MOSFET
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利用集成化開關穩(wěn)壓器簡化電源設計
本文討論了如何利用集成化開關穩(wěn)壓器設計電源，并給出了在低輸入電壓應用中建議采用的輸出電感和電容。
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利用集成化開關穩(wěn)壓器簡化電源設計
本文討論了如何利用集成化開關穩(wěn)壓器設計電源，并給出了在低輸入電壓應用中建議采用的輸出電感和電容。
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增強型25V及30V MOSFET（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道溝道 HEXFET 功率 MOSFET 。它們針對同步降壓轉換器和電池保護增強了轉換性能，適用于消費和網(wǎng)絡領域的計算應用。新 MOSFET 系列
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增強型25V及30V MOSFET（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道溝道 HEXFET 功率 MOSFET 。它們針對同步降壓轉換器和電池保護增強了轉換性能，適用于消費和網(wǎng)絡領域的計算應用。新 MOSFET 系列
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新型100V MOSFET器件（飛兆）
飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為隔離式DC-DC應用設計人員提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低達50% 的RDS(ON) 和出色的品質因數(shù) (figure of merits, FOM)，有效提高電源設計的效率。FDMS8610
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新型100V MOSFET器件（飛兆）
飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為隔離式DC-DC應用設計人員提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低達50% 的RDS(ON) 和出色的品質因數(shù) (figure of merits, FOM)，有效提高電源設計的效率。FDMS8610
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新型邏輯電平溝道MOSFET（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列邏輯電平柵極驅動溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準通態(tài)電阻 (RDS(on)) 和高封裝電流額定值，適用于高功率DC電機和電動工具、工業(yè)電池及電源應用。
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新型邏輯電平溝道MOSFET（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列邏輯電平柵極驅動溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準通態(tài)電阻 (RDS(on)) 和高封裝電流額定值，適用于高功率DC電機和電動工具、工業(yè)電池及電源應用。
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新型邏輯電平溝道MOSFET（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列邏輯電平柵極驅動溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準通態(tài)電阻 (RDS(on)) 和高封裝電流額定值，適用于高功率DC電機和電動工具、工業(yè)電池及電源應用。
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新款全橋式MOSFET預驅動器IC(Allegro)
Allegro MicroSystems 公司宣布推出具有故障診斷和報告功能的新款全橋式 MOSFET 預驅動器 IC，擴展其現(xiàn)有全橋式控制器系列。Allegro A4940 采用超小型封裝，提供靈活的輸入接口、自舉監(jiān)控電路、 寬泛的工作電壓（5.5
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新型IRS2093驅動IC（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 針對50W至150W高性能D類音頻應用的需求推出新型IRS2093驅動IC，這些應用包括家庭影院系統(tǒng)和汽車音響放大器。IRS2093基于半橋拓撲結構，在一個IC上集成了4個高壓通
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基于混合SET/MOSFET的比較器
1. 引言 據(jù)2001 年的國際半導體技術未來發(fā)展預示，到2016 年MOSFETs 的物理溝道長度將達到低于10nm 的尺寸[1]，而這種尺寸條件會影響到MOSFETs 的基本工作原理，因此必須尋找新的替代器件。單電子晶體管(Sing
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低RDS(ON) 的20V的MOSFETFDMA6023PZT（飛兆）
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 為便攜應用的設計人員帶來具有業(yè)界最低RDS(ON) 的20V 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型MicroFET MOSFET器件。FDMA6023PZT是采用緊湊、薄型封裝的雙P溝道MOSFET，能夠滿足便攜設計的
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基于混合SET/MOSFET的比較器
1. 引言 據(jù)2001 年的國際半導體技術未來發(fā)展預示，到2016 年MOSFETs 的物理溝道長度將達到低于10nm 的尺寸[1]，而這種尺寸條件會影響到MOSFETs 的基本工作原理，因此必須尋找新的替代器件。單電子晶體管(Sing
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低RDS(ON) 的20V的MOSFETFDMA6023PZT（飛兆）
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 為便攜應用的設計人員帶來具有業(yè)界最低RDS(ON) 的20V 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型MicroFET MOSFET器件。FDMA6023PZT是采用緊湊、薄型封裝的雙P溝道MOSFET，能夠滿足便攜設計的
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超低壓差線性穩(wěn)壓器的拓撲架構及應用趨勢
近年來，低壓差穩(wěn)壓器(LDO)在各類電子設備，尤其是對電能有苛刻需求的消費類電子中，得到了廣泛的應用。但隨著更低壓差應用需求的發(fā)展，由于LDO拓撲架構的限制，越來越難以滿足應用的需求。于是，基于新型拓撲架
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超低壓差線性穩(wěn)壓器的拓撲架構及應用趨勢
近年來，低壓差穩(wěn)壓器(LDO)在各類電子設備，尤其是對電能有苛刻需求的消費類電子中，得到了廣泛的應用。但隨著更低壓差應用需求的發(fā)展，由于LDO拓撲架構的限制，越來越難以滿足應用的需求。于是，基于新型拓撲架
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選擇一款節(jié)能、高效的MOSFET
前不久，能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求，同時進一步降低待機功耗要求。例如，為了滿足新規(guī)范，2.5W（5V，0.5A）外部電源的最低效率必須達到72.3%，新規(guī)范要求空載功耗應低于300mW，這些都比目前使用的規(guī)范有了大幅提高。不僅是外部電源，很多手持式產(chǎn)品及家電產(chǎn)品，同樣面臨著低功耗的考驗。以手機為例，隨著智能手機的功能越來越多，低功耗設計已經(jīng)成為一個越來越迫切的問題。
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選擇一款節(jié)能、高效的MOSFET
前不久，能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求，同時進一步降低待機功耗要求。例如，為了滿足新規(guī)范，2.5W（5V，0.5A）外部電源的最低效率必須達到72.3%，新規(guī)范要求空載功耗應低于300mW，這些都比目前使用的規(guī)范有了大幅提高。不僅是外部電源，很多手持式產(chǎn)品及家電產(chǎn)品，同樣面臨著低功耗的考驗。以手機為例，隨著智能手機的功能越來越多，低功耗設計已經(jīng)成為一個越來越迫切的問題。
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選擇一款節(jié)能、高效的MOSFET
前不久，能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求，同時進一步降低待機功耗要求。例如，為了滿足新規(guī)范，2.5W（5V，0.5A）外部電源的最低效率必須達到72.3%，新規(guī)范要求空載功耗應低于300mW，這些都比目前使用的規(guī)范有了大幅提高。不僅是外部電源，很多手持式產(chǎn)品及家電產(chǎn)品，同樣面臨著低功耗的考驗。以手機為例，隨著智能手機的功能越來越多，低功耗設計已經(jīng)成為一個越來越迫切的問題。
