SRAM

我要報(bào)錯(cuò)

靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（StaticRandom-AccessMemory，SRAM）是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失（被稱為volatilememory），這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。

基于FPGA的SRAM自測(cè)試研究

引言　　SRAM有高速和不用刷新等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛用于高性能的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。由于半導(dǎo)體工藝技術(shù)的提高以及存儲(chǔ)系統(tǒng)多方面的需要，存儲(chǔ)器件日益向高速、高集成方向發(fā)展，在使系統(tǒng)功能強(qiáng)大的同時(shí)，也增加了系統(tǒng)的復(fù)雜性

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-01-15

FPGA SRAM 耦合 MARCH
ADI推出集成復(fù)雜波形生成功能的DAC

21ic訊 Analog Devices，Inc. (ADI)最近發(fā)布了四通道、12位/單通道、14位的180 MSPS波形發(fā)生器 AD9106/AD9102，均片內(nèi)集成靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (SRAM) 和直接數(shù)字頻率合成器 (DDS)，用于復(fù)雜波形生成。ADI 最新的 D

模擬
2012-12-14

集成 DAC ADI SRAM
施耐德全新可編程自動(dòng)化控制器采用賽普拉斯nvSRAM

日前，賽普拉斯半導(dǎo)體公司宣布施耐德電氣公司在其兩款全新可編程自動(dòng)化控制器BMXCRA31210與BMXERT1604中設(shè)計(jì)采用了賽普拉斯的非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(nvSRAM)。施耐德BMXCRA31210與BMXERT1604控制器均采用賽普拉

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2012-12-12

控制器施耐德編程 SRAM
施耐德電氣全新可編程自動(dòng)化控制器選用賽普拉斯1MB串行nvSRAM

賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布施耐德電氣公司在其兩款全新可編程自動(dòng)化控制器中設(shè)計(jì)采用了賽普拉斯的非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(nvSRAM)。施耐德BMXCRA31210與BMXERT1604控制器均采用賽普拉斯的CY14B101Q2 1MB nvSRA

廠商動(dòng)態(tài)
2012-12-11

控制器編程施耐德電氣 SRAM
ST擴(kuò)展32位單片機(jī)優(yōu)勢(shì) STM32 F4陣容再添新軍

STM32 F427和F437兩大系列微控制器產(chǎn)品擴(kuò)大了STM32 F4現(xiàn)有產(chǎn)品陣容，鞏固了意法半導(dǎo)體的產(chǎn)品性能在先進(jìn)ARM® Cortex™-M4內(nèi)核微控制器市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。這兩大系列基于目前性能最高的ARM內(nèi)核，為運(yùn)行更多的應(yīng)

單片機(jī)
2012-11-28

STM32 32位單片機(jī) CORTEX-M4 SRAM
意法半導(dǎo)體推出STM32 F427和F437兩大系列微控制器產(chǎn)品

21ic訊 STM32 F427和F437兩大系列微控制器產(chǎn)品擴(kuò)大了STM32 F4現(xiàn)有產(chǎn)品陣容，鞏固了意法半導(dǎo)體的產(chǎn)品性能在先進(jìn)ARM® Cortex™-M4內(nèi)核微控制器市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。這兩大系列基于目前性能最高的ARM內(nèi)核，為運(yùn)行

單片機(jī)
2012-11-27

微控制器 STM32 意法半導(dǎo)體 SRAM
ST擴(kuò)展32位單片機(jī)優(yōu)勢(shì) STM32 F4陣容再添新軍

ST擴(kuò)展32位單片機(jī)優(yōu)勢(shì) STM32 F4陣容再添新軍

嵌入式軟件
2012-11-25

STM32 32位單片機(jī) CORTEX-M4 SRAM
意法半導(dǎo)體推出STM32 F427和F437兩大系列微控制器產(chǎn)品

意法半導(dǎo)體推出STM32 F427和F437兩大系列微控制器產(chǎn)品

嵌入式軟件
2012-11-24

微控制器 STM32 意法半導(dǎo)體 SRAM
聯(lián)電推SRAM 80納米SDDI制程，攻智能型手機(jī)市場(chǎng)

聯(lián)電(2303)推出具備競(jìng)爭(zhēng)力的SRAM 80納米SDDI晶圓專工制程，此技術(shù)將賦予次世代智能型手機(jī)屏幕高畫質(zhì)優(yōu)勢(shì)。此制程現(xiàn)已準(zhǔn)備量產(chǎn)，并與數(shù)家主要客戶針對(duì)HD720/WXGA畫質(zhì)的智能型手機(jī)產(chǎn)品合作中。聯(lián)電宣布，推出新一代8

模擬
2012-11-23

手機(jī)市場(chǎng) 聯(lián)電智能型 SRAM
基于FPGA的可重構(gòu)系統(tǒng)及其結(jié)構(gòu)分析

基于FPGA的可重構(gòu)系統(tǒng)及其結(jié)構(gòu)分析

嵌入式教程
2012-11-11

MPU SOPC FPGA SRAM
基于FPGA的一種高速圖形幀存設(shè)計(jì)

幀存是圖形處理器與顯示設(shè)備之間的數(shù)據(jù)通道，所有要顯示的圖形數(shù)據(jù)首先是存放在幀存之中，然后才送出去顯示的，因此幀存的設(shè)計(jì)是圖形顯示系統(tǒng)設(shè)計(jì)的一個(gè)關(guān)鍵。傳統(tǒng)上，可以用來(lái)設(shè)計(jì)幀存的存儲(chǔ)器件有多種，如DRAM、VR

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2012-11-06

ST SE FPGA SRAM
分析CPLD與FPGA區(qū)別

可編程邏輯器件主要包括FPGA和CPLD，F(xiàn)PGA是Field Programmable Gate Array縮寫，CPLD是Complex Promrammable Logic Device的縮寫。隨著芯片技術(shù)的發(fā)展，CPLD和FPGA的概念已經(jīng)模糊在一起，如Altera和Lattice公司把小容

測(cè)試測(cè)量
2012-10-11

布線 CPLD FPGA SRAM
語(yǔ)音記錄控制電路圖

IC-W5120包含一個(gè)話筒頂放級(jí)、自動(dòng)增益控制、平滑濾波、A/D、D/A、喇叭放大器、校準(zhǔn)邏輯控制電路，外接串行SRAM（SSRAM）端口。W5120可提供63個(gè)語(yǔ)音記錄節(jié)；可串接多個(gè)SSRAM，由高電平觸發(fā)REC工作；提供長(zhǎng)時(shí)間記錄而

控制電路
2012-09-12

控制電路圖 IC RESET SRAM
賽普拉斯退出16-Mbit nvSRAM 系列

21ic訊賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前推出了 16-Mbit 非易失性靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器 (nvSRAM) 系列，其中包括具備同步 NAND 閃存接口的器件。該系列是業(yè)界首款可直接與開放式 NAND 閃存接口 (ONFI) 以及 Toggle NAND 總線控

智能硬件
2012-09-12

賽普拉斯 NAND SRAM
RTN的SRAM誤操作進(jìn)行觀測(cè)并模擬的方法簡(jiǎn)介

瑞薩電子開發(fā)出了對(duì)起因于隨機(jī)電報(bào)噪聲（RTN：Random Telegraph Noise）的SRAM誤操作進(jìn)行觀測(cè)并實(shí)施模擬的方法。利用該方法可高精度地估計(jì)22nm以后尖端LSI中的RTN影響，適當(dāng)設(shè)定針對(duì)RTN的設(shè)計(jì)余度。該公司已在&ldquo

模擬
2012-09-03

晶體管模擬 LSI SRAM
三星和歐司朗針對(duì)國(guó)際LED專利達(dá)成訴訟協(xié)議

根據(jù)美國(guó)貿(mào)易局的申報(bào)案，韓國(guó)三星電子公司和西門子集團(tuán)下的歐司朗(OSRAM)達(dá)成LED專利技術(shù)官司的協(xié)議。日前于美國(guó)華盛頓舉行的美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)會(huì)議并沒有公布有關(guān)財(cái)務(wù)的詳細(xì)內(nèi)容。不過，根據(jù)LEDinside的了解，三星

消費(fèi)電子
2012-08-15

三星 LED 歐司朗 SRAM
三星和歐司朗針對(duì)國(guó)際LED專利達(dá)成訴訟協(xié)議

根據(jù)美國(guó)貿(mào)易局的申報(bào)案，韓國(guó)三星電子公司和西門子集團(tuán)下的歐司朗(OSRAM)達(dá)成LED專利技術(shù)官司的協(xié)議。日前于美國(guó)華盛頓舉行的美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)會(huì)議并沒有公布有關(guān)財(cái)務(wù)的詳細(xì)內(nèi)容。不過，根據(jù)LEDinside的了解，三星

消費(fèi)電子
2012-08-15

三星 LED 歐司朗 SRAM
Microchip推出四款串行SRAM新品

21ic訊 Microchip Technology Inc.（美國(guó)微芯科技公司）宣布，推出四款業(yè)內(nèi)容量最大、速度最快的新器件，擴(kuò)展了其串行SRAM產(chǎn)品組合。這些器件還是業(yè)內(nèi)首批5V工作的產(chǎn)品，廣泛適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用。這些512 Kb和1 Mb

智能硬件
2012-08-07

器件 Microchip MDASH SRAM
SoC用低電壓SRAM技術(shù)介紹

東芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上，發(fā)布了采用09年開始量產(chǎn)的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術(shù)。該技術(shù)為主要用于便攜產(chǎn)品及消費(fèi)類產(chǎn)品的低功耗工藝技術(shù)。通過控制晶體管閾值電壓的經(jīng)時(shí)變化，可抑

模擬
2012-08-03

晶體管 SoC 低電壓 SRAM
車輛照明生力軍LED燈可降低能耗

據(jù)美國(guó)媒體《今日美國(guó)》報(bào)道，LED燈正逐漸占領(lǐng)家居照明市場(chǎng)，但不僅在這一領(lǐng)域，未來(lái)預(yù)計(jì)將成為車輛照明的生力軍，有助于提高車輛的燃油效率，尤其對(duì)于電動(dòng)車來(lái)說有著極其重要的意義。依據(jù)顧問公司麥肯錫的一項(xiàng)報(bào)告，

顯示光電
2012-07-25

汽車照明 LED燈 SRAM

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SRAM

基于FPGA的SRAM自測(cè)試研究

ADI推出集成復(fù)雜波形生成功能的DAC

施耐德全新可編程自動(dòng)化控制器采用賽普拉斯nvSRAM

施耐德電氣全新可編程自動(dòng)化控制器選用賽普拉斯1MB串行nvSRAM

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意法半導(dǎo)體推出STM32 F427和F437兩大系列微控制器產(chǎn)品

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