MOSFET
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OptiMOS 3 75V MOSFET系列（英飛凌）
英飛凌科技推出OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列。全新推出的這個(gè)產(chǎn)品系列具備業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和品質(zhì)因素（FOM, Qg * RDS(on)）特性，可在任何負(fù)載條件下，降低開關(guān)模式電源（SMPS）、電機(jī)控制和快
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下一代CoolMOS MOSFET（英飛凌）
英飛凌科技股份公司推出下一代高性能金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）600V CoolMOS™ C6系列。有了600V CoolMOS™ C6系列器件，諸如PFC（功率因數(shù)校正）級(jí)或PWM（脈寬調(diào)制）級(jí)等能源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的能源
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關(guān)于MOSFET的雙峰效應(yīng)量化評(píng)估研究
摘 要：介紹一種關(guān)于雙峰效應(yīng)(Double－Hump)的評(píng)估方法。通過對(duì)MOSFET的Id～Vg曲線的分析，雙峰效應(yīng)的程度可以用數(shù)字化評(píng)估。采取這種量化表征，細(xì)致地研究了雙峰效應(yīng)與摻雜濃度的關(guān)系。建立了MOS的Vt和Punch-throug
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關(guān)于MOSFET的雙峰效應(yīng)量化評(píng)估研究
摘 要：介紹一種關(guān)于雙峰效應(yīng)(Double－Hump)的評(píng)估方法。通過對(duì)MOSFET的Id～Vg曲線的分析，雙峰效應(yīng)的程度可以用數(shù)字化評(píng)估。采取這種量化表征，細(xì)致地研究了雙峰效應(yīng)與摻雜濃度的關(guān)系。建立了MOS的Vt和Punch-throug
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利用集成化開關(guān)穩(wěn)壓器簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)
本文討論了如何利用集成化開關(guān)穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)電源，并給出了在低輸入電壓應(yīng)用中建議采用的輸出電感和電容。
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利用集成化開關(guān)穩(wěn)壓器簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)
本文討論了如何利用集成化開關(guān)穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)電源，并給出了在低輸入電壓應(yīng)用中建議采用的輸出電感和電容。
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增強(qiáng)型25V及30V MOSFET（IR）
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道溝道 HEXFET 功率 MOSFET 。它們針對(duì)同步降壓轉(zhuǎn)換器和電池保護(hù)增強(qiáng)了轉(zhuǎn)換性能，適用于消費(fèi)和網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域的計(jì)算應(yīng)用。新 MOSFET 系列
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增強(qiáng)型25V及30V MOSFET（IR）
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道溝道 HEXFET 功率 MOSFET 。它們針對(duì)同步降壓轉(zhuǎn)換器和電池保護(hù)增強(qiáng)了轉(zhuǎn)換性能，適用于消費(fèi)和網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域的計(jì)算應(yīng)用。新 MOSFET 系列
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新型100V MOSFET器件（飛兆）
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為隔離式DC-DC應(yīng)用設(shè)計(jì)人員提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低達(dá)50% 的RDS(ON) 和出色的品質(zhì)因數(shù) (figure of merits, FOM)，有效提高電源設(shè)計(jì)的效率。FDMS8610
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新型100V MOSFET器件（飛兆）
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為隔離式DC-DC應(yīng)用設(shè)計(jì)人員提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低達(dá)50% 的RDS(ON) 和出色的品質(zhì)因數(shù) (figure of merits, FOM)，有效提高電源設(shè)計(jì)的效率。FDMS8610
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新型邏輯電平溝道MOSFET（IR）
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出新系列邏輯電平柵極驅(qū)動(dòng)溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準(zhǔn)通態(tài)電阻 (RDS(on)) 和高封裝電流額定值，適用于高功率DC電機(jī)和電動(dòng)工具、工業(yè)電池及電源應(yīng)用。
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新型邏輯電平溝道MOSFET（IR）
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出新系列邏輯電平柵極驅(qū)動(dòng)溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準(zhǔn)通態(tài)電阻 (RDS(on)) 和高封裝電流額定值，適用于高功率DC電機(jī)和電動(dòng)工具、工業(yè)電池及電源應(yīng)用。
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新型邏輯電平溝道MOSFET（IR）
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出新系列邏輯電平柵極驅(qū)動(dòng)溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準(zhǔn)通態(tài)電阻 (RDS(on)) 和高封裝電流額定值，適用于高功率DC電機(jī)和電動(dòng)工具、工業(yè)電池及電源應(yīng)用。
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新款全橋式MOSFET預(yù)驅(qū)動(dòng)器IC(Allegro)
Allegro MicroSystems 公司宣布推出具有故障診斷和報(bào)告功能的新款全橋式 MOSFET 預(yù)驅(qū)動(dòng)器 IC，擴(kuò)展其現(xiàn)有全橋式控制器系列。Allegro A4940 采用超小型封裝，提供靈活的輸入接口、自舉監(jiān)控電路、 寬泛的工作電壓（5.5
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新型IRS2093驅(qū)動(dòng)IC（IR）
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 針對(duì)50W至150W高性能D類音頻應(yīng)用的需求推出新型IRS2093驅(qū)動(dòng)IC，這些應(yīng)用包括家庭影院系統(tǒng)和汽車音響放大器。IRS2093基于半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，在一個(gè)IC上集成了4個(gè)高壓通
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基于混合SET/MOSFET的比較器
1. 引言 據(jù)2001 年的國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)未來(lái)發(fā)展預(yù)示，到2016 年MOSFETs 的物理溝道長(zhǎng)度將達(dá)到低于10nm 的尺寸[1]，而這種尺寸條件會(huì)影響到MOSFETs 的基本工作原理，因此必須尋找新的替代器件。單電子晶體管(Sing
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低RDS(ON) 的20V的MOSFETFDMA6023PZT（飛兆）
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 為便攜應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員帶來(lái)具有業(yè)界最低RDS(ON) 的20V 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型MicroFET MOSFET器件。FDMA6023PZT是采用緊湊、薄型封裝的雙P溝道MOSFET，能夠滿足便攜設(shè)計(jì)的
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基于混合SET/MOSFET的比較器
1. 引言 據(jù)2001 年的國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)未來(lái)發(fā)展預(yù)示，到2016 年MOSFETs 的物理溝道長(zhǎng)度將達(dá)到低于10nm 的尺寸[1]，而這種尺寸條件會(huì)影響到MOSFETs 的基本工作原理，因此必須尋找新的替代器件。單電子晶體管(Sing
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低RDS(ON) 的20V的MOSFETFDMA6023PZT（飛兆）
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 為便攜應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員帶來(lái)具有業(yè)界最低RDS(ON) 的20V 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型MicroFET MOSFET器件。FDMA6023PZT是采用緊湊、薄型封裝的雙P溝道MOSFET，能夠滿足便攜設(shè)計(jì)的
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超低壓差線性穩(wěn)壓器的拓?fù)浼軜?gòu)及應(yīng)用趨勢(shì)
近年來(lái)，低壓差穩(wěn)壓器(LDO)在各類電子設(shè)備，尤其是對(duì)電能有苛刻需求的消費(fèi)類電子中，得到了廣泛的應(yīng)用。但隨著更低壓差應(yīng)用需求的發(fā)展，由于LDO拓?fù)浼軜?gòu)的限制，越來(lái)越難以滿足應(yīng)用的需求。于是，基于新型拓?fù)浼?/p>
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厚勁薄發(fā)
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湖南仁諾電子
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注冊(cè)1
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shilingdao2005
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尋夢(mèng)者在路上
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