SRAM
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STM32高速信號完整性設計實戰(zhàn)：SRAMSD卡USB電路的布局布線全攻略
在嵌入式系統(tǒng)開發(fā)中，STM32憑借其高性能和豐富的外設接口成為主流選擇。然而，當涉及高速信號傳輸時，信號完整性問題往往成為制約系統(tǒng)穩(wěn)定性的關鍵因素。本文以SRAM、SD卡和USB接口為例，結合實戰(zhàn)經驗，系統(tǒng)闡述高速電路的布局布線設計要點。
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SRAM信號反射超標？STM32 FSMC接口的端接電阻計算與仿真驗證
嵌入式系統(tǒng)高速數(shù)據(jù)交互場景，STM32通過FSMC接口外擴SRAM時，信號反射超標已成為制約系統(tǒng)穩(wěn)定性的關鍵瓶頸。當FSMC工作頻率突破50MHz后，傳輸線效應主導的信號畸變將導致讀寫失敗、數(shù)據(jù)錯亂甚至系統(tǒng)死機。本文從電磁理論出發(fā)，結合工程實踐，系統(tǒng)闡述端接電阻的精準計算方法與仿真驗證流程。
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SRAM+SD卡+USB三高速接口共存：STM32 PCB設計的信號隔離與電源分配策略
嵌入式系統(tǒng)設計，同時集成SRAM、SD卡和USB接口已成為高性能數(shù)據(jù)采集與存儲設備的常見需求。然而，這三個高速接口的共存對PCB設計提出了嚴苛挑戰(zhàn)——信號完整性、電源噪聲抑制和電磁兼容性(EMC)問題相互交織，稍有不慎便會導致系統(tǒng)崩潰。本文基于STM32F7系列MCU的工程實踐，系統(tǒng)闡述信號隔離與電源分配的核心策略。
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SRAM與DRAM的區(qū)別
在計算機和電子設備中，內存是數(shù)據(jù)存儲與訪問的核心組件，直接影響系統(tǒng)性能與效率。SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)和DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)作為兩種主流內存技術，各自占據(jù)獨特生態(tài)位。
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當前存儲器和新興非易失性存儲器技術的特點
在數(shù)字化信息飛速增長的時代，存儲器作為數(shù)據(jù)存儲與讀取的關鍵載體，其性能與特性對各類電子設備及系統(tǒng)的運行效率起著決定性作用。從廣泛應用的傳統(tǒng)存儲器，到嶄露頭角的新興非易失性存儲器技術，每一種都在存儲領域中占據(jù)著獨特的地位，展現(xiàn)出各異的特點。
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SRAM PUF 和量子衍生的半導體 PUF 技術對比
目前，有數(shù)百億臺物理物聯(lián)網設備通過本地網絡連接到互聯(lián)網。傳感器的數(shù)據(jù)橫跨這些網絡。執(zhí)行器根據(jù)數(shù)據(jù)進行啟動。同時，應用程序分析數(shù)據(jù)以促進人機響應。
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Microchip推出容量更大、速度更快的串行 SRAM產品線
該產品線提供了并行SRAM的低成本替代方案，容量高達 4 Mb，具有143 MHz SPI/SQI?通信功能
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SDRAM、SRAM與DRAM這幾種內存的區(qū)別是什么？
SRAM ： 靜態(tài)RAM，不用刷新，速度可以非?？欤馛PU內部的cache，都是靜態(tài)RAM，缺點是一個內存單元需要的晶體管數(shù)量多，因而價格昂貴，容量不大。
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FinFET晶體管尺寸的量化一直是主要挑戰(zhàn)，并迫使高密度6T
存算一體化是指將傳統(tǒng)以計算為中心的架構轉變?yōu)橐詳?shù)據(jù)為中心的架構，它可以突破馮·諾伊曼架構下存算分離的瓶頸，直接利用存儲器進行數(shù)據(jù)處理，從而把數(shù)據(jù)存儲與計算融合在同一芯片中，極大提高計算并行度與能效比。
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在 IoT 應用程序中平衡內存性能和功耗
為物聯(lián)網應用選擇電子元件的兩個關鍵標準是功率預算和性能。自從電子產品問世以來，就一直在這兩者之間進行權衡——要么獲得最佳功耗，要么獲得最高性能。根據(jù)應用程序，系統(tǒng)架構師對系統(tǒng)中的不同組件有不同的要求。例如，系統(tǒng)可能需要高性能控制器但低功耗存儲器。一個典型的案例是可穿戴設備，其中控制器需要功能強大，但由于 SRAM 用作暫存器，因此預計它具有盡可能低的功耗。
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緩存器
高速緩沖存儲器(Cache)其原始意義是指存取速度比一般隨機存取記憶體(RAM)來得快的一種RAM，一般而言它不像系統(tǒng)主記憶體那樣使用DRAM技術，而使用昂貴但較快速的SRAM技術，也有快取記憶體的名稱。
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芯片片上SRAM存儲概略及生成使用實踐 （上）
芯片是一個龐雜的系統(tǒng)，體量分布非常寬泛，從百十個gate的數(shù)?；旌闲酒ㄆ┤纾篜MU，sensor等等）一路到上百億門的復雜高端數(shù)字芯片（譬如：蘋果Axx，麒麟：9xx，聯(lián)發(fā)科：天璣系列抑或各個巨大無比的NP網絡芯片等等）同樣的芯片，也可以從不同維度進行區(qū)分，譬如：邏輯功能分類（...
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Cache結構及原理
高速緩沖存儲器(Cache)其原始意義是指存取速度比一般隨機存取記憶體(RAM)來得快的一種RAM，一般而言它不像系統(tǒng)主記憶體那樣使用DRAM技術，而使用昂貴但較快速的SRAM技術，也有快取記憶體的名稱。
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動態(tài)隨機存取存儲器
動態(tài)隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是一種半導體存儲器，主要的作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特(bit)是1還是0。由于在現(xiàn)實中晶體管會有漏電電流的現(xiàn)象，導致電容上所存儲的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù)，而導致數(shù)據(jù)毀損。因此對于DRAM來說，周期性地充電是一個無可避免的要件。由于這種需要定時刷新的特性，因此被稱為“動態(tài)”存儲器。相對來說，靜態(tài)存儲器(SRAM)只要存入數(shù)據(jù)后，縱使不刷新也不會丟失記憶。
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SRAM結構原理與應用
SRAM (Static RAM)，即靜態(tài)RAM.它也由晶體管組成。接通代表1，斷開表示0，并且狀態(tài)會保持到接收了一個改變信號為止。這些晶體管不需要刷新，但停機或斷電時，它們同DRAM一樣，會丟掉信息。SRAM的速度非?？?，通常能以20ns或更快的速度工作。一個DRAM存儲單元僅需一個晶體管和一個小電容.而每個SRAM單元需要四到六個晶體管和其他零件。所以，除了價格較貴外，SRAM芯片在外形上也較大，與DRAM相比要占用更多的空間。由于外形和電氣上的差別，SRAM和DRAM是不能互換的。
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SRAM存儲器
靜態(tài)隨機存取存儲器(Static Random-Access Memory，SRAM)是隨機存取存儲器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當電力供應停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失(被稱為volatile memory)，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
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芯片片上SRAM存儲概略及生成使用實踐?（上）
芯片是一個龐雜的系統(tǒng)，體量分布非常寬泛，從百十個gate的數(shù)模混合芯片（譬如：PMU，sensor等等）一路到上百億門的復雜高端數(shù)字芯片（譬如：蘋果Axx，麒麟：9xx，聯(lián)發(fā)科：天璣系列抑或各個巨大無比的NP網絡芯片等等）同樣的芯片，也可以從不同維度進行區(qū)分，譬如：邏輯功能分類（...
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存儲器相關問題匯總【SRAM】【DRAM】【SDRAM】【Flash】【EPROM】【EEPROM】
1.（大疆2020芯片工程師A卷，單選）1個16Kx8位的存儲器，其地址線和數(shù)據(jù)線總和是（）A、46B、17C、48D、22答案：D解析：地址線：16K=1K*16=1024*16=(2^10)*(2^4)=2^14，即需要?14根地址線；數(shù)據(jù)線：8位數(shù)據(jù)需要8根數(shù)據(jù)線；所以一共...
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英飛凌推出第二代高可靠非易失性SRAM
英飛凌科技股份公司旗下的Infineon Technologies LLC宣布推出第二代非易失性靜態(tài)RAM(nvSRAM)。
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SRAM與DRAM有啥區(qū)別？
隨著微電子技術的迅猛發(fā)展，SRAM逐漸呈現(xiàn)出高集成度、快速及低功耗的發(fā)展趨勢。近年來SRAM在改善系統(tǒng)性能、提高芯片可靠性、降低成本等方面都起到了積極的作用。
