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利用濕式蝕刻工藝提高LED光萃取效率之產(chǎn)能與良率的方法

近幾年來III族氮化物（III-Nitride）高亮度發(fā)光二極體（High Brightness Light EmissiON Diode; HB-LED）深獲廣大重視，目前廣泛應用于交通號志、LCD背光源及各種照明使用上?；旧?，GaN LED是以磊晶（Epitaxial）方

顯示光電
2012-03-14

LED 基板 GAN PS
阿曼Nawras演示LTE網(wǎng)絡領先競爭對手

北京時間3月13日早間消息（蔣均牧）阿曼Nawras日前進行了第一次LTE網(wǎng)絡公開演示，以LTE和全光網(wǎng)部署了馬斯喀特大商場（Muscat Grand Mall）。Nawras首席技術官沃爾夫岡·維姆霍夫（Wolfgang Wemhoff）表示：&

通信技術
2012-03-13

電信 LTE網(wǎng)絡 WIMAX GAN
SiC/GaN功率半導體面臨測試新挑戰(zhàn)

半導體材料最近引來不少關注。在功率半導體領域，硅對于設備生產(chǎn)商的運行性能已經(jīng)逼近極限。功率半導體用戶需要更高效的、切換時損失電力不那么多的設備。因此功率半導體廠商開始轉向替代材料，更具體地說是碳化硅

模擬
2012-03-13

功率半導體示波器 SIC GAN
利用濕式蝕刻工藝提高LED光萃取效率之產(chǎn)能與良率的方法

近幾年來III族氮化物（III-Nitride）高亮度發(fā)光二極體（High Brightness Light EmissiON Diode; HB-LED）深獲廣大重視，目前廣泛應用于交通號志、LCD背光源及各種照明使用上?；旧?，GaN LED是以磊晶（Epitaxial）方

數(shù)字電源
2012-03-12

LED 基板 GAN PS
3D活體器官生物打印機在美成功發(fā)明

據(jù)國外媒體報道，器官移植拯救了很多人的生命，但這項技術也存在器官來源不足、排異反應難以避免等弊端。不過，隨著未來“生物打印機”的問世，這些問題將迎刃而解。或許，醫(yī)生有朝一日可以“按需打印

醫(yī)療電子
2012-03-09

打印機 3D模型 GAN
PLD技術在功能薄膜材料研究中的應用

薄膜材料已在半導體材料、超導材料、生物材料、微電子元件等方面得到廣泛應用。為了得到高質量的薄膜材料，脈沖激光沉積技術受到了廣泛的關注。本文介紹了脈沖激光沉積(PLD)薄膜技術的原理及特點，分析了脈沖激光沉積

電子設計自動化
2012-03-07

薄膜溫度 PLD GAN
日LED大廠告璨圓侵權

日本LED大廠豐田合成（ToyodaGosei）上周五向桃園地方法院針對璨圓提出侵權控告，主張璨圓所生制的氮化鎵（GaN）系列LED侵害兩件發(fā)明專利權，璨圓昨（28）日公告，尚未收到任何法院文件，已委請專利律師因應法律程序

顯示光電
2012-03-01

豐田專利侵權 LED GAN
白色LED發(fā)展史（一）：獨家壟斷崩潰，迎來競爭時代

白色LED是液晶電視及手機等配備的液晶顯示器不可缺少的背照燈光源。最近，LED作為照明器具光源受到的關注越來越高。由藍色LED與螢光體組合而成、并在今天獲得廣泛市場的白色LED問世于1996年。最初是作為實現(xiàn)手機液晶

顯示光電
2012-02-24

電子 LED GAN
傳三菱化學10月量產(chǎn)LED用GaN襯底耗電可降70%

據(jù)日經(jīng)新聞23日報導，三菱化學(Mitsubishi Chemical)計劃于今(2012)年10月開始量產(chǎn)使用于LED的氮化鎵(GaN)襯底，因其電光轉換率高(將電力轉換成光的效率)，故搭載該GaN襯底的LED照明的耗電力可較現(xiàn)行產(chǎn)品刪減50-70%。

消費電子
2012-02-24

電力 CHEMICAL LED GAN
南昌大學LED照明項目獲國家“863計劃”重點支持

近日，科技部公布“十二五”國家高技術研究發(fā)展計劃(863計劃)新材料技術領域“高效半導體照明關鍵材料技術研發(fā)”重大項目立項名單，全國共有14項課題獲得立項，其中南昌大學申報的“大尺寸Si襯底GaN基LED外延生長、芯

消費電子
2012-02-20

新材料 LED芯片 LED照明 GAN
俄指其市場的中國LED等節(jié)能燈產(chǎn)品“魚目混珠”

俄媒近日指出，歐洲三分之二以上節(jié)能燈從中國進口，目前中國制造的螢光和LED等節(jié)能燈產(chǎn)品在俄已占到60%的市場份額。俄OPTOGAN公司總裁列夫稱，中國制造的節(jié)能燈產(chǎn)品最大的問題是品質低劣，不符合相關技術標準和環(huán)保要

顯示光電
2012-02-20

中國制造 LED GAN
Soraa推出GaN-on-GaN LEDs和MR16燈

Soraa是世界領先的氮化鎵開發(fā)商，開發(fā)了世界上第一個商業(yè)氮化鎵LED產(chǎn)品。Soraa成立于2008年，創(chuàng)辦人之一的中村修二擁有“藍光LED之父”的美名。近日，Soraa宣布推出自己的旗艦產(chǎn)品——被稱為LED2.0技術的LED照明產(chǎn)品

顯示光電
2012-02-16

氮化鎵 LEDS MR16 GAN
俄媒指出中國大量偽劣節(jié)能燈充斥其市場

2月14日俄媒體報導，中國節(jié)能燈產(chǎn)業(yè)發(fā)展突飛猛進，2001年至2006年間，以年均48%的速度遞增。中國制造的各類節(jié)能燈在世界各地銷售市場隨處可見。其中歐洲三分之二以上的節(jié)能燈從中國進口。俄OPTOGAN公司總裁列夫稱

顯示光電
2012-02-15

中國制造 LED GAN
中科半導體擴產(chǎn)LED芯片年銷售額沖刺10億元人民幣

揚州中科半導體照明有限公司是一家專業(yè)從事藍光GaN-LED高端外延片及芯片研發(fā)、生產(chǎn)、銷售的高科技企業(yè)，根據(jù)專案規(guī)劃，該企業(yè)總產(chǎn)能為年產(chǎn)240萬張外延及芯片。今年，新增50臺MOCVD將全部達產(chǎn)，進入大陸同行業(yè)前五，

顯示光電
2012-02-14

半導體芯片 LED芯片 GAN
南昌大學LED照明項目獲國家“863計劃”重點支持

近日，科技部公布“十二五”國家高技術研究發(fā)展計劃(863計劃)新材料技術領域“高效半導體照明關鍵材料技術研發(fā)”重大項目立項名單，全國共有14項課題獲

電源-LED驅動
2012-02-13

LED芯片 LED照明 GAN
江西LED照明專案獲政府資助超5000萬元人民幣

2月9日，江西省科技廳透露，江西省“大尺寸Si襯底GaN基LED外延生長、芯片制備及封裝技術” 課題獲得“十二五”國家高技術研究發(fā)展計劃資助5000多萬元人民幣，居全國14項課題之首，占該重大專項總金額的21.6%。近日，

顯示光電
2012-02-10

封裝技術 LED芯片 LED照明 GAN
德州儀器柵極驅動器進一步壯大GaN FET 驅動器 IC 產(chǎn)品陣營

高靈活低側柵極驅動器帶來高效率與高電源密度日前，德州儀器 (TI) 宣布推出用于配合高密度電源轉換器中 MOSFET 與氮化鎵 (GaN) 功率場效應晶體管 (FET) 使用的低側柵極驅動器。 LM5114 可驅動同步整流器與功率因數(shù)轉

電源
2012-02-07

柵極驅動器 FET GAN
德州儀器柵極驅動器進一步壯大GaN FET 驅動器 IC 產(chǎn)品陣營

高靈活低側柵極驅動器帶來高效率與高電源密度日前，德州儀器 (TI) 宣布推出用于配合高密度電源轉換器中 MOSFET 與氮化鎵 (GaN) 功率場效應晶體管 (FET) 使用的低側柵極驅動器。 LM5114 可驅動同步整流器與功率因數(shù)轉

功率器件
2012-02-07

柵極驅動器 FET GAN
LED Korea 2012展示最新技術趨勢

在即將召開的LED Korea 2012展會上，LED制造、技術與應用的全球領導者將探討研發(fā)的發(fā)展方向，客戶的需求，設備解決方案以及先進材料等最新市場趨勢。展位已經(jīng)宣告售罄，展會將包括為期兩天的會議以及領先的LED公司發(fā)

消費電子
2012-02-01

三星 SEMI LED GAN
AZZURRO率先業(yè)界投入GaN-on-Si晶圓量產(chǎn)

具有專利大直徑矽基板氮化鎵(GaN-on-Si)技術的AZZURRO半導體公司，日前展示了該公司在德國德烈斯登(Dresden)新廠設置的生產(chǎn)能力，宣告正式進入量產(chǎn)階段。公司執(zhí)行長Erwin Wolf強調(diào)，AZZURRO是業(yè)界唯一一家能同時為LE

模擬
2012-01-31

晶圓 WIN LED GAN

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海中水
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利用濕式蝕刻工藝提高LED光萃取效率之產(chǎn)能與良率的方法

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中科半導體擴產(chǎn)LED芯片年銷售額沖刺10億元人民幣

南昌大學LED照明項目獲國家“863計劃”重點支持

江西LED照明專案獲政府資助超5000萬元人民幣

德州儀器柵極驅動器進一步壯大GaN FET 驅動器 IC 產(chǎn)品陣營

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