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IGBT串聯(lián)用的有源電壓控制技術(shù)
1 引言絕緣柵雙極晶體管IGBT自上世紀(jì)80年代問世以來，由于其輸入阻抗高、開關(guān)速度快、通態(tài)電壓低、阻斷電壓高、承受電流大的性能，在電力電子領(lǐng)域中得到了廣泛的應(yīng)用。然而，由于半導(dǎo)體器件本身的材料和結(jié)構(gòu)原因，IG
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太陽能逆變器中的功率電子器件如何選擇
全球逆變器市場正在不斷壯大。該領(lǐng)域的制造商都在努力提高系統(tǒng)效率，以取得領(lǐng)先地位。逆變器系統(tǒng)的智能化設(shè)計(jì)和使用最先進(jìn)工藝的功率半導(dǎo)體，是實(shí)現(xiàn)高效率的關(guān)鍵所在?！ 『喗椤 」夥到y(tǒng)的應(yīng)用領(lǐng)域越來越廣泛。尤
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太陽能逆變器中的功率電子器件如何選擇
全球逆變器市場正在不斷壯大。該領(lǐng)域的制造商都在努力提高系統(tǒng)效率，以取得領(lǐng)先地位。逆變器系統(tǒng)的智能化設(shè)計(jì)和使用最先進(jìn)工藝的功率半導(dǎo)體，是實(shí)現(xiàn)高效率的關(guān)鍵所在。 簡介 光伏系統(tǒng)的應(yīng)用領(lǐng)域越來越廣泛。尤
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解讀太陽能逆變器設(shè)計(jì)的最新趨勢
由于能源成本日益攀升，太陽能發(fā)電正逐漸成為一項(xiàng)可行的替代能源。德國政府通過立法，推出各種激勵(lì)手段積極鼓勵(lì)可再生能源的使用(如《再生能源法》“Energieeinspeisungsgesetz”)，受此驅(qū)使，至2007年，該
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安森美半導(dǎo)體推出高性能場截止型IGBT
21ic訊 安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出新系列的場截止型(Field Stop) 絕緣門雙極結(jié)晶體管(IGBT)，目標(biāo)應(yīng)用為工業(yè)電機(jī)控制及消費(fèi)類產(chǎn)品。NGTB15N120、NGBT20N120及NGBT25N120應(yīng)用于高性能電源轉(zhuǎn)換方案，適合多種
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IGBT-汽車點(diǎn)火系統(tǒng)中的佼佼者
新一代點(diǎn)火系統(tǒng)IGBT為火花塞系統(tǒng)的線圈度身定制，正快速成為主流點(diǎn)火拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。幾何學(xué)和摻雜分布圖的進(jìn)步可使電路小片和封裝的尺寸更小型化，且無需犧牲最重要的閂鎖電阻和雪崩能量容量的穩(wěn)健性。如今，IGBT的產(chǎn)品已
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智能IGBT在汽車點(diǎn)火系統(tǒng)中的應(yīng)用
要產(chǎn)生火花，你所需的器件包括電源、電池、變壓器(即點(diǎn)火線圈)，以及用于控制變壓器初級電流的開關(guān)。電子學(xué)教科書告訴我們V=Ldi/dt。因此，如果線圈初級繞組中的電流發(fā)生瞬間變化(即di/dt值很大)，初級繞組上將產(chǎn)生高
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IGBT-汽車點(diǎn)火系統(tǒng)中的佼佼者
新一代點(diǎn)火系統(tǒng)IGBT為火花塞系統(tǒng)的線圈度身定制，正快速成為主流點(diǎn)火拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。幾何學(xué)和摻雜分布圖的進(jìn)步可使電路小片和封裝的尺寸更小型化，且無需犧牲最重要的閂鎖電阻和雪崩能量容量的穩(wěn)健性。如今，IGBT的產(chǎn)品已
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智能IGBT在汽車點(diǎn)火系統(tǒng)中的應(yīng)用
要產(chǎn)生火花，你所需的器件包括電源、電池、變壓器(即點(diǎn)火線圈)，以及用于控制變壓器初級電流的開關(guān)。電子學(xué)教科書告訴我們V=Ldi/dt。因此，如果線圈初級繞組中的電流發(fā)生瞬間變化(即di/dt值很大)，初級繞組上將產(chǎn)生高
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光伏發(fā)電逆變技術(shù)的發(fā)展趨勢及其解決方案
1 光伏發(fā)電逆變技術(shù)國內(nèi)、外的現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢綜述1.1 綜述20 世紀(jì) 70 年代以來，兩次石油危機(jī)、當(dāng)前嚴(yán) 重的環(huán)境污染以及氣候變暖峰會的強(qiáng)烈呼吁，迫使人們更加努力尋找和開發(fā)新能源。對于污染及耗能大戶 —&m
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南車時(shí)代 建IGBT產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目
“IGBT”被業(yè)界譽(yù)為功率變流裝置的“CPU”、綠色經(jīng)濟(jì)的“核芯”。兩年后，國內(nèi)首條8英寸IGBT生產(chǎn)線項(xiàng)目有望在石峰區(qū)井龍街道茅塘村投產(chǎn)。4月13日，市委副書記陽衛(wèi)國率市經(jīng)信委、統(tǒng)計(jì)局
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光伏發(fā)電逆變技術(shù)的發(fā)展趨勢及其解決方案
1 光伏發(fā)電逆變技術(shù)國內(nèi)、外的現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢綜述1.1 綜述20 世紀(jì) 70 年代以來，兩次石油危機(jī)、當(dāng)前嚴(yán) 重的環(huán)境污染以及氣候變暖峰會的強(qiáng)烈呼吁，迫使人們更加努力尋找和開發(fā)新能源。對于污染及耗能大戶 —&m
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IR推出1200V IGBT AUIRGDC0250
21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出為軟開關(guān)應(yīng)用，比如電動(dòng)車和混合動(dòng)力汽車中的正溫度系數(shù)（PTC）加熱器應(yīng)用而優(yōu)化的車用 IGBT AUIRGDC0250。1200V AUIRGDC0250 采用緊湊的 Super TO-22
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新型IGBT系統(tǒng)電路保護(hù)設(shè)計(jì)的解決方案
IGBT絕緣柵雙極型晶體管是一種典型的雙極MOS復(fù)合型功率器件。它結(jié)合功率MOSFET的工藝技術(shù)，將功率MOSFET和功率管GTR集成在同一個(gè)芯片中。該器件具有開關(guān)頻率高、輸入阻抗較大、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動(dòng)電路簡單、低飽和電壓
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新型IGBT系統(tǒng)電路保護(hù)設(shè)計(jì)的解決方案
IGBT絕緣柵雙極型晶體管是一種典型的雙極MOS復(fù)合型功率器件。它結(jié)合功率MOSFET的工藝技術(shù)，將功率MOSFET和功率管GTR集成在同一個(gè)芯片中。該器件具有開關(guān)頻率高、輸入阻抗較大、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動(dòng)電路簡單、低飽和電壓
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IGBT在大功率斬波問題中的應(yīng)用分析
斬波是電力電子控制中的一項(xiàng)變流技術(shù)，其實(shí)質(zhì)是直流控制的脈寬調(diào)制，因其波形如同斬切般整齊、對稱，故名斬波。斬波在內(nèi)饋調(diào)速控制中占有極為重要的地位，它不僅關(guān)系到調(diào)速的技術(shù)性能，而且直接影響設(shè)備的運(yùn)行安全和
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飛機(jī)座椅電源的研究
摘要：飛機(jī)座椅電源是為了滿足機(jī)上乘客電子設(shè)備用電需求而設(shè)計(jì)的。飛機(jī)座椅電源產(chǎn)品的研制對設(shè)備的國產(chǎn)化，安裝成本的降低等方面都有重要意義。在此參照DO-160F，Boeing D6-44588以及Airbus ABD0100等相關(guān)電磁測試要
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飛兆半導(dǎo)體650V場截止IGBT提高功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的效率和系統(tǒng)可靠性
太陽能功率逆變器、不間斷電源(UPS)以及焊接應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員面臨提高能效，滿足散熱法規(guī)，同時(shí)減少元件數(shù)目的挑戰(zhàn)。有鑒于此，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)了一系列針對光伏逆變器應(yīng)用的650V IGBT產(chǎn)品
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全球經(jīng)濟(jì)化條件下lGBT軟開關(guān)應(yīng)用與開發(fā)
一、IGBT溉述正常IGBT的工作頻率在10—20kHz，其開關(guān)速度比GTO、IGCT快得多。在交流電動(dòng)機(jī)變頻調(diào)速中，它是較好的選擇。它在中小容量裝置中淘汰功率雙極晶體管(GTR)已成定論。IEGT在高電壓領(lǐng)域中保持快速開關(guān)特
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基于CY8C22545的觸摸按鍵電磁爐設(shè)計(jì)
1.引言 電容感應(yīng)方式的觸摸按鍵有很多優(yōu)點(diǎn)，由于不需要機(jī)械結(jié)構(gòu)，相比傳統(tǒng)的機(jī)械按鍵和薄膜按鍵，觸摸式按鍵有著不可比擬的優(yōu)勢，并由此帶來了時(shí)尚美觀的外觀設(shè)計(jì)。目前已經(jīng)廣泛應(yīng)用于各種消費(fèi)類電子產(chǎn)品。越來
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