全新低功耗SRAM產(chǎn)品（瑞薩）

瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布開發(fā)出目前市場上最高容量的64 Mb先進低功耗SRAM（先進LPSRAM） R1WV6416R系列，以及小尺寸的32 Mb先進LPSRAM產(chǎn)品R1LV3216R系列。

基于SRAM和DRAM結構的大容量FIFO的設計

分別基于Hynix公司的SRAM HY64UDl6322A和DRAM HY57V281620E，介紹了采用兩種不同的RAM結構，通過CPLD來設計并實現(xiàn)大容量FIFO的方法。

ATmegal28擴展512KB掉電保護SRAM方案

介紹一種針對實時性要求較高且處理數(shù)據(jù)量較大的系統(tǒng)的設計和研制方案。該方案采用高性能AVRATmegal28為其控制核心，實現(xiàn)訪問外擴的512 KB SRAM中的數(shù)據(jù)，且在掉電時能保護外擴SRAM中的數(shù)據(jù)。

NEC開發(fā)出速度最快的MRAM 將替代SRAM

“臺北市政府”前LED屏幕項目已簽約

“臺北市政府研考會主委”盛治仁三日下午表示，懸掛在“市府”正門口兩旁，從屋頂?shù)降厣系某笮偷奶柲馨l(fā)電板暨LED屏幕，總造價約八千多萬元，目前已完成簽約，預定明年六月前完工。 屆時完工后，“市府”前不必再

德國法院裁定臺灣LED制造商侵犯歐司朗LED專利

在歐司朗與臺灣LED廠商今臺電子之間的專利糾紛中，德國杜塞爾多夫市地方法院幾乎支持前者的全部主張。該法院裁定，今臺電子侵犯了Osram的基專利和實用新型權利。 根據(jù)判決，今臺電子不得繼續(xù)在德國銷售某些LED產(chǎn)品，

德國法院裁定臺灣LED廠商侵犯歐司朗專利

德國法院裁定臺灣LED廠商侵犯歐司朗專利

基于DBL結構的嵌入式64kb SRAM的低功耗設計

針對嵌入式系統(tǒng)的低功耗要求，采用位線分割結構和存儲陣列分塊譯碼結構，完成了64 kb低功耗SRAM模塊的設計。

4-Mbit非易失性靜態(tài)隨機存儲器（Cypress）

賽普拉斯半導體公司（Cypress）于近日推出了一款4-Mbit非易失性靜態(tài)隨機存儲器（nvSRAM）產(chǎn)品。

基于SRAM編程技術的PLD核心可重構電路結構設計

本文針對 CPLD的核心可編程結構：P-Term和可編程互連線，采用2.5V、0.25μmCMOS工藝設計了功能相近的基于SRAM編程技術的可重構電路結構。

嵌入式高分辨率VGA圖像顯示方法研究

本文對嵌入式VGA顯示的實現(xiàn)方法進行了研究?；谶@種設計方法的嵌入式VGA顯示系統(tǒng)，可以在不使用VGA顯示卡和計算機的情況下，實現(xiàn)VGA圖像的顯示和控制。

嵌入式高分辨率VGA圖像顯示方法研究

嵌入式高分辨率VGA圖像顯示方法研究

首爾半導體與OSRAM簽署“互惠共享牌照協(xié)議”