MIPS32 M4K處理器內核SRAM接口應用

MIPS32 M4K處理器內核SRAM接口應用

IBM生產出首個22納米工藝SRAM芯片

IBM生產出首個22納米工藝SRAM芯片

2 Mbit 和 8 Mbit nvSRAM（Cypress）

日前，賽普拉斯半導體公司推出 2 Mbit 和 8 Mbit 非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器（nvSRAM），進一步豐富了公司旗下從 16 Kbit 到 8 Mbit 的nvSRAM 產品系列。

歐盟斥資1千萬美元啟動OLED生產項目

CombOLED是歐盟的第七協(xié)作研發(fā)框架計劃的項目。其目標是整合新設備的結構，充分利用先進的制造技術以及復雜度低的材料，從而開發(fā)出性價比高的基于OLED的照明技術。 該項目由OSRAMOpto半導體公司牽頭，于2008年1月

采用1 MB片上SRAM的微控制器（瑞薩）

瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）推出總共八款SH7262和SH7264高性能32位微控制器新產品型號，這些集成了1M字節(jié)片上SRAM的器件適用于數(shù)字音頻和圖形儀表盤應用。

使用新SRAM工藝實現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲器設計

基于傳統(tǒng)六晶體管(6T)存儲單元的靜態(tài)RAM存儲器塊一直是許多嵌入式設計中使用ASIC/SoC實現(xiàn)的開發(fā)人員所采用的利器，因為這種存儲器結構非常適合主流的CMOS工藝流程，不需要增添任何額外的工藝步驟。

使用新SRAM工藝實現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲器設計

基于傳統(tǒng)六晶體管(6T)存儲單元的靜態(tài)RAM存儲器塊一直是許多嵌入式設計中使用ASIC/SoC實現(xiàn)的開發(fā)人員所采用的利器，因為這種存儲器結構非常適合主流的CMOS工藝流程，不需要增添任何額外的工藝步驟。

DRAM價格跌破現(xiàn)金成本陷入無解習題

基于SRAM的可重配置電路

基于SRAM的可重配置PLD（可編程邏輯器件）的出現(xiàn)，為系統(tǒng)設計者動態(tài)改變運行電路中PLD的邏輯功能創(chuàng)造了條件。PLD使用SRAM單元來保存字的配置數(shù)據(jù)決定了PLD內部互連和功能，改變這些數(shù)據(jù)，也就改變了器件的邏輯功能。

IT企業(yè)赴英參會 開展產業(yè)推介活動

為開拓重慶市LED及電子通信產品的國際市場，市外經委決定組織相關企業(yè)和部門赴英國參加“第五屆歐洲LED大會”，同時開展IT產業(yè)推介活動。 據(jù)了解，歐洲LED大會是歐洲歷史上規(guī)模最大的LED相關產品的展會。2008年“第

基于SRAM的可重配置電路

基于SRAM的可重配置PLD（可編程邏輯器件）的出現(xiàn)，為系統(tǒng)設計者動態(tài)改變運行電路中PLD的邏輯功能創(chuàng)造了條件。PLD使用SRAM單元來保存字的配置數(shù)據(jù)決定了PLD內部互連和功能，改變這些數(shù)據(jù)，也就改變了器件的邏輯功能。

全新低功耗SRAM產品（瑞薩）

瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布開發(fā)出目前市場上最高容量的64 Mb先進低功耗SRAM（先進LPSRAM） R1WV6416R系列，以及小尺寸的32 Mb先進LPSRAM產品R1LV3216R系列。