MOSFET

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金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

同步降壓轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)方案

　　設(shè)計(jì)降壓轉(zhuǎn)換器并不是件輕松的工作。許多使用者都希望轉(zhuǎn)換器是一個(gè)盒子，一端輸入一個(gè)直流電壓，另一端輸出另一個(gè)直流電壓。這個(gè)盒子可以有很多形式，可以是降階來產(chǎn)生一個(gè)更低的電壓，或是升壓來產(chǎn)生一個(gè)更高的

功率器件
2010-11-20

同步降壓降壓轉(zhuǎn)換器 MOSFET 電感器
光伏逆變器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及設(shè)計(jì)思路

　　1 引言　　對于傳統(tǒng)電力電子裝置的設(shè)計(jì)，我們通常是通過每千瓦多少錢來衡量其性價(jià)比的。但是對于光伏逆變器的設(shè)計(jì)而言，對最大功率的追求僅僅是處于第二位的，歐洲效率的最大化才是最重要的。因?yàn)閷τ诠夥孀兤?/p>
功率器件
2010-11-18

拓?fù)?/a> 光伏逆變器 BSP MOSFET
高速M(fèi)OSFET/IGBT柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器（飛兆）

為了滿足全球各地的能效標(biāo)準(zhǔn)要求，太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等工業(yè)應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員需要具備更低功耗和更快開關(guān)速度的性能更高的柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 為此開發(fā)出

顯示光電
2010-11-17

光耦合器柵極驅(qū)動(dòng) IGBT MOSFET
德儀3座晶圓廠瞄準(zhǔn)模擬IC

德儀（TI）近兩年分別在美國德州、日本會(huì)津若松市及中國成都大舉收購晶圓廠生產(chǎn)設(shè)備，藉以擴(kuò)充模擬IC產(chǎn)量，昨（16）日臺(tái)灣區(qū)總經(jīng)理陳建村對外界說明，包括位于德州Richardson的12吋晶圓廠（RFAB）及會(huì)津若松市、成都

模擬
2010-11-17

晶圓廠模擬IC MOSFET
25 V及30 V 高性能PQFN功率MOSFET系列（IR）

國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3 x 3封裝，為電信、網(wǎng)絡(luò)通信和高端臺(tái)式機(jī)及筆記本電腦應(yīng)用的DC-DC轉(zhuǎn)換器提供了高

電源
2010-11-16

器件功率MOSFET QFN MOSFET
25 V及30 V 高性能PQFN功率MOSFET系列（IR）

國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3 x 3封裝，為電信、網(wǎng)絡(luò)通信和高端臺(tái)式機(jī)及筆記本電腦應(yīng)用的DC-DC轉(zhuǎn)換器提供了高

功率器件
2010-11-16

器件功率MOSFET QFN MOSFET
高速M(fèi)OSFET/IGBT柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器（飛兆）

為了滿足全球各地的能效標(biāo)準(zhǔn)要求，太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等工業(yè)應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員需要具備更低功耗和更快開關(guān)速度的性能更高的柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 為此開發(fā)出

功率器件
2010-11-15

光耦合器柵極驅(qū)動(dòng) IGBT MOSFET
高壓功率VDMOSFET的設(shè)計(jì)與研制

摘要：按照功率VDMOSFET正向設(shè)計(jì)的思路，選取(100)晶向的襯底硅片，采用多晶硅柵自對準(zhǔn)工藝，結(jié)合MEDICI器件仿真和SUPREM-4工藝仿真軟件，提取參數(shù)結(jié)果，并最終完成工藝產(chǎn)品試制，達(dá)到了500 V／8 A高壓、大電流VDMOS

模擬
2010-11-12

高壓 BSP VDMOS MOSFET
高壓功率VDMOSFET的設(shè)計(jì)與研制

摘要：按照功率VDMOSFET正向設(shè)計(jì)的思路，選取(100)晶向的襯底硅片，采用多晶硅柵自對準(zhǔn)工藝，結(jié)合MEDICI器件仿真和SUPREM-4工藝仿真軟件，提取參數(shù)結(jié)果，并最終完成工藝產(chǎn)品試制，達(dá)到了500 V／8 A高壓、大電流VDMOS

功率器件
2010-11-09

高壓 BSP VDMOS MOSFET
車用 DirectFET2 功率 MOSFET 系列（IR）

國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布拓展了車用DirectFET®2功率MOSFET系列。該系列具有非常出色的功率密度、雙面冷卻功能以及最小寄生電感和電阻，適用于重負(fù)載應(yīng)用，包括電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、

汽車電子
2010-10-25

封裝 RF DIRECT MOSFET
Dual Cool封裝MOSFET（飛兆）

隨著功率模塊、電信和服務(wù)器等DC-DC應(yīng)用設(shè)備變得愈加空間緊湊，設(shè)計(jì)人員尋求更小的器件以應(yīng)對其設(shè)計(jì)難題，而器件的熱性能是人們關(guān)注的考慮因素。為了滿足高電流能力、高效率和更小外形尺寸的需求，飛兆半導(dǎo)體公司(Fa

電源
2010-10-23

飛兆封裝 COO MOSFET
Dual Cool封裝MOSFET（飛兆）

隨著功率模塊、電信和服務(wù)器等DC-DC應(yīng)用設(shè)備變得愈加空間緊湊，設(shè)計(jì)人員尋求更小的器件以應(yīng)對其設(shè)計(jì)難題，而器件的熱性能是人們關(guān)注的考慮因素。為了滿足高電流能力、高效率和更小外形尺寸的需求，飛兆半導(dǎo)體公司(Fa

功率器件
2010-10-23

飛兆封裝 COO MOSFET
車用 DirectFET2 功率 MOSFET 系列（IR）

國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布拓展了車用DirectFET®2功率MOSFET系列。該系列具有非常出色的功率密度、雙面冷卻功能以及最小寄生電感和電阻，適用于重負(fù)載應(yīng)用，包括電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、

功率器件
2010-10-23

封裝 RF DIRECT MOSFET
滿足供電需求的新型封裝技術(shù)和MOSFET

當(dāng)維持相同的結(jié)點(diǎn)溫度時(shí)，可以獲得更高的輸出功率和改善功率密度。另外，散熱能力的提高使得電路在提供額定電流的同時(shí)，還可以額外提供不超過額定電流50%的更高電流，并使器件工作在更低的溫度、減少發(fā)熱對其他器件的影響，也提高了系統(tǒng)的可靠性。

功率器件
2010-10-21

電容供電封裝技術(shù) MOSFET
控制驅(qū)動(dòng)VR的方法

　為減小導(dǎo)通損耗及反向恢復(fù)損耗，同步整流需要精確的時(shí)間控制電路，雖然已有幾種方法來產(chǎn)生控制信號，我們現(xiàn)在采用一種從反饋系統(tǒng)來有源控制的柵驅(qū)動(dòng)信號的定時(shí)系統(tǒng)。其關(guān)鍵優(yōu)點(diǎn)在于該電路將根據(jù)元件狀態(tài)的變化來特

工業(yè)控制
2010-10-20

二極管控制 VR MOSFET
一種MOSFET雙峰效應(yīng)的簡單評估方法

金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)是由一個(gè)金氧半(MOS)二機(jī)體和兩個(gè)與其緊密鄰接的P-n接面(p-n junction)所組成。自從在1960年首次證明后，MOSFET快速的發(fā)展

模擬
2010-10-13

模型 BSP TIMES MOSFET
一種MOSFET雙峰效應(yīng)的簡單評估方法

金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)是由一個(gè)金氧半(MOS)二機(jī)體和兩個(gè)與其緊密鄰接的P-n接面(p-n junction)所組成。自從在1960年首次證明后，MOSFET快速的發(fā)展

功率器件
2010-10-11

模型 BSP TIMES MOSFET
安森美半導(dǎo)體下一代計(jì)算產(chǎn)品用平臺(tái)方案

日前，應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN)推出一系列新產(chǎn)品，簡化及加速計(jì)算平臺(tái)的設(shè)計(jì)，包括應(yīng)用于即將發(fā)布的第二代Intel Core處理

消費(fèi)電子
2010-09-19

安森美半導(dǎo)體 AN NCP MOSFET
下一代計(jì)算產(chǎn)品用平臺(tái)方案（安森美）

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出一系列新產(chǎn)品，簡化及加速計(jì)算平臺(tái)的設(shè)計(jì)，包括應(yīng)用于即將發(fā)布的第二代Intel® Core™處理器系列(代號Sandy Bridge)。這些新產(chǎn)品包括高能效電源管理器件，以及應(yīng)用于高帶

智能硬件
2010-09-17

安森美安森美半導(dǎo)體 NCP MOSFET
本土IC公司推出新款600V MOSFET產(chǎn)品

功率MOSFET市場為歐美IDM半導(dǎo)體廠商所掌控，諸如Vishay、TI、凌力爾特在電源管理應(yīng)用市場，而飛兆、英飛凌等公司的高壓MOSFET廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車等市場。甚至，隨著高壓功率器件市場的快速增長，幾年前IR也開始不斷

智能硬件
2010-09-16

高壓 IC 功率MOSFET MOSFET

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MOSFET

同步降壓轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)方案

光伏逆變器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及設(shè)計(jì)思路

高速M(fèi)OSFET/IGBT柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器（飛兆）

德儀3座晶圓廠瞄準(zhǔn)模擬IC

25 V及30 V 高性能PQFN功率MOSFET系列（IR）

25 V及30 V 高性能PQFN功率MOSFET系列（IR）

高速M(fèi)OSFET/IGBT柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器（飛兆）

高壓功率VDMOSFET的設(shè)計(jì)與研制

高壓功率VDMOSFET的設(shè)計(jì)與研制

車用 DirectFET2 功率 MOSFET 系列（IR）

Dual Cool封裝MOSFET（飛兆）

Dual Cool封裝MOSFET（飛兆）

車用 DirectFET2 功率 MOSFET 系列（IR）

滿足供電需求的新型封裝技術(shù)和MOSFET

控制驅(qū)動(dòng)VR的方法

一種MOSFET雙峰效應(yīng)的簡單評估方法

一種MOSFET雙峰效應(yīng)的簡單評估方法

安森美半導(dǎo)體下一代計(jì)算產(chǎn)品用平臺(tái)方案

下一代計(jì)算產(chǎn)品用平臺(tái)方案（安森美）

本土IC公司推出新款600V MOSFET產(chǎn)品

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