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SiC MOSFET

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  • SiC MOSFET在通信電源中的降低能耗，通過驅(qū)動優(yōu)化將開關(guān)損耗降低70%

    通信基站作為數(shù)字社會的“神經(jīng)末梢”，其能耗問題正隨著5G網(wǎng)絡(luò)的大規(guī)模部署愈發(fā)凸顯。一個典型5G宏基站功耗高達3500W，其中通信電源模塊的損耗占比超25%，僅散熱系統(tǒng)就需消耗額外15%的電能。在“雙碳”目標(biāo)與運營商降本增效的雙重壓力下，如何降低電源轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié)的能耗成為行業(yè)破局的關(guān)鍵。碳化硅(SiC)MOSFET憑借其低導(dǎo)通電阻、高頻開關(guān)特性與高溫穩(wěn)定性，正成為通信電源能效升級的核心器件，而驅(qū)動電路的優(yōu)化設(shè)計則進一步釋放了其節(jié)能潛力——通過精準(zhǔn)控制柵極電壓波形，可將開關(guān)損耗降低70%，推動電源效率邁向98%的新高度。

  • 超結(jié)MOSFET與SiC MOSFET在1kW PFC電路中的損耗對比：英飛凌CoolMOS? C7 vs 羅姆SCH2080KE

    功率因數(shù)校正(PFC)電路邁向高頻化、高功率密度，超結(jié)MOSFET與碳化硅(SiC)MOSFET的損耗博弈成為工程師關(guān)注的焦點。以1kW PFC電路為典型場景，英飛凌CoolMOS? C7與羅姆SCH2080KE的實測數(shù)據(jù)揭示了兩種技術(shù)路線的本質(zhì)差異——前者以硅基材料的極致優(yōu)化實現(xiàn)性價比突破，后者憑借第三代半導(dǎo)體的物理特性顛覆傳統(tǒng)損耗模型。

  • 基于變壓器的 SiC MOSFET 隔離柵極驅(qū)動器設(shè)計

    本文將介紹一種用于 3.3kV SiC MOSFET的基于變壓器的隔離式柵極驅(qū)動器。兩個 VHF 調(diào)制諧振反激式轉(zhuǎn)換器，工作頻率為 20 MHz，可生成 PWM 信號和柵極驅(qū)動功率。

  • 如何正確的使用 LTspice 仿真 SiC MOSFET

    如果不能在高速下提供正確的電壓，則 SiC 器件必然會發(fā)生故障，從而導(dǎo)致發(fā)熱和效率低下。使用的 MOSFET 是UnitedSiC UF3C065080T3S模型，包含在 TO-220 封裝中以及測試方案。

  • ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列

    全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商Apex Microtechnology的功率模塊系列產(chǎn)品。該電源模塊系列包括驅(qū)動器模塊“SA310”（非常適用于高耐壓三相直流電機驅(qū)動）和半橋模塊“SA110”“SA111”（非常適用于眾多高電壓應(yīng)用）兩種產(chǎn)品。

  • 如何使用 LTspice 仿真 SiC MOSFET：良好驅(qū)動器的重要性

    碳化硅 (SiC) 是一種日益重要的半導(dǎo)體材料，未來它肯定會取代硅用于大功率應(yīng)用。為了更好地管理 SiC 器件，有必要創(chuàng)建一個足夠的驅(qū)動程序，以保證其清晰的激活或停用。通常，要關(guān)閉它，“柵極”和“源極”之間需要大約 20 V 的電壓，而要打開它，需要大約 -5 V 的負(fù)電壓(地)，并且開關(guān)驅(qū)動器必須非常快，否則會增加工作溫度、開關(guān)損耗和更大的電阻 Rds(on)。

  • 抗輻射功率器件：第 2 部分 WBG 器件和封裝選項

    在關(guān)于抗輻射功率器件的第 2 部分中，我們將探討 WBG 半導(dǎo)體在該領(lǐng)域的一些優(yōu)勢，特別是 SiC MOSFET 和 GaN HEMT。還將總結(jié)一些包括低成本塑料產(chǎn)品的包裝選擇。

  • 英飛凌最新的 SiC MOSFET 產(chǎn)品組合

    PCIM Europe 2022 以一系列有趣的行業(yè)突破拉開帷幕，其中包括英飛凌最新的SiC MOSFET 產(chǎn)品組合。這種新型 SiC MOSFET 芯片基于英飛凌最近發(fā)布的先進 M1H SiC MOSFET 技術(shù)。最近的進步實現(xiàn)了更大的柵極電壓窗口，從而提高了芯片導(dǎo)通電阻。

  • S-MOS 單元技術(shù)提高了 SiC MOSFET 的效率

    初創(chuàng)公司mqSemi提出了一種適用于基于功率 MOS 的器件的單點源 MOS (S-MOS) 單元概念。S-MOS 概念已通過使用 Silvaco Victory 工藝和設(shè)備軟件的 3D-TCAD 模擬在 1200V SiC MOSFET 結(jié)構(gòu)上進行了調(diào)整和實施。提供了全套靜態(tài)和動態(tài)結(jié)果，用于比較 S-MOS 與采用平面和溝槽 MOS 單元設(shè)計的參考 SiC MOSFET 2D 結(jié)構(gòu)。

  • 羅姆第4代SiC MOSFET在電動汽車電控系統(tǒng)中的應(yīng)用及其優(yōu)勢

    近年來，為了實現(xiàn)“碳中和”等減輕環(huán)境負(fù)荷的目標(biāo)，需要進一步普及下一代電動汽車（xEV），從而推動了更高效、更小型、更輕量的電動系統(tǒng)的開發(fā)。尤其是在電動汽車（EV）領(lǐng)域，為了延長續(xù)航里程并減小車載電池的尺寸，提高發(fā)揮驅(qū)動核心作用的電控系統(tǒng)的效率已成為一個重要課題。SiC（碳化硅）作為新一代寬禁帶半導(dǎo)體材料，具備高電壓、大電流、高溫、高頻率和低損耗等獨特優(yōu)勢。因此，業(yè)內(nèi)對碳化硅功率元器件在電動汽車上的應(yīng)用寄予厚望。

  • SiC MOSFET替代Si MOSFET，自舉電路是否適用？

    自舉式懸浮驅(qū)動電路可以極大的簡化驅(qū)動電源的設(shè)計，只需要一路電源就可以驅(qū)動上下橋臂兩個開關(guān)管的驅(qū)動，可以節(jié)省Si MOSFET功率器件方案的成本。隨著新能源受到全球政府的推動與支持，與新能源相關(guān)的半導(dǎo)體芯片需求激増，導(dǎo)致產(chǎn)能緊缺。綠色低碳技術(shù)創(chuàng)新應(yīng)用是實現(xiàn)碳中和目標(biāo)的重要一環(huán)，碳化硅是應(yīng)用于綠色低碳領(lǐng)域的共用性技術(shù)，SiC MOSFET替代Si MOSEFET成為了許多廠商的新選擇。不過，SiC MOSFET的驅(qū)動與Si MOSFET到底有什么區(qū)別，替代時電路設(shè)計如何調(diào)整，是工程師非常關(guān)心的。我們《SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有單電源正電壓時如何實現(xiàn)負(fù)壓？》一文中已經(jīng)分享了負(fù)壓自舉的小技巧。本文SiC MOSFET驅(qū)動常規(guī)自舉電路的注意事項。

  • SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有單電源正電壓時如何實現(xiàn)負(fù)壓？

    現(xiàn)代工業(yè)對電力電子設(shè)備提出了很多要求：體積小、重量輕、功率大、發(fā)熱少。面對這些要求，Si MOSFET因Si材料自身的限制而一籌莫展。SiC MOSFET因SiC材料的先天優(yōu)勢開始大顯神通。SiC MOSFET大規(guī)模商用唯一的缺點就是價格。但隨著良率的提升和采用更大尺寸的晶圓，SiC與Si之間的成本差距正在收窄，在整車系統(tǒng)總體成本反而有明顯的優(yōu)勢。SiC MOSFET替代Si MOSEFET成為越來越多的廠家的新選擇。