MOSFET

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金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

在升壓變換器中利用新型MOSFET減少開關(guān)損耗

摘要：升壓變換器通常應(yīng)用在彩色監(jiān)視器中。為提高開關(guān)電源的效率，設(shè)計(jì)者必須選擇低開關(guān)損耗的MOSFET。在升壓變換器中，利用QFET新型MOSFET能夠有效地減少系統(tǒng)損耗。1引言　　在開關(guān)電源設(shè)計(jì)中，效率是一個(gè)關(guān)鍵性的參

功率器件
2011-02-11

MOSFET 升壓變換器開關(guān)損耗 VI
遼寧工學(xué)院 TOPSwitch的特點(diǎn)及設(shè)計(jì)時(shí)需注意的問題

摘要：對(duì)TOPSwitch的特點(diǎn)作了進(jìn)一步的分析，并講述了設(shè)計(jì)中如何求得一個(gè)最佳電感值的問題。1引言　　對(duì)于200W以下的開關(guān)電源，應(yīng)用TOPSwitch與應(yīng)用UC3842相比，所需的元器件要少得多，從而使電路簡化，體積和重量進(jìn)一

功率器件
2011-02-11

電壓電磁干擾 TOPSWITCH MOSFET
車用平面 MOSFET系列（IR）

國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出車用平面 MOSFET 系列，適用于內(nèi)燃機(jī) (ICE) 、混合動(dòng)力和全電動(dòng)汽車平臺(tái)的多種應(yīng)用。新器件系列采用了 IR 經(jīng)過驗(yàn)證的平面技術(shù)，包括 55V 和 150V 標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)

功率器件
2011-02-08

器件柵極驅(qū)動(dòng) 導(dǎo)通電阻 MOSFET
提高有功模式效率以滿足“能源之星”要求

系統(tǒng)工程師必須重點(diǎn)關(guān)注架構(gòu)級(jí)和元件級(jí)優(yōu)化的改進(jìn)，以實(shí)現(xiàn)最高效的設(shè)計(jì)和最低的功耗。特別需要注意的是低磁化電流變壓器設(shè)計(jì)，通過降低輕載下銅損耗來提高效率。

電源
2011-02-02

能源之星阻抗 POWER MOSFET
提高有功模式效率以滿足“能源之星”要求

系統(tǒng)工程師必須重點(diǎn)關(guān)注架構(gòu)級(jí)和元件級(jí)優(yōu)化的改進(jìn)，以實(shí)現(xiàn)最高效的設(shè)計(jì)和最低的功耗。特別需要注意的是低磁化電流變壓器設(shè)計(jì)，通過降低輕載下銅損耗來提高效率。

數(shù)字電源
2011-02-02

能源之星阻抗 POWER MOSFET
提高有功模式效率以滿足“能源之星”要求

系統(tǒng)工程師必須重點(diǎn)關(guān)注架構(gòu)級(jí)和元件級(jí)優(yōu)化的改進(jìn)，以實(shí)現(xiàn)最高效的設(shè)計(jì)和最低的功耗。特別需要注意的是低磁化電流變壓器設(shè)計(jì)，通過降低輕載下銅損耗來提高效率。

功率器件
2011-02-02

能源之星阻抗 POWER MOSFET
UniFET II MOSFET器件（飛兆）

開關(guān)電源的設(shè)計(jì)人員需要能夠耐受反向電流尖刺并降低開關(guān)損耗的高電壓MOSFET器件，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)憑借精深的MOSFET技術(shù)知識(shí)，開發(fā)出經(jīng)優(yōu)化的功率MOSFET產(chǎn)品UniFET™ II MOSFET，新產(chǎn)品

功率器件
2011-01-23

器件飛兆 NI MOSFET
大陸MOSFET需求強(qiáng)勁　供應(yīng)商出貨不及

2010年大陸因市場(chǎng)需求勁揚(yáng)5成，產(chǎn)能受限，導(dǎo)致部分金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor；MOSFET)的訂單出現(xiàn)出貨時(shí)間遞延的現(xiàn)象，英飛凌(Infineon)、意法半導(dǎo)體(STMicroel

消費(fèi)電子
2011-01-19

通訊低電壓 COM MOSFET
漢磊連4季漲價(jià)

國際整合元件制造廠（IDM）大動(dòng)作對(duì)臺(tái)釋出類比IC晶圓代工及磊晶晶圓（EPI Wafer）訂單，隨著訂單在1月起陸續(xù)到位，磊晶晶圓需求強(qiáng)勁爆增，已出現(xiàn)供給吃緊現(xiàn)象。由于IDM廠持續(xù)加碼下單，磊晶晶圓將重演去年大缺貨榮景

模擬
2011-01-17

晶圓代工晶圓廠 DM MOSFET
電源設(shè)計(jì)小貼士 28：估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升——第 1 部分

在本電源設(shè)計(jì)小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將電容輸入設(shè)備插入通電的電壓總線時(shí)限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設(shè)備運(yùn)行中斷。

功率器件
2011-01-08

電源設(shè)計(jì) 熱插拔 BSP MOSFET
電源設(shè)計(jì)小貼士 29：估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升——第 2 部分

在本《電源設(shè)計(jì)小貼士》中，我們將最終對(duì)一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法進(jìn)行研究。在《電源設(shè)計(jì)小貼士28》中，我們討論了如何設(shè)計(jì)溫升問題的電路類似方法。我們把熱源建模成了電流源。根據(jù)系統(tǒng)組件的物理屬性

功率器件
2011-01-07

模型電源設(shè)計(jì) 熱插拔 MOSFET
英飛凌電源IC擬改12寸廠量產(chǎn)

繼德州儀器(TI)積極導(dǎo)入12寸晶圓廠以擴(kuò)大類比市場(chǎng)占有率后，在電源晶片市場(chǎng)同樣舉足輕重的英飛凌(Infineon)也已悄悄啟動(dòng)12寸晶圓量產(chǎn)研發(fā)計(jì)畫，希望將電源晶片的生產(chǎn)由目前8寸廠升級(jí)至12寸廠，以因應(yīng)市場(chǎng)持續(xù)高漲的節(jié)

半導(dǎo)體
2011-01-07

英飛凌電源IC BSP MOSFET
估算熱插拔MOSFET溫升的方案

　本電源設(shè)計(jì)小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將電容輸入設(shè)備插入通電的電壓總線時(shí)限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設(shè)備運(yùn)行中斷。

模擬
2011-01-06

電壓組件熱插拔 MOSFET
英飛凌電源IC擬改12寸廠量產(chǎn)

繼德州儀器(TI)積極導(dǎo)入12寸晶圓廠以擴(kuò)大類比市場(chǎng)占有率后，在電源晶片市場(chǎng)同樣舉足輕重的英飛凌(Infineon)也已悄悄啟動(dòng)12寸晶圓量產(chǎn)研發(fā)計(jì)畫，希望將電源晶片的生產(chǎn)由目前8寸廠升級(jí)至12寸廠，以因應(yīng)市場(chǎng)持續(xù)高漲的節(jié)

電源
2011-01-05

英飛凌電源IC BSP MOSFET
估算熱插拔MOSFET溫升的方案

　本電源設(shè)計(jì)小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將電容輸入設(shè)備插入通電的電壓總線時(shí)限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設(shè)備運(yùn)行中斷。

功率器件
2011-01-04

電壓組件熱插拔 MOSFET
英飛凌擬改12寸晶圓量產(chǎn)

繼德州儀器(TI)積極導(dǎo)入12寸晶圓廠以擴(kuò)大類比市場(chǎng)占有率后，在電源晶片市場(chǎng)同樣舉足輕重的英飛凌(Infineon)也已悄悄啟動(dòng)12寸晶圓量產(chǎn)研發(fā)計(jì)劃，希望將電源晶片的生產(chǎn)由目前8寸廠升級(jí)至12寸廠，以因應(yīng)市場(chǎng)持續(xù)高漲的節(jié)

消費(fèi)電子
2010-12-29

英飛凌功率半導(dǎo)體晶圓 MOSFET
英飛凌擬改12寸晶圓量產(chǎn)

繼德州儀器(TI)積極導(dǎo)入12寸晶圓廠以擴(kuò)大類比市場(chǎng)占有率后，在電源晶片市場(chǎng)同樣舉足輕重的英飛凌(Infineon)也已悄悄啟動(dòng)12寸晶圓量產(chǎn)研發(fā)計(jì)劃，希望將電源晶片的生產(chǎn)由目前8寸廠升級(jí)至12寸廠，以因應(yīng)市場(chǎng)持續(xù)高漲的節(jié)

模擬
2010-12-29

英飛凌功率半導(dǎo)體晶圓 MOSFET
MOSFET雪崩能量的應(yīng)用考慮

　在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工程師在設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)的過程中，很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應(yīng)用有什么樣的聯(lián)系，如何在實(shí)際的應(yīng)用中

功率器件
2010-12-28

電感三極管 BSP MOSFET
強(qiáng)化電源戰(zhàn)力　英飛凌擬改12寸晶圓量產(chǎn)

繼德州儀器(TI)積極導(dǎo)入12寸晶圓廠以擴(kuò)大類比市場(chǎng)占有率后，在電源晶片市場(chǎng)同樣舉足輕重的英飛凌(Infineon)也已悄悄啟動(dòng)12寸晶圓量產(chǎn)研發(fā)計(jì)畫，希望將電源晶片的生產(chǎn)由目前8寸廠升級(jí)至12寸廠，以因應(yīng)市場(chǎng)持續(xù)高漲的節(jié)

模擬
2010-12-27

英飛凌晶圓電源 MOSFET
強(qiáng)化電源戰(zhàn)力　英飛凌擬改12寸晶圓量產(chǎn)

繼德州儀器(TI)積極導(dǎo)入12寸晶圓廠以擴(kuò)大類比市場(chǎng)占有率后，在電源晶片市場(chǎng)同樣舉足輕重的英飛凌(Infineon)也已悄悄啟動(dòng)12寸晶圓量產(chǎn)研發(fā)計(jì)畫，希望將電源晶片的生產(chǎn)由目前8寸廠升級(jí)至12寸廠，以因應(yīng)市場(chǎng)持續(xù)高漲的節(jié)

模擬
2010-12-27

英飛凌晶圓電源 MOSFET

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MOSFET

在升壓變換器中利用新型MOSFET減少開關(guān)損耗

遼寧工學(xué)院 TOPSwitch的特點(diǎn)及設(shè)計(jì)時(shí)需注意的問題

車用平面 MOSFET系列（IR）

提高有功模式效率以滿足“能源之星”要求

提高有功模式效率以滿足“能源之星”要求

提高有功模式效率以滿足“能源之星”要求

UniFET II MOSFET器件（飛兆）

大陸MOSFET需求強(qiáng)勁　供應(yīng)商出貨不及

漢磊連4季漲價(jià)

電源設(shè)計(jì)小貼士 28：估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升——第 1 部分

電源設(shè)計(jì)小貼士 29：估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升——第 2 部分

英飛凌電源IC擬改12寸廠量產(chǎn)

估算熱插拔MOSFET溫升的方案

英飛凌電源IC擬改12寸廠量產(chǎn)

估算熱插拔MOSFET溫升的方案

英飛凌擬改12寸晶圓量產(chǎn)

英飛凌擬改12寸晶圓量產(chǎn)

MOSFET雪崩能量的應(yīng)用考慮

強(qiáng)化電源戰(zhàn)力　英飛凌擬改12寸晶圓量產(chǎn)

強(qiáng)化電源戰(zhàn)力　英飛凌擬改12寸晶圓量產(chǎn)

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