MOSFET
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提高安全性和可靠性的ST電子熔斷器，你了解嗎？
什么是提高安全性和可靠性的ST電子熔斷器?它有什么作用?意法半導體STEF01可編程電子熔斷器集成低導通電阻RDS(ON) 的VIPower?MOSFET功率管，在8V到48V的寬輸入電壓范圍內，能夠維持高達4A的連續(xù)電流，并且插入損耗低，將動作快速的過載保護的優(yōu)勢延續(xù)到額定功率更高的應用產(chǎn)品。
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新型超結MOSFET器件，你聽說過嗎？
什么是新型超結MOSFET器件?它有什么作用?更高密度的低功率SMPS設計需要越來越多的高壓MOSFET器件。英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出CoolMOS? P7系列的新成員950 V CoolMOS P7超結MOSFET器件。該器件甚至能達到最嚴格的設計要求：用于照明、智能電表、移動充電器、筆記本適配器、AUX電源和工業(yè)SMPS應用。這種全新半導體解決方案能實現(xiàn)出色的散熱性能及能源效率，減少用料并降低總生產(chǎn)成本。
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LinkSwitch-XT2開關電源IC，你了解嗎？
什么是LinkSwitch-XT2開關電源IC?你知道嗎?PI最近推出集成900V初級MOSFET的新版 LinkSwitch-XT2離線式開關電源IC。
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英飛凌科聯(lián)合Schweizer開發(fā)出面向輕度混合動力汽車新技術
2019年5月14日，德國慕尼黑/施蘭貝格訊——英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）聯(lián)合Schweizer電子股份公司成功開發(fā)出面向輕度混合動力汽車的新技術：
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高效超結MOSFET，你聽說過嗎？
什么是高效超結MOSFET?它有什么作用?2018年12月14日 - 意法半導體推出MDmesh?系列600V超結晶體管，該產(chǎn)品針對提高中等功率諧振軟開關和硬開關轉換器拓撲能效而設計。
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使用碳化硅MOSFET提升工業(yè)驅動器的能源效率
由于電動馬達佔工業(yè)大部分的耗電量，工業(yè)傳動的能源效率成為一大關鍵挑戰(zhàn)。因此，半導體製造商必須花費大量心神，來強化轉換器階段所使用功率元件之效能。
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第四代600V E系列MOSFET器件，你了解嗎？
什么是第四代600V E系列MOSFET器件?它有什么作用?2019年1月28日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n溝道SiHH068N60E導通電阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，為通信、工業(yè)和企業(yè)級電源應用提供高效解決方案，同時，柵極電荷下降60 %。
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60V TrenchFET? N溝道功率MOSFET，你知道嗎？
什么是60V TrenchFET? N溝道功率MOSFET?它有什么作用?2019年2月21日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK? SO-8單體封裝的60 V TrenchFET? 第四代 n溝道功率MOSFET---SiR626DP。Vishay Siliconix SiR626DP專門用于提高功率轉換拓撲結構的效率，導通電阻比前代器件降低36%，同時柵極電荷和輸出電荷達到同類產(chǎn)品最低水平。
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STMicroelectronics MDmesh M6高效MOSFET，你聽說過嗎？
什么是STMicroelectronics MDmesh M6高效MOSFET?它有什么作用?2019年2月21日 – 專注于引入新品的全球半導體與電子元器件授權分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨STMicroelectronics (ST) 的MDmesh? M6系列 超結晶體管。MDmesh M6系列MOSFET針對提高中等功率諧振軟開關和硬開關轉換器拓撲能效而設計，可提高電池充電器、電源適配器、PC電源、LED照明驅動器、電信和服務器電源以及太陽能 微型逆變器等設備的功率密度。
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ROHM開發(fā)出1.6mm×1.6mm尺寸超小型車載用超小型MOSFET
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都）開發(fā)出1.6mm×1.6mm尺寸超小型MOSFET“RV4xxx系列”，該系列產(chǎn)品可確保部件安裝后的可靠性，且符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q
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碳化硅MOSFET特性以及相關基礎知識
你知道碳化硅MOSFET特性嗎?隨著半導體工藝不斷精進，半導體的材料也隨之改朝換代，碳化硅在眾多半導體材料中脫穎而出。碳化硅憑借具有不可比擬的優(yōu)良性能，同時碳化硅更是寬禁帶半導體材料之一，其最大特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，
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安森美半導體的領先的碳化硅(SiC) MOSFET方案的優(yōu)勢
安森美半導體是領先的寬禁帶半導體制造商，是該技術的先鋒，并創(chuàng)建了最低RDSon 的SiC MOSFET之一。我們提供同類最佳的封裝技術，全面的高能效電源方案，包括先進的基于碳化硅(SiC)的器件如SiC MOSFET、SiC二極管、SiC和氮化鎵(GaN)驅動器及集成模塊。
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MOS管開關原理以及深入解析，值得你收藏
什么是MOS管?它有什么作用?MOS管可以說是工程師最熟悉的器件之一，不過MOS管我們天天見，但是不乏一些剛入行的工程師、甚至是少數(shù)行業(yè)老手對于MOS的基礎理論的掌握不是很牢固，所以專門寫一篇文章為大家總結一下MOS的開關原理和基礎知識。
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一文看明白眾說紛紜的SiC（文末報名在線研討會）
一文看明白眾說紛紜的SiC（文末報名在線研討會） ? 第一代半導體材料一般是指硅（Si）元素和鍺（Ge）元素，其奠定了20 世紀電子工業(yè)的基礎。第二代半導體材料主要指化合物半導體材料，如砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、磷化鎵（GaP）、砷化銦（InAs）、砷化
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氮化鎵晶體管的應用，你知道嗎？
什么是氮化鎵晶體管?它有什么作用?硅功率MOSFET還沒有跟上電力電子行業(yè)的發(fā)展變化，在這個行業(yè)中，效率、功率密度和更小的形式等因素是社區(qū)的主要需求。電力電子工業(yè)已經(jīng)達到硅MOSFET的理論極限，現(xiàn)在需要轉移到新的元素。氮化鎵或氮化鎵是一種高流動性的半導體電子半導體(HEMT)，在滿足新的應用方面被證明是一種真正的附加價值。
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【媒體訪談】車用級碳化硅應用如何？
點擊上方藍字關注我們 安森美半導體： 不斷推進與車企的各種合作項目 安森美半導體提供大范圍的車用碳化硅 （SiC） MOSFET 和車用SiC二極管，包括：650V SiC二極管、1200V SiC二極管、1700V SiC二極管、650V SiC MOSFET （現(xiàn)提供樣品，今...
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MOSFET數(shù)據(jù)手冊你會看了嗎？
MOS管數(shù)據(jù)手冊上的相關參數(shù)有很多，以MOS管VBZM7N60為例，下面一起來看一看，MOS管的數(shù)據(jù)手冊一般會包含哪些參數(shù)吧。 極限參數(shù)也叫絕對最大額定參數(shù)，MOS管在使用過程當中，任何情況下都不能超過下圖的這些極限參數(shù)，否則MOS管有可能損壞。 VDS表示漏極與源極
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云計算制造商要面對哪一些困境
那么究竟什么是云計算呢？云計算是指負責在全球范圍內存儲和移動數(shù)據(jù)的許多遠程服務器所構成的網(wǎng)絡，我們可以通過 Wi-Fi？、LAN 或蜂窩網(wǎng)絡來進行訪問。這些遠程服務器的作用類似于大型存儲設備，包
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東芝面向汽車ECU推出MOSFET柵極驅動器開關IPD
中國上海，2020年5月14日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布，推出柵驅動器開關IPD“TPD7107F”。該產(chǎn)品可用于控制接線盒和車身控制模塊等車載控制單元(ECU)的供電電流的通斷，并計劃于今日開始出貨。
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開關電源設計：玩轉SiC MOSFET我有特別的技巧（在線研討會）
【ROHM在線研討會】 將于5月28日重磅開啟！ ? 以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體 具備高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強等優(yōu)越性能? ? 材料方面 高品質 4 英寸襯底全面商業(yè)化 6 英寸襯底的商業(yè)化也在持續(xù)推進 ? 產(chǎn)業(yè)方面 國際企業(yè)紛紛加強
