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應對焊接斷裂，IGBT生產商如何應對新挑戰(zhàn)？
由于能源成本的上升，混合電力傳動系統在汽車應用中變得越來越流行?；旌想娏鲃酉到y把由大型電池組供電的三相交流電機作為內燃機的動力補充。逆變器電路用于將電池的直流電壓轉換為適于驅動電機的更高的
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如何選擇太陽能逆變器中的功率電子器件
全球逆變器市場正在不斷壯大。該領域的制造商都在努力提高系統效率，以取得領先地位。逆變器系統的智能化設計和使用最先進工藝的功率半導體，是實現高效率的關鍵所在?！ 『喗椤 」夥到y的應用領域越來越廣泛。尤
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如何選擇太陽能逆變器中的功率電子器件
全球逆變器市場正在不斷壯大。該領域的制造商都在努力提高系統效率，以取得領先地位。逆變器系統的智能化設計和使用最先進工藝的功率半導體，是實現高效率的關鍵所在。 簡介 光伏系統的應用領域越來越廣泛。尤
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如何選擇太陽能逆變器中的功率電子器件
全球逆變器市場正在不斷壯大。該領域的制造商都在努力提高系統效率，以取得領先地位。逆變器系統的智能化設計和使用最先進工藝的功率半導體，是實現高效率的關鍵所在。 簡介 光伏系統的應用領域越來越廣泛。尤
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Diodes 40V 閘極驅動器減少 IGBT 開關損耗
21ic訊 Diodes 公司推出專為開關高功率 IGBT 設計的 ZXGD3006E6 閘極驅動器（gate driver） ，有助于提高太陽能逆變器、電機驅動和電源應用的功率轉換效率。當輸入電流為 1mA 時，該閘極驅動器通?？商峁?4A 的驅動電
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IGBT：新應用帶動革新 國內仍處追趕階段
前些年消費電子和工業(yè)控制是推動IGBT市場快速發(fā)展的兩架馬車，中小功率IGBT大放異彩。如今在新能源汽車、高鐵、新能源等新興應用的“提攜”下，大功率IGBT迎來了新的春天，而這些應用帶來新的課題，與之相
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IMS Research發(fā)布2010年功率半導體市場報告
根據IMS Research的最新報告，功率半導體市場2010年強勁反彈，年增長率達到43%，銷售額大概為160億美元，模塊產品增長率達到了65%，遠高于分立功率器件。該報告認為，英飛凌在功率MOSFET及IGBT中市場份額最大，三菱及
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IGBT構成的交流傳動逆變器的設計
摘要：分析了IGBT構成的交流傳動逆變器的主電路原理、逆變電路結構及緩沖保護電路結構，并對主電路的安裝布局以及電壓電流參數的選取做出了說明，同時提出了一種由M57959構成的IGBT驅動電路的設計，該電路對逆變器的
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電磁爐檢測電路工作原理
1 電網電壓檢測、高壓檢測保護電路 電網電壓檢測、高壓檢測保護電路原理如圖1 所示。該輸入電壓與電網電壓成正比，單片機以此電壓為依據，與內部設定值進行比較，判斷工作電壓是否在其允許值范圍內。若超過允許值
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電磁爐檢測電路工作原理
1 電網電壓檢測、高壓檢測保護電路 電網電壓檢測、高壓檢測保護電路原理如圖1 所示。該輸入電壓與電網電壓成正比，單片機以此電壓為依據，與內部設定值進行比較，判斷工作電壓是否在其允許值范圍內。若超過允許值
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分析混合動力電動車設計中大功率器件的應用
盡管標準內燃機驅動的汽車可以相對輕松地從12V電池供電和相應的12V/14V交流發(fā)電機獲取車載系統的電氣需求，但由于混合動力電動汽車采用了幾個系統，它們需要更高的功率級別。對于輕混、全混、插電式混合動力汽車或
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漢磊：磊晶好年冬 Q3續(xù)漲價
日本311大地震導致氣體鹽酸（HCL）缺貨短缺，漢磊（5326）的磊晶圓（Epi Wafer）產能受到影響，但隨著氣體鹽酸供貨回復正常，漢磊6月起磊晶圓產能利用率已回升到100％。 漢磊總經理陳煌彬表示，由于節(jié)能減碳需求強
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分析混合動力電動車設計中大功率器件的應用
盡管標準內燃機驅動的汽車可以相對輕松地從12V電池供電和相應的12V/14V交流發(fā)電機獲取車載系統的電氣需求，但由于混合動力電動汽車采用了幾個系統，它們需要更高的功率級別。對于輕混、全混、插電式混合動力汽車或
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分析混合動力電動車設計中大功率器件的應用
盡管標準內燃機驅動的汽車可以相對輕松地從12V電池供電和相應的12V/14V交流發(fā)電機獲取車載系統的電氣需求，但由于混合動力電動汽車采用了幾個系統，它們需要更高的功率級別。對于輕混、全混、插電式混合動力汽車或
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通用型IGBT變頻電源的研制過程
本文提出的變頻電源,從根本上克服了上述弊端,是一種性能優(yōu)良的靜止變頻電源。
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中國最大規(guī)模IGBT半導體產業(yè)基地開建
5月25日，中國南車大功率IGBT產業(yè)化基地奠基，標志著我國首條8英寸IGBT芯片生產線項目正式啟動。項目設計年產8英寸芯片12萬片、IGBT模塊100萬只，中國南車成為國內唯一掌握IGBT芯片設計、芯片制造、模塊封
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國內最大規(guī)模IGBT產業(yè)基地開建 年產芯片12萬片
5月25日，中國南車大功率IGBT產業(yè)化基地奠基，標志著我國首條8英寸IGBT芯片生產線項目正式啟動。項目設計年產8英寸芯片12萬片、IGBT模塊100萬只，中國南車成為國內唯一掌握IGBT芯片設計、芯片制造、模塊封裝、系統應
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國內最大規(guī)模IGBT半導體產業(yè)基地開建
5月25日，中國南車大功率IGBT產業(yè)化基地奠基，標志著我國首條8英寸IGBT芯片生產線項目正式啟動。項目設計年產8英寸芯片12萬片、IGBT模塊100萬只，中國南車成為國內唯一掌握IGBT芯片設計、芯片制造、模塊封裝、系統應
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全橋型IGBT脈沖激光電源原理與性能分析
本文介紹的激光電源為工作于重復脈沖方式的固體激光器提供電能。該激光器采用氙燈作泵浦光源，在惰性氣體燈中，氙氣的總轉換效率最高。激光器用于激光打標，工作頻率每秒60次。電源系統采用IGBT管全橋逆變方式，工作頻率為20kHz，控制電路采用PWM方式。
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英飛凌600V功率開關器件家族又添新丁
21ic訊 在PCIM Europe 2011展會上，英飛凌科技（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）600V逆導型（RC）IGBT家族的兩名新成員閃亮登場。這兩款新的功率開關器件可在目標應用中實現最高達96%的能效。利用這些全新推出的RC-D快速
