基于SRAM芯片立體封裝大容量的應用

靜態(tài)隨機存儲器（static RAM），簡稱SRAM。在電子設備中，常見的存儲器有SRAM（靜態(tài)隨機訪問存儲器）、FLASH（閃速存儲器）、DRAM（動態(tài)存儲器）等。其中不同的存儲器有不同

基于位線循環(huán)充電SRAM模式的自定時電路設計

近些年來，隨著集成電路制造工藝和制造技術(shù)的發(fā)展，SRAM存儲芯片在整個SoC芯片面積中所占比例越來越大，而SRAM的功耗也成為整個SoC芯片的主要部分。同時，CPU的工作頻率逐年

基于DSP的廣播級數(shù)字音頻延時器

音頻延時器可用于廣播電臺直播節(jié)目。它將音頻信號延時一段時間后播出,以避免主持人的口誤或聽眾熱線中聽眾的一些不健康言論通過廣播媒體傳播,從而實現(xiàn)直播節(jié)目的安全播出。作為廣播級設備,音頻延時器對動態(tài)范圍、失真、信噪比和頻率響應等性能指標要求很高,因此一般采用數(shù)字技術(shù)。

詳解如何利用FPGA與SRAM設計大容量數(shù)據(jù)存儲

　1 前言　針對FPGA中內(nèi)部BlockRAM有限的缺點，提出了將FPGA與外部SRAM相結(jié)合來改進設計的方法，并給出了部分VHDL程序?！　? 硬件設計　　這里將主要討論以Xilinx公司的FPGA(XC2S600E-6fg456)和ISSI公司的SRAM(IS6

基于SRAM的微控制器提供更優(yōu)的安全性

基于DSP的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)開發(fā)與實現(xiàn)

該開發(fā)平臺運用于石油化工領域內(nèi)的煙氣輪機振動故障檢測中流量、溫度、壓力、密封差壓、各點振動位移、催化劑含塵量等參數(shù)的模擬數(shù)據(jù)采集，通過分析可以看出因為TMS320F2812芯片內(nèi)包含了A／D和SRAM，SRAM代替了價格昂貴的FIFO，所以這種采集方法可以大大提高采樣速度和精度，并且可以降低硬件設計的成本和時間，為下一步基于DSP實時數(shù)字信號處理和分析設計奠定了良好的基礎。

STM32 DMA 應用之(一)SRAM 與flash 間數(shù)據(jù)傳輸

一、為什么要用DMA?DMA全稱：Direct MemoryAccess 就是可以直接內(nèi)存存??；正是它可以直接操作內(nèi)存所以具備以下優(yōu)點：而無需經(jīng)過CPU去操作內(nèi)存的存取，這樣可以解放CPU出來干其他的事情；因為他可以進行存儲器時間的數(shù)

一種基于FPGA的嵌入式塊SRAM的設計

基于FPGA與外部SRAM的大容量數(shù)據(jù)存儲

STM32F0xx在增加IAP后APP為什么在main函數(shù)中要重映射SRAM

1 前言在使用F0的片子在增加IAP后，我們經(jīng)常發(fā)現(xiàn)，原來的APP必須增加一段代碼，將中斷向量表從內(nèi)部FLASH拷貝到SRAM后再執(zhí)行REMAP到SRAM，這樣操作后APP才能正常運行，這一過程一直困擾著蝶粉們，為什么需要這樣呢？本

基于FPGA的存儲解決方案——外部SRAM

用CPLD和外部SRAM構(gòu)成大容量FIFO的設計

一種基于CAN總線與以太網(wǎng)的嵌入式網(wǎng)關(guān)經(jīng)典設計

這里介紹的是一種低成本、高可靠性、快捷的CAN以太網(wǎng)網(wǎng)關(guān)的硬件、軟件設計方案，通過實際應用證明，該設計可以作為CAN總線節(jié)點的一個模塊，能夠與儀器儀表等設備相結(jié)合，使其具有網(wǎng)絡通信的能力，比較同類產(chǎn)品的設計，該設計能大大提高其性價比。

愛美科制造全球最小SRAM 芯片 面積縮小24%

在目前全球的芯片制造產(chǎn)業(yè)中，除了臺積電、格羅方德、三星、英特爾擁有先進的生產(chǎn)技術(shù)，以其強大的生產(chǎn)能量可以生產(chǎn)先進邏輯運算芯片之外，愛美科(IMEC)則是在晶圓制造領域中技術(shù)研發(fā)領先的單位。因此，繼日前臺積電與南韓三星陸續(xù)透露其在 5 納米先進制程的布局情況外，愛美科也在上周宣布了一項新的技術(shù)，制造了全球最小的 SRAM 芯片，其芯片面積比之前的產(chǎn)品縮小了 24%，未來將可適用于先進的 5 納米制程技術(shù)上。

基于ATmega2560微控制器外部SRAM擴展鍵盤的應用系統(tǒng)設計

本文從應用的角度出發(fā)，設計了一個基于ATmega2560微控制器外部SRAM擴展鍵盤的應用系統(tǒng)。從硬件的原理框圖到軟件都給出了詳細的設計。 ATmega2560微控制器是ATmega系列中最為高檔的一款。它在消費電子

賽普拉斯授權(quán)UMC生產(chǎn)的 65nm 和 40nm SRAM 器件榮獲航空航天級 QML 認證

加利福尼亞州圣何塞，2017年 11 月 15 日 —— 包括抗輻射存儲器在內(nèi)的先進嵌入式系統(tǒng)解決方案市場領導者賽普拉斯半導體公司 和全球領先的半導體代工廠聯(lián)華電子股份有限公司(以下簡稱“UMC”)今日聯(lián)合宣布，賽普拉斯 65nm 和 40nm 技術(shù)平臺成為業(yè)界首批榮獲合格制造商名單 (QML) 認證的平臺，為其未來產(chǎn)品鋪平了道路。

基于J750EX測試系統(tǒng)的SRAM VDSR32M32測試技術(shù)研究

作者：王鑫，王烈洋，占連樣，陳像，張水蘋，湯凡，黃小琥，李光摘要VDSR32M32是珠海歐比特公司自主研發(fā)的一種高速、大容量的靜態(tài)隨機器(SRAM)用其對大容量數(shù)據(jù)進行高速存取

基于 QDR-IV SRAM 實現(xiàn)網(wǎng)絡流量管理統(tǒng)計計數(shù)器 IP設計

網(wǎng)絡路由器帶有用于性能監(jiān)控、流量管理、網(wǎng)絡追蹤和網(wǎng)絡安全的統(tǒng)計計數(shù)器。計數(shù)器用來記錄數(shù)據(jù)包到達和離開的次數(shù)以及特定事件的次數(shù)，比如當網(wǎng)絡出現(xiàn)壞包時。數(shù)據(jù)包的到達

基于J750EX測試系統(tǒng)的SRAM VDSR32M32測試技術(shù)研究

VDSR32M32是珠海歐比特公司自主研發(fā)的一種高速、大容量的靜態(tài)隨機器(SRAM)用其對大容量數(shù)據(jù)進行高速存取。本文首先介紹了該芯片的結(jié)構(gòu)和原理，其次詳細闡述了基于J750測試系統(tǒng)的測試技術(shù)研究，提出了采用J750EX測試系統(tǒng)的DSIO及其他模塊實現(xiàn)對SRAM VDSR16M32進行電性測試及功能測試。另外，針對SRAM的關(guān)鍵時序參數(shù)，如TAA（地址變化到數(shù)據(jù)輸出有效時間）、TACS(片選下降到數(shù)據(jù)輸出有效時間)、TOE（讀信號下降到數(shù)據(jù)輸出有效時間）等，使用測試系統(tǒng)為器件施加適當?shù)目刂萍?，完成SRAM的時序配合，從而達到器件性能的測試要求。

SRAM與SDRAM有什么區(qū)別？

SDRAMSDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)同步動態(tài)隨機存取存儲器，同步是指Memory工作需要步時鐘，內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準;動態(tài)是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失;隨機