GAN

關注134人關注

我要報錯

MOCVD設備分析預測

8月15日，IMSResearch發(fā)布最新一期的《LED季度供求報告》，其中的MOCVD章節(jié)揭露了該領域的重大變化。IMSResearch6月發(fā)布的上一季度報告中，由于今年上半年供應過剩增加，LCD和LED面板增長緩慢以及照明市場成本沒有競

消費電子
2011-08-17

GAN BRIGHT AI RESEARCH
Richard Duggan領導Telstra International邁向南亞業(yè)務新里程

Telstra International今日宣布委派Richard Duggan先生為南亞地區(qū)業(yè)務負責人，于2011年9月5日起生效。Duggan先生將駐于新加坡，向Telstra International執(zhí)行董事Phil Mottram先生匯報。Duggan先生將專責公司在南亞新

通信技術
2011-08-16

ST UG INTERNATIONAL GAN
澳大利亞電訊國際任命南亞業(yè)務新負責人

8月15日晚間消息，澳大利亞電訊國際（Telstra International）今日宣布委派Richard Duggan先生為南亞地區(qū)業(yè)務負責人，于2011年9月5日起生效。Duggan先生將駐于新加坡，向Telstra International執(zhí)行董事Phil Mottram先

通信技術
2011-08-16

ST UG INTERNATIONAL GAN
SEMI對中國的LED晶圓廠成功的報告

SEMI的最新中國LED晶圓廠產(chǎn)業(yè)研究報告證實，中國已成為世界領先的消費者固態(tài)照明和液晶電視的領先生產(chǎn)商。報告指出，中國政府支持雙方的需求和供應部門的行業(yè)，“一些分析家估計，從2010年的約100億美元增長到

電子設計自動化
2011-08-11

LED 晶圓廠 SEMI GAN
兩人售iPhone 4原型機遭指控或面臨1年監(jiān)禁

北京時間8月11日凌晨消息，去年美國科技新聞網(wǎng)站Gizmodo拿到蘋果iPhone 4原型機的事件仍未平息，兩名加州居民因與此事有關而被控犯下輕罪。布萊恩·霍根(Brian Hogan)以及塞奇·沃羅爾(Sage Wallower)被

通信技術
2011-08-11

iPhone MIDDOT POW GAN
美國千萬家庭將在五年內放棄電視

根據(jù)SNL Kagan公司的調查，在今后幾年中，放棄電視可能成為大勢所趨。目前美國的電視觀眾可能穩(wěn)定地保持在1億戶家庭左右，但根據(jù)SNL Kagan公司的調查，在今后幾年中，放棄電視可能成為大勢所趨。該調查公司預計，到2

通信技術
2011-07-24

寬帶 IC GAN
有機碳對土壤中有機氯分布影響研究獲突破

有機氯污染物作為持久性有機污染物(PesistentOganicPollutants,POPs)的重要成員，具有持久性、高毒性、生物蓄積性和長距離傳輸能力。土壤是持久性有機污染物的重要儲庫，土壤中有機相(有機碳或有機質)是POPs的重要載

測試測量
2011-07-16

PCB HC PS GAN
2011年GaN LED市場有望增長38% 達到108億美元

IMS Research最新發(fā)布的“氮化鎵季度led供需報告”中指出，2011年氮化鎵（藍/綠）LED市場銷量預計將增長49％至62億個，銷售額將增長38％至108億美元，而2010年氮化鎵（藍/綠）LED市場的銷售額增長67％至80億美元。 I

顯示光電
2011-07-11

LED 氮化鎵 GAN RESEARCH
Siltronic AG 加入IMEC的GaN-on-Si研究計劃

歐洲主要的硅片廠商德國Siltronic AG日前宣布加入IMEC的GaN-on-Si研究計劃，這一研究計劃旨在為下一代功率半導體器件和LED等開發(fā)可以大規(guī)模生產(chǎn)的200毫米晶圓襯底及其相應器件工藝。IMEC 5月份宣布硅片上GaN/AlGaN外

電子設計自動化
2011-07-06

硅片 NI IC GAN
IGBT：新應用帶動革新國內仍處追趕階段

前些年消費電子和工業(yè)控制是推動IGBT市場快速發(fā)展的兩架馬車，中小功率IGBT大放異彩。如今在新能源汽車、高鐵、新能源等新興應用的“提攜”下，大功率IGBT迎來了新的春天，而這些應用帶來新的課題，與之相

電源
2011-07-02

三菱電機 IGBT SIC GAN
GaN基量子阱紅外探測器的設計

摘要：為了實現(xiàn)GaN基量子阱紅外探測器，利用自洽的薛定諤-泊松方法對GaN基多量子阱結構的能帶結構進行了研究。考慮了GaN基材料中的自發(fā)極化和壓電極化效應，通過設計適當?shù)牧孔于褰Y構，利用自發(fā)極化和壓電極化的互補

工業(yè)控制
2011-06-29

量子紅外探測器 BSP GAN
一種S波段寬帶GaN放大器的設計

摘要：氮化鎵功率管的寬帶隙、高擊穿電場等特點，使其具有帶寬寬，高效特性等優(yōu)點。為了研究GaN功率放大器的特點，使用了Agilent ADS等仿真軟件，進行電路仿真設計，設計制作了一種S波段寬帶GaN功率放大器。詳述了電

模擬
2011-06-29

寬帶放大器波段 GAN
GaN基量子阱紅外探測器的設計

摘要：為了實現(xiàn)GaN基量子阱紅外探測器，利用自洽的薛定諤-泊松方法對GaN基多量子阱結構的能帶結構進行了研究?？紤]了GaN基材料中的自發(fā)極化和壓電極化效應，通過設計適當?shù)牧孔于褰Y構，利用自發(fā)極化和壓電極化的互補

數(shù)字電源
2011-06-26

量子紅外探測器 BSP GAN
穆迪：贏得蘋果訴訟為諾基亞贏得改革時間

（馬喬）北京時間6月21日消息，據(jù)國外媒體報道，國際評級機構穆迪(Moody’s)周一表示，由于贏得了與蘋果的專利糾紛訴訟，四面楚歌的諾基亞將為自己贏得更多的改革時間。但穆迪也表示，這次勝訴并不足以改變該公

消費電子
2011-06-22

諾基亞蘋果智能手機 GAN
穆迪：勝訴蘋果為諾基亞贏得改革時間

新浪科技訊北京時間6月21日早間消息，國際評級機構穆迪周一表示，由于在與蘋果的專利糾紛中勝訴，困境重重的諾基亞將為自己贏得更多的改革時間。但穆迪也表示，這次勝訴并不足以改變該公司對諾基亞償債壓力的

消費電子
2011-06-21

諾基亞蘋果蘋果IPHONE GAN
穆迪：和解協(xié)議為諾基亞贏得喘息時間

6月21日消息，據(jù)路透社報道，評級公司穆迪投資者服務周一表示，通過與蘋果的專利訴訟和解，處于困境中的諾基亞為自己謀求變化贏得了更多的時間。不過穆迪表示，專利和解協(xié)議不足以改變其對諾基亞信譽所面臨壓力的看法

通信技術
2011-06-21

諾基亞 MIDDOT 蘋果IPHONE GAN
IMEC利用CMOS工藝制程GaN MISHEMTs

歐洲微電子研究中心（Interuniversity Microelectronics Centre。即IMEC）與其合作伙伴共同開發(fā)了在200毫米硅芯片上生長GaN/AlGaN的技術。借助這項新技術，GaN MISHEMTs（ metal-insulator semiconductor high-elect

模擬
2011-06-20

氮化鎵 CMOS工藝 MT GAN
AZZURRO實現(xiàn)150mm(6吋)晶圓GaN-on-Si制造可顯著降低LED成本

AZZURRO半導體成立于2003年，具有專利的大直徑矽基板氮化鎵(GaN-on-Si)技術，該技術源自德國Magdeburg大學，在2010年10月獲得包括Wellington Partners、Good Energies和Emerald等4家創(chuàng)投業(yè)者共1,500萬歐元的資金投入

模擬
2011-06-16

晶圓 LED 基板 GAN
中興希望印度緩行電信設備本土制造政策

北京時間6月3日午間消息（張月紅）對于印度對通信和IT業(yè)都鼓勵電信設備本土化生產(chǎn)的政策，中興通訊表示，希望印度政府放寬時間，留給廠商足夠的時間啟動生產(chǎn)運營。中興印度公司首席執(zhí)行官崔良軍表示，印度是中興的戰(zhàn)

通信技術
2011-06-03

中興電信設備 GAN
IMEC成功在200mm硅晶圓襯底上制出高質量GaN基MIS-HEMT器件

歐洲研究機構IMEC與其合作伙伴最近成功在200mm規(guī)格硅襯底上制造出了高質量的GaN/AlGaN異質結構層，雙方目前正合作研究基于氮化鎵材料的HEMT（High electron mobility transistor：高電子遷移率晶體管）異質結構晶體管

模擬
2011-05-27

器件硅晶圓 MT GAN

首頁上一頁 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 下一頁尾頁

Kevion_lin
海中水
WRB9609
Blueshadow1002
sure5556382
li1874
grantwen
21ic小喇叭
zyj9490
fansi
askeyes
chencharles72
foxhao1899
EVER21
不愛說話
yingdian6
shuangbang
dcf866553
cdwujinshan
lele4090039

GAN

MOCVD設備分析預測

Richard Duggan領導Telstra International邁向南亞業(yè)務新里程

澳大利亞電訊國際任命南亞業(yè)務新負責人

SEMI對中國的LED晶圓廠成功的報告

兩人售iPhone 4原型機遭指控或面臨1年監(jiān)禁

美國千萬家庭將在五年內放棄電視

有機碳對土壤中有機氯分布影響研究獲突破

2011年GaN LED市場有望增長38% 達到108億美元

Siltronic AG 加入IMEC的GaN-on-Si研究計劃

IGBT：新應用帶動革新國內仍處追趕階段

GaN基量子阱紅外探測器的設計

一種S波段寬帶GaN放大器的設計

GaN基量子阱紅外探測器的設計

穆迪：贏得蘋果訴訟為諾基亞贏得改革時間

穆迪：勝訴蘋果為諾基亞贏得改革時間

穆迪：和解協(xié)議為諾基亞贏得喘息時間

IMEC利用CMOS工藝制程GaN MISHEMTs

AZZURRO實現(xiàn)150mm(6吋)晶圓GaN-on-Si制造可顯著降低LED成本

中興希望印度緩行電信設備本土制造政策

IMEC成功在200mm硅晶圓襯底上制出高質量GaN基MIS-HEMT器件

相關標簽

關注此標簽的用戶(134人)

熱門活動

課程視頻