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微電子所6500V超高壓IGBT研制取得重要突破
中國科學院微電子研究所IGBT團隊在高壓高功率IGBT（絕緣柵雙極晶體管）研制方面，繼上半年1700V系列之后，近期在6500V系列超高壓領(lǐng)域再次取得關(guān)鍵技術(shù)突破。由微電子所完全自主設(shè)計的6500V Trench FS IGBT（溝槽柵場
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IR 針對電動汽車和混合動力汽車應(yīng)用推出600V車用IGBT
21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日新推出600V車用IGBT系列，專門針對電動汽車和混合動力汽車中的變速電機控制和電源應(yīng)用進行了優(yōu)化。新器件適用的電流范圍很廣，提供最小為 5μs的短路
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微電子所6500V超高壓IGBT研制取得重要突破
中國科學院微電子研究所IGBT團隊在高壓高功率IGBT（絕緣柵雙極晶體管）研制方面，繼上半年1700V系列之后，近期在6500V系列超高壓領(lǐng)域再次取得關(guān)鍵技術(shù)突破。由微電子所完全自主設(shè)計的6500V Trench FS IGBT（溝槽柵場
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IR推出超高速1200V IGBT
21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出一對高效、可靠的超高速溝道絕緣柵雙極晶體管 (IGBTs) ，該產(chǎn)品為焊接、高功率整流等感應(yīng)加熱和共振開關(guān)應(yīng)用進行了優(yōu)化。 全新1200 V IGBT 器
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基于IGBT的固態(tài)脈沖調(diào)制器設(shè)計
摘要：基于課題建設(shè)的需要，需對某型雷達脈沖調(diào)制器進行固態(tài)化改造，為達到經(jīng)濟省時的目的，采用了設(shè)計與仿真的方法。應(yīng)用新型功率開關(guān)器件IGBT替代電真空器件，設(shè)計了單片機控制的固態(tài)脈沖調(diào)制器?？朔死走_脈沖調(diào)
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IGBT電力電子裝置的應(yīng)用詳解
IGBT在以變頻器及各類電源為代表的電力電子裝置中得到了廣泛應(yīng)用。IGBT集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點于一體，具有電壓控制、輸入阻抗大、驅(qū)動功率小、控制電路簡單、開關(guān)損耗小、通斷速度快和工作頻率高等優(yōu)
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IR 推出高可靠性超高速1200V IGBT
21ic訊 國際整流器公司 (簡稱IR) 近日推出針對感應(yīng)加熱、不間斷電源（UPS）太陽能和焊接應(yīng)用而設(shè)計的可靠、高效 1200V 絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列。全新超高速 1200V IGBT 系列采用纖薄晶圓場截止溝道技術(shù)，可顯
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擺脫對存儲器市場的過度依賴 三星計劃明年第二季度量產(chǎn)IGBT芯片
三星電子(SamsungElectronics)2012年第2季將推出電力芯片產(chǎn)品，這是自1999年三星將電力半導(dǎo)體廠拋售給快捷半導(dǎo)體(FairchildSemiconductor)13年后，三星首度推出的電力芯片產(chǎn)品。據(jù)南韓電子新聞報導(dǎo)，三星2011年5月與
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單相橋式PWM逆變器死區(qū)補償?shù)囊环N方法
摘要：為了更好的了解脈沖寬度調(diào)制控制技術(shù)及其在實際電路中的應(yīng)用，文中以單相SPWM逆變電路為控制對象，分別從PWM的產(chǎn)生機制、死區(qū)補償和輸出電壓與輸出電流等方面詳細介紹了死區(qū)補償?shù)囊环N方法。并對逆變器的工作模
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三相IGBT全橋隔離驅(qū)動電源設(shè)計
摘要：設(shè)計了一種基于電流型PWM控制器UC3845的三相IGBT全橋隔離驅(qū)動電源。采用單端反激式結(jié)構(gòu)，電壓反饋與電流反饋組成雙閉環(huán)串級結(jié)構(gòu)。TL431a與PC817組成反饋網(wǎng)絡(luò)，旁路掉UC3845內(nèi)部誤差放大器，反饋信號直接輸入到
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雜散電感對高效IGBT逆變器設(shè)計的影響
IGBT技術(shù)不能落后于應(yīng)用要求。因此，英飛凌推出了最新一代的IGBT芯片以滿足具體應(yīng)用的需求。與目前逆變器設(shè)計應(yīng)用功率或各自額定電流水平相關(guān)的開關(guān)速度和軟度要求是推動這些不同型號器件優(yōu)化的主要動力。這些型號包
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綠色能源計劃推動中國IGBT市場增長
據(jù)IHS iSuppli公司中國研究服務(wù)即將發(fā)表的一份報告，由于綠色能源與能源效率得到更多的重視，以及政府投資支持和嚴格的能源政策，2011-2015年中國絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場銷售額的復(fù)合年度增長率將達13%。由于功
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銅進金退 長電科技加快技術(shù)改造
[世華財訊]近年來，隨著封裝技術(shù)的不斷進步，封裝所需要的材料也在逐步改進，封裝行業(yè)正在經(jīng)歷銅取代金的轉(zhuǎn)變。由于黃金價格最近幾年的持續(xù)飆升，加快了封裝行業(yè)銅制程的推進，很多芯片廠商開始紛紛改用銅線鍵合，這
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高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的新進展
21ic訊 從1957年第一只晶閘管的誕生開始，功率電子技術(shù)以相當迅猛的速度發(fā)展。近年來又取得了長足的進展，產(chǎn)生極佳的經(jīng)濟及社會效益。從美國高能效經(jīng)濟委員會(ACEE)出版的一份報告可以看到，到2030年，受益于采用
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高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的新進展
從1957年第一只晶閘管的誕生開始，功率電子技術(shù)以相當迅猛的速度發(fā)展。近年來又取得了長足的進展，產(chǎn)生極佳的經(jīng)濟及社會效益。從美國高能效經(jīng)濟委員會(ACEE)出版的一份報告可以看到，到2030年，受益于采用半導(dǎo)體技術(shù)
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高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的新進展
從1957年第一只晶閘管的誕生開始，功率電子技術(shù)以相當迅猛的速度發(fā)展。近年來又取得了長足的進展，產(chǎn)生極佳的經(jīng)濟及社會效益。從美國高能效經(jīng)濟委員會(ACEE)出版的一份報告可以看到，到2030年，受益于采用半導(dǎo)體技術(shù)
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高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的新進展
從1957年第一只晶閘管的誕生開始，功率電子技術(shù)以相當迅猛的速度發(fā)展。近年來又取得了長足的進展，產(chǎn)生極佳的經(jīng)濟及社會效益。從美國高能效經(jīng)濟委員會(ACEE)出版的一份報告可以看到，到2030年，受益于采用半導(dǎo)體技術(shù)
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高壓變頻器主電路圖分析及其應(yīng)用
1.引言 目前，隨著現(xiàn)代電力電子技術(shù)和微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，高壓大功率變頻調(diào)速裝置不斷地成熟起來，原來一直難于解決的高壓問題，近年來通過器件串聯(lián)或單元串聯(lián)得到了很好的解決。其應(yīng)用領(lǐng)域和范圍也越來越為
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高壓變頻器主電路圖分析及其應(yīng)用
1.引言 目前，隨著現(xiàn)代電力電子技術(shù)和微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，高壓大功率變頻調(diào)速裝置不斷地成熟起來，原來一直難于解決的高壓問題，近年來通過器件串聯(lián)或單元串聯(lián)得到了很好的解決。其應(yīng)用領(lǐng)域和范圍也越來越為
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Diodes 40V閘極驅(qū)動器減少IGBT開關(guān)損耗
Diodes 公司推出專為開關(guān)高功率 IGBT 設(shè)計的 ZXGD3006E6 閘極驅(qū)動器(gate driver) ，有助于提高太陽能逆變器、電機驅(qū)動和電源應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換效率。當輸入電流為 1mA 時，該閘極驅(qū)動器通?？商峁?4A 的驅(qū)動電流，使其
