7nm工藝的產(chǎn)品已經(jīng)遍地開花，Intel的10nm處理器也終于在市場登陸，不過，對于晶圓巨頭們來說，制程之戰(zhàn)卻越發(fā)膠著。

在日前一場技術(shù)交流活動中，三星重新修訂了未來節(jié)點工藝的細節(jié)。

三星稱，EUV后，他們將在3nm節(jié)點首發(fā)GAA MCFET（多橋通道FET）工藝。由于FinFET的限制，預計在5nm節(jié)點之后會被取代。

實際上，5nm在三星手中，也僅僅是7nm LPP的改良，可視為導入第二代EUV的一代。7nm LPP向后有三個迭代版本，分別是6nm LPP、5nm LPE和4nm LPE。

相較于年初的路線圖，三星6LPP只是簡單地引入SDB，從而提供了1.18倍的密度改進。另一個改變是刪除4LPP節(jié)點，在路線圖上只留下4LPE。最后，三星將3 GAAE和3 GAAP更名為3 GAE和3 GAP。

關(guān)于工藝核心指標，5nm LPE雖然沿用7nm LPP的晶體管和SRAM，但性能增強了11%，UHD下的密度會接近130 MTr/mm²，終于第一次超過了Intel 10nm和臺積電7nm。

在4nm LPE上（2021年推出），三星可以做到137 MTr/mm²的密度，接近臺積電5nm。