近日北京召開的EDI CON上,MACOM展示了業(yè)界最頂尖的GaN技術。
TI正在設計基于GaN原理的綜合質(zhì)量保證計劃和相關的應用測試來提供可靠的GaN解決方案。氮化鎵(GaN)的材料屬性可使電源開關具有令人興奮且具有突破性的全新特性—功率GaN。高電子遷移晶體管(HEMT)。HEMT是一種場效應晶體管(FET),會使導通電阻會低很多。它的開關頻率要比同等大小的硅功率晶體管要快。這些優(yōu)勢使得功率轉換的能效更高,并且能夠更加有效地使用空間。GaN可以安裝在硅基板上,這樣可充分利用硅制造能力,并實現(xiàn)更低的成本。然而,在使用新技術時,需要驗證這項技術的可靠性。這份白皮書的主題恰恰是G
作為電源工程師,我們能夠回憶起第一次接觸到理想化的降壓和升壓功率級的場景。還記得電壓和電流波形是多么的漂亮和簡單(圖1),以及平均電流的計算是多么地輕松,并且確定