MOSFET
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全球首款1毫歐以下25V MOSFET（恩智浦）
恩智浦半導體（NXP Semiconductors，由飛利浦創(chuàng)立的獨立半導體公司）宣布推出全球首款N通道、1毫歐以下25V MOSFET產品，型號為PSMN1R2-25YL，它擁有最低的導通電阻RDSon以及一流的FOM 參數(shù)。該產品是迄今為止采用Pow
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全球首款1毫歐以下25V MOSFET（恩智浦）
恩智浦半導體（NXP Semiconductors，由飛利浦創(chuàng)立的獨立半導體公司）宣布推出全球首款N通道、1毫歐以下25V MOSFET產品，型號為PSMN1R2-25YL，它擁有最低的導通電阻RDSon以及一流的FOM 參數(shù)。該產品是迄今為止采用Pow
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雙MOSFET解決方案（飛兆）
飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設計人員帶來業(yè)界領先的雙MOSFET解決方案FDMC8200，可為筆記本電腦、上網(wǎng)本、服務器、電信和其它 DC-DC 設計提供更高的效率和功率密度。該器件在3mm x 3mm MLP模塊中集成
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新型雙MOSFET組合式器件（Diodes）
Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件，它采用SO8封裝，包含一對互補100V增強式MOSFET，性能可媲美體積更大的獨立封裝器件。ZXMC10A816適用于H橋電路，應用范圍包括直流風扇和逆變器電路、D類放大器輸出級以及其他多種4
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雙MOSFET解決方案（飛兆）
飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設計人員帶來業(yè)界領先的雙MOSFET解決方案FDMC8200，可為筆記本電腦、上網(wǎng)本、服務器、電信和其它 DC-DC 設計提供更高的效率和功率密度。該器件在3mm x 3mm MLP模塊中集成
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雙MOSFET解決方案（飛兆）
飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設計人員帶來業(yè)界領先的雙MOSFET解決方案FDMC8200，可為筆記本電腦、上網(wǎng)本、服務器、電信和其它 DC-DC 設計提供更高的效率和功率密度。該器件在3mm x 3mm MLP模塊中集成
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新型雙MOSFET組合式器件（Diodes）
Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件，它采用SO8封裝，包含一對互補100V增強式MOSFET，性能可媲美體積更大的獨立封裝器件。ZXMC10A816適用于H橋電路，應用范圍包括直流風扇和逆變器電路、D類放大器輸出級以及其他多種4
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新型MOSFET半橋器件（Diodes）
Diodes 公司推出四款半橋MOSFET 封裝，為空間受限的應用減少了元件數(shù)量和PCB尺寸，極大地簡化了直流風扇和 CCFL 逆變器電路設計。Diodes 亞太區(qū)技術市場總監(jiān)梁后權指出：“ZXMHC 元件為SO8封裝，包含兩對互補N型和P型
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新型MOSFET半橋器件（Diodes）
Diodes 公司推出四款半橋MOSFET 封裝，為空間受限的應用減少了元件數(shù)量和PCB尺寸，極大地簡化了直流風扇和 CCFL 逆變器電路設計。Diodes 亞太區(qū)技術市場總監(jiān)梁后權指出：“ZXMHC 元件為SO8封裝，包含兩對互補N型和P型
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電源設計小貼士12：電源效率最大化
在《電源設計小貼士 11》中，我們討論了如何利用泰勒級數(shù) (Taylor series) 查找電源中的損耗源。在本篇電源設計小貼士中，我們將討論如何使用相同的級數(shù)最大化特定負載電流的電源效率。在《電源設計小貼士 11》中，我
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電源設計小貼士12：電源效率最大化
在《電源設計小貼士 11》中，我們討論了如何利用泰勒級數(shù) (Taylor series) 查找電源中的損耗源。在本篇電源設計小貼士中，我們將討論如何使用相同的級數(shù)最大化特定負載電流的電源效率。在《電源設計小貼士 11》中，我
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多功能IR3640M PWM控制IC（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IR3640M PWM控制IC。該產品適用于高性能同步DC-DC降壓應用，包括服務器、存儲、網(wǎng)絡通信、游戲機和通用DC-DC轉換器。IR3640M是一款單相位同步降壓PWM控制器，
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多功能IR3640M PWM控制IC（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IR3640M PWM控制IC。該產品適用于高性能同步DC-DC降壓應用，包括服務器、存儲、網(wǎng)絡通信、游戲機和通用DC-DC轉換器。IR3640M是一款單相位同步降壓PWM控制器，
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IR推出新型邏輯電平溝道MOSFET
國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）推出一系列新型邏輯電平閘極驅動溝道HEXFET功率MOSFET，它們具有基準通態(tài)電阻（RDS（on））及高封裝電流額定值，適用於高功率DC馬達和電動工具、工業(yè)用電池及電源
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OptiMOS 3 75V MOSFET系列（英飛凌）
英飛凌科技推出OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列。全新推出的這個產品系列具備業(yè)內領先的導通電阻（RDS(on)）和品質因素（FOM, Qg * RDS(on)）特性，可在任何負載條件下，降低開關模式電源（SMPS）、電機控制和快
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下一代CoolMOS MOSFET（英飛凌）
英飛凌科技股份公司推出下一代高性能金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）600V CoolMOS™ C6系列。有了600V CoolMOS™ C6系列器件，諸如PFC（功率因數(shù)校正）級或PWM（脈寬調制）級等能源轉換產品的能源
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OptiMOS 3 75V MOSFET系列（英飛凌）
英飛凌科技推出OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列。全新推出的這個產品系列具備業(yè)內領先的導通電阻（RDS(on)）和品質因素（FOM, Qg * RDS(on)）特性，可在任何負載條件下，降低開關模式電源（SMPS）、電機控制和快
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下一代CoolMOS MOSFET（英飛凌）
英飛凌科技股份公司推出下一代高性能金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）600V CoolMOS™ C6系列。有了600V CoolMOS™ C6系列器件，諸如PFC（功率因數(shù)校正）級或PWM（脈寬調制）級等能源轉換產品的能源
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關于MOSFET的雙峰效應量化評估研究
摘 要：介紹一種關于雙峰效應(Double－Hump)的評估方法。通過對MOSFET的Id～Vg曲線的分析，雙峰效應的程度可以用數(shù)字化評估。采取這種量化表征，細致地研究了雙峰效應與摻雜濃度的關系。建立了MOS的Vt和Punch-throug
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關于MOSFET的雙峰效應量化評估研究
摘 要：介紹一種關于雙峰效應(Double－Hump)的評估方法。通過對MOSFET的Id～Vg曲線的分析，雙峰效應的程度可以用數(shù)字化評估。采取這種量化表征，細致地研究了雙峰效應與摻雜濃度的關系。建立了MOS的Vt和Punch-throug
