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我國(guó)半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新應(yīng)用發(fā)展形勢(shì)研究分析

半導(dǎo)體器件的發(fā)明和應(yīng)用深刻地改變了近50年的人類(lèi)歷史發(fā)展進(jìn)程。進(jìn)入21世紀(jì)，半導(dǎo)體器件無(wú)處不在，已成為構(gòu)筑信息化社會(huì)的基石。同時(shí)，電力半導(dǎo)體在提高電力轉(zhuǎn)換效率方面的作用使之成為構(gòu)筑低碳社會(huì)的基石。半導(dǎo)體技

消費(fèi)電子
2012-06-18

半導(dǎo)體技術(shù) 應(yīng)用發(fā)展 GAN 電力半導(dǎo)體
豐田合成研發(fā)出次世代LED產(chǎn)品

近日，豐田合成(Toyota Gosei)成功研發(fā)出一款次世代LED產(chǎn)品，其亮度在6000至12000流明，可達(dá)現(xiàn)行產(chǎn)品的3倍，將可輕易制作出亮度可媲美水銀燈的LED照明產(chǎn)品。據(jù)報(bào)導(dǎo)，豐田合成所試作出的LED產(chǎn)品以氮化鎵(Gallium nitr

顯示光電
2012-06-18

豐田基板 LED產(chǎn)品 GAN
意大利電信“急售”La7

隨著La7, La7d and MTV Italia的分離和意大利電信媒體傳播活動(dòng)的展開(kāi)，總公司意大利電信現(xiàn)在正決定“急售”國(guó)家廣電機(jī)構(gòu)La7。根據(jù)當(dāng)?shù)孛襟w報(bào)道，Mediobanca銀行和花旗銀行已經(jīng)開(kāi)始嘗試聯(lián)系不同的工業(yè)和金

通信技術(shù)
2012-06-14

電信 GIF IMAGES GAN
2012年德國(guó)線路板市場(chǎng)預(yù)計(jì)增長(zhǎng)4.2%至14億歐元

6月4日消息，據(jù)媒體報(bào)道，德國(guó)電氣電子行業(yè)協(xié)會(huì)ZVEI主席Dr.WolfgangBochtler表示，2012年德國(guó)線路板市場(chǎng)預(yù)計(jì)增長(zhǎng)4.2%至14億歐元。集成電路（IC）市場(chǎng)預(yù)計(jì)略降1.3%至7.12億歐元。電子設(shè)備市場(chǎng)（原廠制造和EMS代工）預(yù)

消費(fèi)電子
2012-06-05

集成電路太陽(yáng)能線路板 GAN
業(yè)界最高水準(zhǔn)8吋氮化鎵上矽GaN on Silicon LED 芯片成功研發(fā)

LED照明技術(shù)與解決方案的研發(fā)與制造領(lǐng)導(dǎo)廠商Bridgelux 公司，以及全球領(lǐng)導(dǎo)半導(dǎo)體制造商Toshiba公司，今日共同宣布成功開(kāi)發(fā)出業(yè)界最高水準(zhǔn)的 8 吋氮化鎵上矽（GaN on Silicon） LED芯片，采用350mA電流，電壓小于 3.1

顯示光電
2012-05-30

芯片 LED Silicon GAN
氮化鎵在射頻通信中應(yīng)用

氮化鎵并非革命性的晶體管技術(shù)，這種新興技術(shù)逐漸用于替代橫向擴(kuò)散金屬氧化物硅半導(dǎo)體（Si LDMOS）和砷化鎵（GaAs）晶體管技術(shù)以及某些特定應(yīng)用中的真空管。與現(xiàn)有技術(shù)相比，氮化鎵（GaN）的優(yōu)勢(shì)在于更高的漏極效率、

通信技術(shù)
2012-05-28

器件氮化鎵射頻通信 GAN
業(yè)界最高水準(zhǔn)8吋氮化鎵上矽GaN on Silicon LED 芯片成功研發(fā)

LED照明技術(shù)與解決方案的研發(fā)與制造領(lǐng)導(dǎo)廠商Bridgelux 公司，以及全球領(lǐng)導(dǎo)半導(dǎo)體制造商Toshiba公司，今日共同宣布成功開(kāi)發(fā)出業(yè)界最高水準(zhǔn)的 8 吋氮化鎵上矽（GaN on Silicon） LED芯片，采用350mA電流，電壓小于 3.1

電源-LED驅(qū)動(dòng)
2012-05-28

芯片 LED Silicon GAN
LED顯示屏像素失控原因分析

造成LED顯示屏像素失控的主要原因是LED失效,靜電放電是失效最大誘因造成LED顯示屏像素失控的原因很多，其中最主要的原因就是“LED失效”。LED失效的主因又可分為兩個(gè)方面：一是LED自身品質(zhì)不佳；二是使用方

顯示光電
2012-05-21

靜電放電 ESD LED顯示屏 GAN
西班牙電信在馬德里推出FTTP業(yè)務(wù)

5/16/2012, 西班牙電信Telefonica和馬德里市政府今天宣布將合作在今年年底前為該市130萬(wàn)用戶(hù)提供100Mbps的FTTP寬帶業(yè)務(wù)。目前在馬德里的多個(gè)區(qū)，包括Hortaleza, Arganzuela， Moncloa-Aravaca和Fuencarral-El Pardo等

通信技術(shù)
2012-05-17

電信 IC GIF GAN
華燦光電去年獲利1.25億元藍(lán)綠光外延片實(shí)現(xiàn)自產(chǎn)

華燦光電2011年?duì)I業(yè)收入和凈利潤(rùn)均保持快速增長(zhǎng)，公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入4.74億元，歸屬于公司普通股股東的凈利潤(rùn)為1.25億元，公司銷(xiāo)售收入由2009年的1億元增長(zhǎng)至2011年的4.74億元;年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到117.36%，高于市場(chǎng)的增長(zhǎng)

消費(fèi)電子
2012-05-17

光電藍(lán)光 LED芯片 GAN
蜂窩網(wǎng)絡(luò)趨勢(shì)引領(lǐng)新工藝前景方向

業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、氮化鎵（GaN）、碳化硅

通信技術(shù)
2012-05-16

蜂窩網(wǎng)絡(luò) 基板 SIC GAN
硅襯底，躋身主流待何時(shí)？

襯底作為半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的核心技術(shù)，是產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基石，襯底材料的選用直接決定了LED芯片的制造路線。日前，普瑞光電宣布明年將量產(chǎn)8英寸硅襯底的消息引起了業(yè)界的格外關(guān)注。隨后，Cree也發(fā)布消息稱(chēng)，其白光功率型LE

顯示光電
2012-05-16

LED芯片 SIC GAN
硅襯底，躋身主流待何時(shí)？

襯底作為半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的核心技術(shù)，是產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基石，襯底材料的選用直接決定了LED芯片的制造路線。日前，普瑞光電宣布明年將量產(chǎn)8英寸硅襯底的消息引起了業(yè)界的格外關(guān)注。隨后，Cree也發(fā)布消息稱(chēng)，其白光功率型

消費(fèi)電子
2012-05-16

LED芯片 SIC GAN
硅襯底，躋身主流待何時(shí)？

襯底作為半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的核心技術(shù)，是產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基石，襯底材料的選用直接決定了LED芯片的制造路線。日前，普瑞光電宣布明年將量產(chǎn)8英寸硅襯底的消息引起了業(yè)界的格外關(guān)注。隨后，Cree也發(fā)布消息稱(chēng)，其白光功率型LE

電源-LED驅(qū)動(dòng)
2012-05-13

LED芯片 SIC GAN
RFMD為功率器件產(chǎn)品和代工客戶(hù)推出rGaN-HV工藝技術(shù)

高性能射頻組件以及復(fù)合半導(dǎo)體技術(shù)設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者RF Micro Devices， Inc.（Nasdaq 股市代號(hào)：RFMD）日前宣布，擴(kuò)展其RFMD 業(yè)界領(lǐng)先的氮化鎵工藝技術(shù)，以包括功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中專(zhuān)為高電壓功率器件而優(yōu)化的新

模擬
2012-05-09

功率器件氮化鎵 RFMD GAN
日本礙子開(kāi)發(fā)出可使LED發(fā)光效率提高1倍的GaN晶圓

日本礙子稱(chēng)，開(kāi)發(fā)出了可將LED光源的發(fā)光效率提高1倍的GaN(氮化鎵)晶圓。該晶圓在生長(zhǎng)GaN單結(jié)晶體時(shí)采用自主開(kāi)發(fā)的液相生長(zhǎng)法，在整個(gè)晶圓表面實(shí)現(xiàn)低缺陷密度的同時(shí)獲得了無(wú)色透明特性。日本礙子在其他研究機(jī)構(gòu)的協(xié)助

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2012-05-09

晶圓 LED 發(fā)光效率 GAN
豐田合成聯(lián)合昭和電工組建LED芯片合資企業(yè)

4月27日，日本LED制造商豐田合成和昭和電工宣布組建合資企業(yè)，生產(chǎn)GaN基LED芯片，以解決高端LED芯片應(yīng)用市場(chǎng)。豐田合成與昭和電工在2009年曾簽署了一項(xiàng)專(zhuān)利交叉許可協(xié)議。新的合資公司這將使他們“結(jié)合起來(lái)，最大限

消費(fèi)電子
2012-05-08

豐田 LED芯片 LIMIT GAN
璨圓光電再次訂購(gòu)愛(ài)思強(qiáng)CRIUS II-XL 及 G5 HT系統(tǒng)

德國(guó)愛(ài)思強(qiáng)股份有限公司今日宣布，長(zhǎng)期客戶(hù)璨圓光電已經(jīng)簽定新訂單訂購(gòu)若干MOCVD系統(tǒng)。該訂單包括4個(gè)19x4英寸的晶圓配置CRIUS II-XL系統(tǒng)及2個(gè)14x4英寸的晶圓配置G5 HT反應(yīng)器，該系統(tǒng)將用于制造超高亮度 (Ultra-High

消費(fèi)電子
2012-05-04

晶圓光電 PI GAN
LED芯片常用襯底材料選用比較

對(duì)于制作LED芯片來(lái)說(shuō)，襯底材料的選用是首要考慮的問(wèn)題。應(yīng)該采用哪種合適的襯底，需要根據(jù)設(shè)備和LED器件的要求進(jìn)行選擇。目前市面上一般有三種材料可作為襯底：1.藍(lán)寶石（Al2O3）2.硅(Si)3.碳化硅（SiC）藍(lán)寶石襯底

顯示光電
2012-05-04

電極碳化硅 LED芯片 GAN
RFMD為功率器件產(chǎn)品和代工客戶(hù)推出rGaN-HVT工藝技術(shù)

高性能射頻組件以及復(fù)合半導(dǎo)體技術(shù)設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者 RF Micro Devices, Inc.（Nasdaq 股市代號(hào)：RFMD）日前宣布，擴(kuò)展其 RFMD 業(yè)界領(lǐng)先的氮化鎵工藝技術(shù)，以包括功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中專(zhuān)為高電壓功率器件而優(yōu)化的

消費(fèi)電子
2012-05-03

功率器件 BSP RFMD GAN

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Kevion_lin
海中水
WRB9609
Blueshadow1002
sure5556382
li1874
grantwen
21ic小喇叭
zyj9490
fansi
askeyes
chencharles72
foxhao1899
EVER21
不愛(ài)說(shuō)話(huà)
yingdian6
shuangbang
dcf866553
cdwujinshan
lele4090039

GAN

我國(guó)半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新應(yīng)用發(fā)展形勢(shì)研究分析

豐田合成研發(fā)出次世代LED產(chǎn)品

意大利電信“急售”La7

2012年德國(guó)線路板市場(chǎng)預(yù)計(jì)增長(zhǎng)4.2%至14億歐元

業(yè)界最高水準(zhǔn)8吋氮化鎵上矽GaN on Silicon LED 芯片成功研發(fā)

氮化鎵在射頻通信中應(yīng)用

業(yè)界最高水準(zhǔn)8吋氮化鎵上矽GaN on Silicon LED 芯片成功研發(fā)

LED顯示屏像素失控原因分析

西班牙電信在馬德里推出FTTP業(yè)務(wù)

華燦光電去年獲利1.25億元藍(lán)綠光外延片實(shí)現(xiàn)自產(chǎn)

蜂窩網(wǎng)絡(luò)趨勢(shì)引領(lǐng)新工藝前景方向

硅襯底，躋身主流待何時(shí)？

硅襯底，躋身主流待何時(shí)？

硅襯底，躋身主流待何時(shí)？

RFMD為功率器件產(chǎn)品和代工客戶(hù)推出rGaN-HV工藝技術(shù)

日本礙子開(kāi)發(fā)出可使LED發(fā)光效率提高1倍的GaN晶圓

豐田合成聯(lián)合昭和電工組建LED芯片合資企業(yè)

璨圓光電再次訂購(gòu)愛(ài)思強(qiáng)CRIUS II-XL 及 G5 HT系統(tǒng)

LED芯片常用襯底材料選用比較

RFMD為功率器件產(chǎn)品和代工客戶(hù)推出rGaN-HVT工藝技術(shù)

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